坩埚、坩埚下降、加热钼坩埚、坩埚拉丝及生产工艺技术
0085-0001、 掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法
摘要、 一种掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法其特是包括以下步骤：将Yb：YAG晶体放入盛有纯钇铝石榴石碎晶体的氧化铝坩埚中，该坩埚盖半开启，一并放入马弗炉中；马弗炉以小于50℃/小时的速率升温，升温至1000℃——1300℃；恒温48小时；以小于30℃/小时的速率降至室温，取出Yb：YAG晶体。经本发明方法退火，晶体中不存在散射颗粒，晶体应力完全消失，激光性能和光学性能都有提高。
0068-0002、 提高TiAl合金抗高温氧化的铬改性铝化物涂层的制备
摘要、 一种提高TiAl合金抗高温氧化的铬改性铝化物涂层的制备该涂层由铝67、钛25和铬8组成，其制备工艺采用包埋渗的方法制备其方法是：先按量准确称取渗剂，渗剂的配比按重量百分比为：8-12％铝，25-35％铬1-3％氯化钠，2-4％氯化氨，其余为三氧化二铝；将称取好的渗剂进行研磨和搅拌；将充分混合好的渗剂置于温度为110℃的烘箱中进行烘干；把烘干过的渗剂装入坩埚，并把试样埋入渗剂中，再将坩埚置入高温电阻炉后通入干燥氩气，加热到1100℃，通过控制时间，实现在TiAl合金表面制备不同厚度的铬改性铝化物涂层。
0133-0003、 煤质工业分析综合测定方法及其分析仪
一种煤质工业分析综合测定方法及分析仪，分析仪包含测试水分灰分的井形炉和由圆柱形炉与井形炉相结合的挥发分测试炉，圆柱形炉内装可升降的送样杆，井形炉内装可升降、旋转安置试样坩埚的托样盘与电子天平；电脑经控制电路控制测试炉内运动部件动作和炉温，测定方法是同时将煤样坩埚分别放在两炉中托样盘上，在井形炉内通氮气加热105℃-110℃至质量恒定，测算出水分百分含量，再改通氧气加热至815℃±10℃直到质量恒定，测算出灰分产率。同时挥发分测试炉的圆柱炉加热900℃±10℃，7min，测定挥发分产率；最后根据测定的数据由电脑计算出煤样固定炭含量。本发明优点是能自动完成煤炭、焦炭等有机物的水分、灰分、挥发分、固定炭的测试与存储、打印测试结果。测试无需人工置守，速度快、效率高。
0140-0004、 覆盖电子元件的保护膜的形成方法及有保护膜的电子仪器
摘要、 提供能够有效地密封例如装载于基板的一面上的有机EL元件的保护膜的形成方法。与装载于透明基板(1)的一面上的有机EL元件(2)对置地配置作为蒸发源的坩埚(15a)～(15c)。此外，准备具有与有机EL元件(2)对应的开口部(11a)的掩膜(11)，该掩膜(11)配置在基板(1)与坩埚(15)之间。阶段性地增大掩膜(11)相对于前述基板(1)的位置的同时，选择来自于坩埚(15a)～(15c)并被蒸发的材料。由此，形成覆盖有机EL元件(2)的第1层保护膜(21)和在该第1层保护膜上更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜(22)，进而同样形成第3层以上的保护膜。
0074-0005、 一种制备纳米粉体材料新方法
摘要、 一种制备纳米粉体材料新方法最适用于碳化物、氮化物及部分金属粉体的制备。其方法是先对反应器抽真空，然后充入保护气体或反应气体，在反应器中设置石墨电极，在石墨电极与反应器坩埚中的金属之间通电，使之产生高温碳电弧，由高温电弧产生金属蒸汽。采用保护气体可以生产出由石墨原子包覆的纳米镍粉、铜粉、废铝渣粉等不易团聚的金属纳米粉末；采用反应气体可以生产碳化物、氮化物纳米粉末。与现有技术相比，生产的纳米粉末不易团聚，具有成本低电弧功率大可以实现规模化生产，具有广泛的实用性。
0096-0006、 晶态电致发光材料及其制备方法
摘要、 晶态电致发光材料及其制备方法属于电致发光无机材料科学领域。晶态电致发光材料，一般表示式ZnS：xCu·yMn，粒径尺度d，90，＝30～68μm，制备方法包括激活剂与助剂的混合溶液的配制，激活剂为CuCl2CuSO4CuBr2MnCl2的一种或多种，助剂为NaCl，MgCl2BaCl2的一种或多种，混合溶液与ZnS粉体混匀，再加入固体硫粉末，混合料装入高纯氧化铝坩埚内，于1100℃～1150℃保温2.5～3.5小时，自然冷却，得发光材料半成品，再进行二次烧成，得产品。本发明电致发光材料具有大颗粒圆球状结构，并具有晶格形态完整，发光中心清晰的特点可用于生产高亮度长寿命交流电致发光器件领域。
0159-0007、 一种板式铂金搅拌器
摘要、 一种光学玻璃用的铂金搅拌器，由搅拌杆、框架和板叶组成。板叶的板面与搅拌杆和框架组成的平面间的夹角在３０°～６０°之间。应用此种搅拌器进行光学玻璃单坩埚熔炼和连续熔炼。在提高转速时，玻璃液上下大循环，均化效果提高了三分之一。在低速转动时，翻动力减小，上部框架推动玻璃液围绕中心线水平转动，保持表面层挥发条纹不乱，玻璃液按层次漏出大大提高成品率，而且板叶下方无叶桨那样的搅拌条纹有利于提高成品率。
0014-0008、 双流向玻璃坩埚炉
摘要、 本发明是双流向玻璃坩埚炉。炉板上方的炉膛内构成灰层、火层、煤层和空层，炉膛上方的预燃喷火口和熔化室构成燃烧室。完成熔化玻璃后通过第一层烟道、第二层烟道、第三层烟道和烟道热置换器，由烟囱把废气排除，即顺向流向。本发明设计合理，结构简单，顺向排废气，逆向回收热能，炉温稳定，提高窑炉的寿命。降低煤耗，确保料质正常。节约大量能源，煤灰中可燃物降低到2％以下，不污染环境，使用中烟囱不冒黑烟，依照《锅炉烟尘测试方法》GB5468-91的规定进行检测各项指标符合《工业窑炉大气污染物排放标准》GB9078-1996中的规定标准。提高了熔化温度能熔化高硼玻璃和铅玻璃，应用范围广可应用于不同行业的窑炉。
0162-0009、 氧化物粉末焙烧装置
摘要、 一种氧化物粉末焙烧装置由耐热不锈钢炉罐、陶瓷坩埚和其它由氧化铌陶瓷制成的炉内构件组成，由外部电热体加热进行焙烧，焙烧过程中由物料中逸出的气体或蒸汽不与炉罐接触，与炉罐接触过的气体或蒸汽不与坩埚中的物料接触，且有气体或蒸汽穿过坩埚内待焙物料，强化焙烧效果。因而适合于焙烧有酸、碱气体或蒸汽产生的氧化物粉末，制取高纯氧化物。
0094-0010、 用于拉制玻璃纤维的坩埚
摘要、 本发明涉及一种用于拉制玻璃纤维的坩埚及其应用。该坩埚由选自铂、铂-铱合金、铂-钌合金和铂-铑合金中的至少两种不同金属材料制成，这样(a)侧壁由铂或铂-铱合金或铂-钌合金或铂-铑合金制成，(b)喷丝头由铂或铂-铑合金制成，(c)电源接线由铂或铂-铑合金制成，和(d)漏板由铂或铂-铱合金或铂-钌合金或铂-铑合金制成，并且这样，如果侧壁和漏板由铂-铱或铂-钌合金制成，那么它们至少在它们的外表面上有铂或铂-铑合金的包覆层。
0077-0011、 硫镓银多晶体的制备方法与装置
0080-0012、 制造高掺杂硅单晶的方法
0072-0013、 锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法
0092-0014、 人工晶体生长连续加料装置
0040-0015、 直拉硅单晶炉热场的气流控制方法及装置
0061-0016、 用旋转坩锅与熔盐提拉法相结合的方法生长LiB#-[3、O#-[5、非线性...
0052-0017、 拉制多组分玻璃光纤的多孔双坩埚拉丝系统
0111-0018、 速凝、电磁振动雾化制金属与合金粉末的方法与设备
0024-0019、 一种熔体近快速凝固方法及专用设备
0022-0020、 棒状多晶GaN及其二步制备方法
0078-0021、 碳化钨铝固溶体粉末的高温固相反应制备方法
0042-0022、 钒酸钇晶体材料的制备方法
0051-0023、 一种拉制单晶时加快多晶原料熔化法及底部发热体装置
0025-0024、 陶瓷釉用耐高温硫硒化镉大红色料及其制造方法
0112-0025、 六钛酸钾晶须的制备方法
0031-0026、 多风道消烟坩埚窑炉的砌筑方法
0136-0027、 近化学计量比铌酸锂单晶的生长方法
0128-0028、 LaNi#-[5、基无钴贮氢合金电极材料及其制备方法
0066-0029、 真空感应电弧熔炼快冷快淬炉
0028-0030、 金属熔液蒸馏装置
0101-0031、 一种耐高温耐磨损高强度合金的制备方法
0064-0032、 真空感应熔炼Ti-Ni及Ti-Ni-Nb形状记忆合金的工艺
0034-0033、 熔融金属处理炉
0084-0034、 一种晶体生长的坩埚安置法
0129-0035、 金属间化合物
0069-0036、 一种用于镁合金熔炼的坩埚及其制备工艺
0067-0037、 一种单基发白光的长余辉磷光体及其制备方法
0020-0038、 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台
0023-0039、 生产圆球的设备
0121-0040、 γ-LiAlO#-[2、/α-Al#-[2、O#-[3、复合衬底材料的制...
0147-0041、 有机薄膜形成设备用加热坩埚
0010-0042、 制造旋转对称的石英玻璃坩埚的方法和装置
0113-0043、 具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶及制备方法
0170-0044、 可倾式节能电阻熔炼炉
0107-0045、 用于拉晶装置的热屏蔽组件
0008-0046、 铌锌酸铅钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长
0073-0047、 铝合金熔体过热处理方法
0116-0048、 含氧分析装置和含氧分析方法
0071-0049、 镁合金压铸机熔炉结构
0059-0050、 用旋转坩锅与熔盐提拉法相结合的方法生长RE#+[3+、:KGd(WO#-...
0041-0051、 薄膜沉积用分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法
0108-0052、 高熔点触变金属坯料及复合材料间歇制备工艺及设备
0099-0053、 一种测定非牛顿粘性流体流变特性的仪器
0167-0054、 电子轰击炉的给料装置
0120-0055、 ZnAl#-[2、O#-[4、/α-Al#-[2、O#-[3、复合衬底材...
0124-0056、 改善金属凝固组织的功率超声导入法
0142-0057、 稀土超磁致伸缩材料一步法制备工艺及设备和制备的产品
0130-0058、 一种锡锌基无铅钎料合金及其制备工艺
0163-0059、 金属电弧熔炼锤砧装置
0044-0060、 一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法及其装置
0047-0061、 高镧混合稀土金属丝、棒及含铝、钡、钙、镁的稀土合金丝、棒的生产方法
0125-0062、 制备纳米氧化锌或纳米复合氧化锌的方法及其设备
0132-0063、 生长球冠形异型晶体用组合式坩埚
0157-0064、 氮化硅涂层坩埚
0057-0065、 一种Ti#-[3、AlC#-[2、复合材料增强剂的制备方法
0171-0066、 彩条玻璃器皿机械化自动化生产用坩埚
0098-0067、 铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法
0150-0068、 石英玻璃的构造元件及其制造方法
0086-0069、 合金快冷厚带设备和采用该设备的制备方法及其产品
0105-0070、 分离单晶硅埚底料中石英的工艺
0168-0071、 高效坩埚
0017-0072、 硅锭块生长装置
0158-0073、 一种空心阴极放电离子镀刀具装置
0091-0074、 熔盐提拉法生长BBO晶体
0075-0075、 利用快速冷却技术制备块体金属玻璃的方法
0079-0076、 耐磨钢球的生产工艺
0083-0077、 一种制备TbDyFe基合金定向凝固晶体的方法
0103-0078、 工业分析仪试样保温干燥方法及装置
0045-0079、 一种提高直拉硅单晶棒中氧含量的方法及增氧器
0021-0080、 灰的熔化装置
0046-0081、 一种石墨坩埚具高温复合阻碳涂层
0152-0082、 磁控熔炼非自耗电极电弧炉
0060-0083、 用中部籽晶与旋转坩锅熔盐法相结合的方法生长Yb#+[3+、；Nd#+[3...
0013-0084、 焊接装置和方法
0070-0085、 金属线材单晶化方法与设备
0090-0086、 石英熔融炉和石英件的制造方法
0102-0087、 玻璃提纯的方法和设备
0058-0088、 硼磷酸钠晶体的熔体生长方法
0151-0089、 制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法
0065-0090、 中频感应炉混熔电池级混合稀土金属工艺方法
0003-0091、 蒸镀用坩埚
0131-0092、 球冠形异型晶体的生长方法
0117-0093、 发光元件及其制造方法
0062-0094、 红色长余辉材料的制备方法
0144-0095、 一种定向凝固法制备铌镁酸铅-钛酸铅压电陶瓷技术
0114-0096、 由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置
0035-0097、 镁合金除硅熔剂及生产方法
0095-0098、 表面改性的石英玻璃坩埚及其改性方法
0135-0099、 大面积晶体的温梯法生长装置及其生长晶体的方法
0054-0100、 一种高铬超纯铁素体不锈钢真空感应冶炼方法
0053-0101、 一种钛铝合金真空感应熔炼技术
0016-0102、 掺铈铝酸镥铝酸钇的复合闪烁晶体材料及其制备方法
0154-0103、 一种高温熔铜电炉
0056-0104、 金属铸造用装置以及利用该装置的金属铸造方法
0148-0105、 石英玻璃物质的增强方法及增强的石英玻璃坩埚
0007-0106、 用于拉晶的方法和设备
0048-0107、 单晶制造方法
0169-0108、 多功能医用真空铸钛炉
0039-0109、 硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术
0005-0110、 镁、铝合金反重力真空消失模铸造方法及其设备
0018-0111、 生长金红石晶体的方法
0119-0112、 生长高温氧化物晶体用组合式坩埚
0081-0113、 具有过热性质种膜作籽晶液相外延生长超导厚膜材料
0050-0114、 石英玻璃坩埚的表面改质方法和表面改质坩埚
0032-0115、 多用消烟坩埚窑炉及砌筑方法
0093-0116、 环状电弧生产石英玻璃坩埚的工艺和装置及石英玻璃坩埚
0082-0117、 磁性石榴石材料、法拉第转子、光器件、铋置换稀土类铁榴石单晶膜及制法、坩埚
0149-0118、 石英玻璃与熔硅的反应性及熔硅表面处的振动的评估工艺
0036-0119、 坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅－钛酸铅单晶
0138-0120、 石英玻璃坩埚的重整方法
0153-0121、 平行场空心阴极电子枪
0141-0122、 一种轻质耐高温钛铝基合金排气门的制备方法
0001-0123、 工业离心机深床过滤铝熔体中夹杂物的设备
0009-0124、 离子源蒸发器
0055-0125、 由多孔性硅石玻璃坯体制造具有结晶区的硅石玻璃坩埚的方法
0139-0126、 一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长技术
0143-0127、 大尺寸硼磷酸锶非线性光学晶体及其生长方法和用途
0165-0128、 多用途夹持钳
0026-0129、 电子束物理气相沉积制备软磁与陶瓷纳米复合薄膜
0006-0130、 生产纳米金属粉装置
0115-0131、 碳硫坩埚免预处理技术包装工艺
0161-0132、 蛇形管内加热式坩埚式电阻炉
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0122-0134、 镁合金锆化合物除硅熔剂及其生产方法
0004-0135、 用涂有非晶玻璃釉的金属钢管内加热器融化工业纯锌的方法
0160-0136、 石墨坩埚压力成型机
0134-0137、 一种硒化锌（ZnSe）粉末材料的制备方法
0076-0138、 中红外区GeO#-[2、-SiO#-[2、基反常色散玻璃及其制备方法
0106-0139、 用废玻璃生产玻璃纤维纱的方法
0104-0140、 一种在高硼硅玻璃管壁内产生有色线条的装置
0100-0141、 一种高强度高耐磨镍基合金的制备方法
0118-0142、 高锌铝稀土镁合金
0043-0143、 氢气氛中使用感应加热钼坩埚提拉法生长蓝宝石晶体
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0137-0159、 大块非晶合金连续铸轧技术
0015-0160、 镁合金熔炼炉
0087-0161、 低熔点熔体作密封物质防止氧化铅挥发的方法
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0155-0163、 低压铸造用工频感应保温炉
0012-0164、 生产纳米金属粉工业装置
0109-0165、 一种镁锰中间合金及其制备方法
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0089-0168、 Yb:YAG激光晶体的生长方法
0146-0169、 具有喷注坩埚致动器的注射模制机
0127-0170、 加热坩埚和采用此加热坩埚的沉积装置
0011-0171、 碳化硅晶体生长的方法和装置
0172-0172、 中、小型节能矿热炉
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摘要、 一种掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法其特是包括以下步骤：将Yb：YAG晶体放入盛有纯钇铝石榴石碎晶体的氧化铝坩埚中，该坩埚盖半开启，一并放入马弗炉中；马弗炉以小于50℃/小时的速率升温，升温至1000℃——1300℃；恒温48小时；以小于30℃/小时的速率降至室温，取出Yb：YAG晶体。经本发明方法退火，晶体中不存在散射颗粒，晶体应力完全消失，激光性能和光学性能都有提高。
0068-0002、 提高TiAl合金抗高温氧化的铬改性铝化物涂层的制备
摘要、 一种提高TiAl合金抗高温氧化的铬改性铝化物涂层的制备该涂层由铝67、钛25和铬8组成，其制备工艺采用包埋渗的方法制备其方法是：先按量准确称取渗剂，渗剂的配比按重量百分比为：8-12％铝，25-35％铬1-3％氯化钠，2-4％氯化氨，其余为三氧化二铝；将称取好的渗剂进行研磨和搅拌；将充分混合好的渗剂置于温度为110℃的烘箱中进行烘干；把烘干过的渗剂装入坩埚，并把试样埋入渗剂中，再将坩埚置入高温电阻炉后通入干燥氩气，加热到1100℃，通过控制时间，实现在TiAl合金表面制备不同厚度的铬改性铝化物涂层。
0133-0003、 煤质工业分析综合测定方法及其分析仪
一种煤质工业分析综合测定方法及分析仪，分析仪包含测试水分灰分的井形炉和由圆柱形炉与井形炉相结合的挥发分测试炉，圆柱形炉内装可升降的送样杆，井形炉内装可升降、旋转安置试样坩埚的托样盘与电子天平；电脑经控制电路控制测试炉内运动部件动作和炉温，测定方法是同时将煤样坩埚分别放在两炉中托样盘上，在井形炉内通氮气加热105℃-110℃至质量恒定，测算出水分百分含量，再改通氧气加热至815℃±10℃直到质量恒定，测算出灰分产率。同时挥发分测试炉的圆柱炉加热900℃±10℃，7min，测定挥发分产率；最后根据测定的数据由电脑计算出煤样固定炭含量。本发明优点是能自动完成煤炭、焦炭等有机物的水分、灰分、挥发分、固定炭的测试与存储、打印测试结果。测试无需人工置守，速度快、效率高。
0140-0004、 覆盖电子元件的保护膜的形成方法及有保护膜的电子仪器
摘要、 提供能够有效地密封例如装载于基板的一面上的有机EL元件的保护膜的形成方法。与装载于透明基板(1)的一面上的有机EL元件(2)对置地配置作为蒸发源的坩埚(15a)～(15c)。此外，准备具有与有机EL元件(2)对应的开口部(11a)的掩膜(11)，该掩膜(11)配置在基板(1)与坩埚(15)之间。阶段性地增大掩膜(11)相对于前述基板(1)的位置的同时，选择来自于坩埚(15a)～(15c)并被蒸发的材料。由此，形成覆盖有机EL元件(2)的第1层保护膜(21)和在该第1层保护膜上更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜(22)，进而同样形成第3层以上的保护膜。
0074-0005、 一种制备纳米粉体材料新方法
摘要、 一种制备纳米粉体材料新方法最适用于碳化物、氮化物及部分金属粉体的制备。其方法是先对反应器抽真空，然后充入保护气体或反应气体，在反应器中设置石墨电极，在石墨电极与反应器坩埚中的金属之间通电，使之产生高温碳电弧，由高温电弧产生金属蒸汽。采用保护气体可以生产出由石墨原子包覆的纳米镍粉、铜粉、废铝渣粉等不易团聚的金属纳米粉末；采用反应气体可以生产碳化物、氮化物纳米粉末。与现有技术相比，生产的纳米粉末不易团聚，具有成本低电弧功率大可以实现规模化生产，具有广泛的实用性。
0096-0006、 晶态电致发光材料及其制备方法
摘要、 晶态电致发光材料及其制备方法属于电致发光无机材料科学领域。晶态电致发光材料，一般表示式ZnS：xCu·yMn，粒径尺度d，90，＝30～68μm，制备方法包括激活剂与助剂的混合溶液的配制，激活剂为CuCl2CuSO4CuBr2MnCl2的一种或多种，助剂为NaCl，MgCl2BaCl2的一种或多种，混合溶液与ZnS粉体混匀，再加入固体硫粉末，混合料装入高纯氧化铝坩埚内，于1100℃～1150℃保温2.5～3.5小时，自然冷却，得发光材料半成品，再进行二次烧成，得产品。本发明电致发光材料具有大颗粒圆球状结构，并具有晶格形态完整，发光中心清晰的特点可用于生产高亮度长寿命交流电致发光器件领域。
0159-0007、 一种板式铂金搅拌器
摘要、 一种光学玻璃用的铂金搅拌器，由搅拌杆、框架和板叶组成。板叶的板面与搅拌杆和框架组成的平面间的夹角在３０°～６０°之间。应用此种搅拌器进行光学玻璃单坩埚熔炼和连续熔炼。在提高转速时，玻璃液上下大循环，均化效果提高了三分之一。在低速转动时，翻动力减小，上部框架推动玻璃液围绕中心线水平转动，保持表面层挥发条纹不乱，玻璃液按层次漏出大大提高成品率，而且板叶下方无叶桨那样的搅拌条纹有利于提高成品率。
0014-0008、 双流向玻璃坩埚炉
摘要、 本发明是双流向玻璃坩埚炉。炉板上方的炉膛内构成灰层、火层、煤层和空层，炉膛上方的预燃喷火口和熔化室构成燃烧室。完成熔化玻璃后通过第一层烟道、第二层烟道、第三层烟道和烟道热置换器，由烟囱把废气排除，即顺向流向。本发明设计合理，结构简单，顺向排废气，逆向回收热能，炉温稳定，提高窑炉的寿命。降低煤耗，确保料质正常。节约大量能源，煤灰中可燃物降低到2％以下，不污染环境，使用中烟囱不冒黑烟，依照《锅炉烟尘测试方法》GB5468-91的规定进行检测各项指标符合《工业窑炉大气污染物排放标准》GB9078-1996中的规定标准。提高了熔化温度能熔化高硼玻璃和铅玻璃，应用范围广可应用于不同行业的窑炉。
0162-0009、 氧化物粉末焙烧装置
摘要、 一种氧化物粉末焙烧装置由耐热不锈钢炉罐、陶瓷坩埚和其它由氧化铌陶瓷制成的炉内构件组成，由外部电热体加热进行焙烧，焙烧过程中由物料中逸出的气体或蒸汽不与炉罐接触，与炉罐接触过的气体或蒸汽不与坩埚中的物料接触，且有气体或蒸汽穿过坩埚内待焙物料，强化焙烧效果。因而适合于焙烧有酸、碱气体或蒸汽产生的氧化物粉末，制取高纯氧化物。
0094-0010、 用于拉制玻璃纤维的坩埚
摘要、 本发明涉及一种用于拉制玻璃纤维的坩埚及其应用。该坩埚由选自铂、铂-铱合金、铂-钌合金和铂-铑合金中的至少两种不同金属材料制成，这样(a)侧壁由铂或铂-铱合金或铂-钌合金或铂-铑合金制成，(b)喷丝头由铂或铂-铑合金制成，(c)电源接线由铂或铂-铑合金制成，和(d)漏板由铂或铂-铱合金或铂-钌合金或铂-铑合金制成，并且这样，如果侧壁和漏板由铂-铱或铂-钌合金制成，那么它们至少在它们的外表面上有铂或铂-铑合金的包覆层。
0077-0011、 硫镓银多晶体的制备方法与装置
0080-0012、 制造高掺杂硅单晶的方法
0072-0013、 锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法
0092-0014、 人工晶体生长连续加料装置
0040-0015、 直拉硅单晶炉热场的气流控制方法及装置
0061-0016、 用旋转坩锅与熔盐提拉法相结合的方法生长LiB#-[3、O#-[5、非线性...
0052-0017、 拉制多组分玻璃光纤的多孔双坩埚拉丝系统
0111-0018、 速凝、电磁振动雾化制金属与合金粉末的方法与设备
0024-0019、 一种熔体近快速凝固方法及专用设备
0022-0020、 棒状多晶GaN及其二步制备方法
0078-0021、 碳化钨铝固溶体粉末的高温固相反应制备方法
0042-0022、 钒酸钇晶体材料的制备方法
0051-0023、 一种拉制单晶时加快多晶原料熔化法及底部发热体装置
0025-0024、 陶瓷釉用耐高温硫硒化镉大红色料及其制造方法
0112-0025、 六钛酸钾晶须的制备方法
0031-0026、 多风道消烟坩埚窑炉的砌筑方法
0136-0027、 近化学计量比铌酸锂单晶的生长方法
0128-0028、 LaNi#-[5、基无钴贮氢合金电极材料及其制备方法
0066-0029、 真空感应电弧熔炼快冷快淬炉
0028-0030、 金属熔液蒸馏装置
0101-0031、 一种耐高温耐磨损高强度合金的制备方法
0064-0032、 真空感应熔炼Ti-Ni及Ti-Ni-Nb形状记忆合金的工艺
0034-0033、 熔融金属处理炉
0084-0034、 一种晶体生长的坩埚安置法
0129-0035、 金属间化合物
0069-0036、 一种用于镁合金熔炼的坩埚及其制备工艺
0067-0037、 一种单基发白光的长余辉磷光体及其制备方法
0020-0038、 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台
0023-0039、 生产圆球的设备
0121-0040、 γ-LiAlO#-[2、/α-Al#-[2、O#-[3、复合衬底材料的制...
0147-0041、 有机薄膜形成设备用加热坩埚
0010-0042、 制造旋转对称的石英玻璃坩埚的方法和装置
0113-0043、 具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶及制备方法
0170-0044、 可倾式节能电阻熔炼炉
0107-0045、 用于拉晶装置的热屏蔽组件
0008-0046、 铌锌酸铅钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长
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0059-0050、 用旋转坩锅与熔盐提拉法相结合的方法生长RE#+[3+、:KGd(WO#-...
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