基片技术资料,膜基片,金属基片,光盘基片
[A26166-0595-0001、光学元件安装用基片及其制造方法
摘要、本发明涉及一种光学元件安装用基片。本发明的目的在于提供一种克服以往的对于频率超过10GHz的信号，难以形成图11的形态结构的光学元件安装用基片。此外，提供一种克服以往的难以得到不容易发生基片翘曲、特别是不容易助长因温度变动引起的基片的翘曲的结构的光学元件安装用基片。本发明的光学元件安装用基片为，具有：硅基片和在上述硅基片上的第一电介质基片与第二电介质基片，在上述第一基片上具有上述激光二极管的设置部、上述配线、上述光电二极管的设置部，在上述硅基片上具有上述透镜或上述光纤的设置部。
[A26166-0104-0002、用于电池的电极基片及其制备方法
摘要、公开了一种电池用电极基片，用作电池收集极中所用活性物质的载体，包含一种金属多孔结构，该结构具有孔隙率不低于90％的互连孔，每厘米孔数不低于10，且具有Fe，Ni双层结构，其中Fe构成组成该多孔结构的多孔体骨架的内层，骨架表面部分用Ni涂覆。优选构成骨架内层的Fe的纯度不低于98％（重量）且Fe含量不大于10%(重量)的镍涂层厚度为0.1—10μm。通过使用多孔树脂作基体形成Fe金属多孔体、用Ni对该金属多孔体进行电镀、热处理该电镀体将Fe扩散层厚度与Ni涂层厚度之比调节到不大于0.65。
[A26166-0060-0003、从废弃光盘中回收聚碳酸酯基片的方法，本发明属于对废弃光盘的处理技术，特别涉及从废弃光盘中回收聚碳酸酯基片的方法。将废弃光盘放入酸或碱清洗液中，在较高温度和，或超声波作用下，利用酸或碱清洗液使UV保护层破裂成碎片，并与金属膜分离金属膜溶于酸或碱清洗液中，得到光盘的基片，所述的酸或碱清洗液的浓度是1wt％以上。该技术无污染物排放，不仅彻底解决了光盘压碎填埋或焚烧产生环境污染问题，而且回收了可用资源。
[A26166-0393-0004、有源矩阵基片、显示装置及制造有源矩阵基片的方法
摘要、所公开的是一种有源矩阵基片，通过把栅绝缘膜和ITO膜沉积在导线上使该基片能防止引出线腐蚀等问题，而又不增加图案形成过程的次数，提高制造过程的生产量及可靠性。本发明包括源极和漏极，它们沉积在绝缘基片上并彼此分开一个预先确定的间隙；沉积在源极和漏极上的a－Si层；沉积在a－Si层上的栅绝缘膜；沉积在栅绝缘膜上的栅极；以及具有第1和第2部分的ITO膜，这第1部分覆盖在栅极上，其图案与栅极图案基本相同，这第2部分沉积在或者是源极或者是漏极上并构成像素电极；以及与漏极相连的数据线，它由栅绝缘膜覆盖，从而使a－Si膜介入这二者之间。
[A26166-0312-0005、用于检测柔性材料连续基片上分离布线图形的检测系统
摘要、一种通过利用基片作为进料输送器检测柔性材料连续基片上形成的分离布线图形的检测系统。该检测系统包括一个设置有摄像装置（５１、５４）的检测区（３０），用于检测各个布线图形（１４），并且探测基片上的所述布线图形的位置。设置一个引入辊（３１、３２），把基片引入检测区中。与该引入辊相连的是引出辊（３２、３３），该引出辊把基片从检测区中拉出。设置一个控制器（６０），基于摄像装置探测的位置信号控制通过检测区的基片的位置，该位置信号指示在检测区中基片上的各个布线图形的位置。
[A26166-0399-0006、基片的电镀装置和电镀方法以及电解处理方法及其装置
摘要、本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。
[A26166-0341-0007、基片干燥装置
摘要、对于所提出的通过紫外线照射干燥基片盘（３）的设备，其中在照射过程期间，一个玻璃板（１１）放置在基片盘（３）上利用简单的技术手段和采用简单的设备操作，通过一个升降的上部（６）得到或自行得到低废品率和成品基片盘的高品质，上部要落到放置在下部（２３）上的基片盘（３）上。
[A26166-0513-0008、具阳极酸化皮膜层的铝质相片基片
摘要、一种具有阳极酸化皮膜层的铝质相片基片。为提供一种能使相片耐温、耐湿、不褪色、不变质而能长期保存的相片基片，提出本实用新型，它由铝板和感光乳剂层组成铝板表面为一层具有无数纤细毛细孔的阳极磁化皮膜层；感光乳剂层渗敷在纤细的毛细孔内底的铝板上。
[A26166-0559-0009、带有抗蚀膜的基片的制造方法
摘要、带有抗蚀膜的基片的制造方法，在使抗蚀剂(21)通过涂覆喷嘴(22)的上端部接触被涂覆面(10a)后，使涂覆喷嘴(22)的上端部与被涂覆面(10a)的间隔(G)小于已进行接触的抗蚀剂(21)从被涂覆面(10a)收缩的收缩间隔，并大于等于该收缩间隔的50％。由此，即使在使用通称为“CAP涂覆机”的涂覆装置进行抗蚀剂的涂覆的情况下，也能减小涂覆膜的膜厚分布，提高由所涂覆的抗蚀剂形成的抗蚀膜的膜厚均匀性。
[A26166-0015-0010、在硅基片上形成通孔或凹陷的方法
摘要、通过向硅基片照射激光束而在其一面上形成有导电图形的硅基片中形成通孔或凹陷的方法，该方法包括以下步骤，在硅基片的一侧形成用于保护导电图形的防护膜，在包括防护膜顶部硅基片的整个表面上形成附着在防护膜上的金属电镀膜，向由防护膜及金属电镀膜覆盖的硅基片预定位置照射激光束，以便在硅基片中形成通孔或凹陷，剥离金属电镀膜并清除围绕通孔或凹陷开口周边金属电镀膜上的碎片，这些碎片是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的，并使用不损坏防护膜的清除溶液，清除通孔或凹陷内壁上的沉积物，它们是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的。
[A26166-0328-0011、输送基片机械抛光研磨悬浮液的设备和方法
[A26166-0350-0012、在基片上形成像素的方法
[A26166-0488-0013、基片集成波导谐振式缝隙阵列圆极化天线
[A26166-0633-0014、圆盘状基片的制造方法以及光盘制造方法与光盘制造装置
[A26166-0556-0015、磁存储装置与磁基片
[A26166-0224-0016、制备陶质多层基片的方法，[A26166-0455-0017、多晶硅基片结晶度的测量方法及其应用
[A26166-0729-0018、薄膜晶体管、TFT基片和液晶显示器
[A26166-0261-0019、强电流流动电路基片及其组合单元和它们的制造方法
[A26166-0544-0020、包含透明基片和漫射层的漫射薄膜
[A26166-0460-0021、用于实现与材料复合动作的基片及其制备方法和工作设备
[A26166-0303-0022、感光绝缘膏和厚膜多层电路基片
[A26166-0009-0023、活化高能射线束硬化型导电糊、导体电路基片的制造方法及装置以及非接触式ID及其制造方法
[A26166-0141-0024、微电子线路用陶瓷基片及其15542181913
[A26166-0150-0025、一种顶部基片连接的CMOS集成电路及其制造方法
[A26166-0125-0026、制作发光面板基片的透明多晶体
[A26166-0198-0027、半导体器件的基片及其制造方法，及半导体器件、卡式组件、信息存储器件
[A26166-0739-0028、用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
[A26166-0638-0029、用于制造铜陶瓷复合基片的方法
[A26166-0742-0030、基片处理过程中用于消除废白粉的装置
[A26166-0425-0031、电路基片及其制造方法和显示装置
[A26166-0616-0032、显示基片、显示器、滤色器基片、液晶显示器及制造方法
[A26166-0604-0033、基片组合设备和方法
[A26166-0079-0034、电光屏用基片及其制造方法和电光屏及相关电器
[A26166-0133-0035、具有两个溅镀用阴极的、用于对平的基片进行镀膜的设备
[A26166-0175-0036、高孔率刮浆法烧结镍基片的制造方法，[A26166-0052-0037、透明涂膜基片、形成透明膜用的涂液及显示装置
[A26166-0418-0038、具有压紧基片装置的芯片焊接器和，或引线结合器
[A26166-0642-0039、胶冻切割成型法生产高性能氧化铝系陶瓷基片的生产工艺
[A26166-0530-0040、压电传感器的基片
[A26166-0297-0041、在基片上直接进行电子器件的注射封铸
[A26166-0034-0042、真空室内在线更换基片的装置
[A26166-0070-0043、基片处理装置
[A26166-0370-0044、多层集成式基片和多层陶瓷元件的制造方法
[A26166-0026-0045、腐蚀剂和具有用腐蚀剂蚀刻之铜线的阵列式基片
[A26166-0095-0046、用于切割非金属基片的方法
[A26166-0296-0047、多晶硅的制造方法和装置以及太阳能电池用硅基片的制造方法
[A26166-0449-0048、用于层压基片组件的方法和装置
[A26166-0753-0049、一种特别适用于光学、电子学或光电子学器件的基片加工方法和由该方法获得的基片
[A26166-0193-0050、带有互连引线的电路基片及其制造工艺
[A26166-0003-0051、基片传送装置
[A26166-0566-0052、证卡护膜基片
[A26166-0205-0053、制造涂敷有颗粒的基片的方法和装置，以及所制成的这种基片
[A26166-0529-0054、一种基片清洗装置
[A26166-0510-0055、用于溅射设备中的多基片、多功能载片机构
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[A26166-0148-0058、可改善洗涤性能的含有洗衣洗涤剂并涂有法污聚合物的基片
[A26166-0698-0059、有源矩阵基片、具有该基片的液晶显示装置和该基片的制造方法
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[A26166-0163-0298、腐蚀多孔硅用的腐蚀液、使用该腐蚀液的腐蚀方法及用该腐蚀液制作半导体基片的方法
[A26166-0200-0299、真空镀膜设备的基片支架
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摘要、本发明涉及一种光学元件安装用基片。本发明的目的在于提供一种克服以往的对于频率超过10GHz的信号，难以形成图11的形态结构的光学元件安装用基片。此外，提供一种克服以往的难以得到不容易发生基片翘曲、特别是不容易助长因温度变动引起的基片的翘曲的结构的光学元件安装用基片。本发明的光学元件安装用基片为，具有：硅基片和在上述硅基片上的第一电介质基片与第二电介质基片，在上述第一基片上具有上述激光二极管的设置部、上述配线、上述光电二极管的设置部，在上述硅基片上具有上述透镜或上述光纤的设置部。
[A26166-0104-0002、用于电池的电极基片及其制备方法
摘要、公开了一种电池用电极基片，用作电池收集极中所用活性物质的载体，包含一种金属多孔结构，该结构具有孔隙率不低于90％的互连孔，每厘米孔数不低于10，且具有Fe，Ni双层结构，其中Fe构成组成该多孔结构的多孔体骨架的内层，骨架表面部分用Ni涂覆。优选构成骨架内层的Fe的纯度不低于98％（重量）且Fe含量不大于10%(重量)的镍涂层厚度为0.1—10μm。通过使用多孔树脂作基体形成Fe金属多孔体、用Ni对该金属多孔体进行电镀、热处理该电镀体将Fe扩散层厚度与Ni涂层厚度之比调节到不大于0.65。
[A26166-0060-0003、从废弃光盘中回收聚碳酸酯基片的方法，本发明属于对废弃光盘的处理技术，特别涉及从废弃光盘中回收聚碳酸酯基片的方法。将废弃光盘放入酸或碱清洗液中，在较高温度和，或超声波作用下，利用酸或碱清洗液使UV保护层破裂成碎片，并与金属膜分离金属膜溶于酸或碱清洗液中，得到光盘的基片，所述的酸或碱清洗液的浓度是1wt％以上。该技术无污染物排放，不仅彻底解决了光盘压碎填埋或焚烧产生环境污染问题，而且回收了可用资源。
[A26166-0393-0004、有源矩阵基片、显示装置及制造有源矩阵基片的方法
摘要、所公开的是一种有源矩阵基片，通过把栅绝缘膜和ITO膜沉积在导线上使该基片能防止引出线腐蚀等问题，而又不增加图案形成过程的次数，提高制造过程的生产量及可靠性。本发明包括源极和漏极，它们沉积在绝缘基片上并彼此分开一个预先确定的间隙；沉积在源极和漏极上的a－Si层；沉积在a－Si层上的栅绝缘膜；沉积在栅绝缘膜上的栅极；以及具有第1和第2部分的ITO膜，这第1部分覆盖在栅极上，其图案与栅极图案基本相同，这第2部分沉积在或者是源极或者是漏极上并构成像素电极；以及与漏极相连的数据线，它由栅绝缘膜覆盖，从而使a－Si膜介入这二者之间。
[A26166-0312-0005、用于检测柔性材料连续基片上分离布线图形的检测系统
摘要、一种通过利用基片作为进料输送器检测柔性材料连续基片上形成的分离布线图形的检测系统。该检测系统包括一个设置有摄像装置（５１、５４）的检测区（３０），用于检测各个布线图形（１４），并且探测基片上的所述布线图形的位置。设置一个引入辊（３１、３２），把基片引入检测区中。与该引入辊相连的是引出辊（３２、３３），该引出辊把基片从检测区中拉出。设置一个控制器（６０），基于摄像装置探测的位置信号控制通过检测区的基片的位置，该位置信号指示在检测区中基片上的各个布线图形的位置。
[A26166-0399-0006、基片的电镀装置和电镀方法以及电解处理方法及其装置
摘要、本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。
[A26166-0341-0007、基片干燥装置
摘要、对于所提出的通过紫外线照射干燥基片盘（３）的设备，其中在照射过程期间，一个玻璃板（１１）放置在基片盘（３）上利用简单的技术手段和采用简单的设备操作，通过一个升降的上部（６）得到或自行得到低废品率和成品基片盘的高品质，上部要落到放置在下部（２３）上的基片盘（３）上。
[A26166-0513-0008、具阳极酸化皮膜层的铝质相片基片
摘要、一种具有阳极酸化皮膜层的铝质相片基片。为提供一种能使相片耐温、耐湿、不褪色、不变质而能长期保存的相片基片，提出本实用新型，它由铝板和感光乳剂层组成铝板表面为一层具有无数纤细毛细孔的阳极磁化皮膜层；感光乳剂层渗敷在纤细的毛细孔内底的铝板上。
[A26166-0559-0009、带有抗蚀膜的基片的制造方法
摘要、带有抗蚀膜的基片的制造方法，在使抗蚀剂(21)通过涂覆喷嘴(22)的上端部接触被涂覆面(10a)后，使涂覆喷嘴(22)的上端部与被涂覆面(10a)的间隔(G)小于已进行接触的抗蚀剂(21)从被涂覆面(10a)收缩的收缩间隔，并大于等于该收缩间隔的50％。由此，即使在使用通称为“CAP涂覆机”的涂覆装置进行抗蚀剂的涂覆的情况下，也能减小涂覆膜的膜厚分布，提高由所涂覆的抗蚀剂形成的抗蚀膜的膜厚均匀性。
[A26166-0015-0010、在硅基片上形成通孔或凹陷的方法
摘要、通过向硅基片照射激光束而在其一面上形成有导电图形的硅基片中形成通孔或凹陷的方法，该方法包括以下步骤，在硅基片的一侧形成用于保护导电图形的防护膜，在包括防护膜顶部硅基片的整个表面上形成附着在防护膜上的金属电镀膜，向由防护膜及金属电镀膜覆盖的硅基片预定位置照射激光束，以便在硅基片中形成通孔或凹陷，剥离金属电镀膜并清除围绕通孔或凹陷开口周边金属电镀膜上的碎片，这些碎片是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的，并使用不损坏防护膜的清除溶液，清除通孔或凹陷内壁上的沉积物，它们是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的。
[A26166-0328-0011、输送基片机械抛光研磨悬浮液的设备和方法
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