坩埚、坩埚下降、坩埚盐浴、紫铜坩埚及生产工艺技术
0089-0001、 在一个带有离子源的电磁分离器中分离低天然浓度同位素的同位素的方法
摘要、 本发明涉及在带有离子源的电磁分离器中分离低天然浓度同位素的方法包括在离子源坩埚中放入待分离元素的加工物，加热加工物直到形成蒸气，在离子源的气体放电室中，在热阴极电子发射作用下将蒸气离子化，通过离子－光系统的电极形成离子束，在磁场中分离和形成同位素的离子束，用接收器的盒捕获离子，用X射线光谱分析定义同位素富集物含量增大的接收器盒中的区域，定位这些区域，先将富集物从这些区域中取出，然后进一步处理接收器盒的表面其余部分，包括同位素富集物含量减小的区域。本方法允许有效地分离化学元素的同位素并获得低天然浓度同位素的更高水平的富集。
0042-0002、 超音速火焰熔滴喷涂方法
摘要、 一种超音速火焰熔滴喷涂方法将块状的涂层材料散料，无需粉末或丝材，预先在坩埚中加热熔化，然后将所述熔化了的涂层材料的液滴匀速滴入ＨＶＯＦ喷枪枪管内，或滴到喷枪出口外，该液滴被前方来的高温高速燃气的焰流粉碎、雾化并加速喷涂到基体材料上，形成结合强度更高的致密涂层。该方法可使生产成本大大降低。
0056-0003、 在使用离子源的电磁分离器中分离钯同位素的方法
本发明涉及电磁分离钯同位素的技术。该方法包括将包含金属钯的工作物质放在与气体放电室结合的离子源的石墨坩埚中，加热工作物质成为蒸汽状态，在从热阴极放出电子的作用下在离子源的气体放电室中电离工作物质的蒸汽，通过离子－光学系统的电极形成离子束，在磁场中分离和聚束同位素离子束，用接受盒俘获离子，这样加热坩埚和气体放电室的温度保持在1500—1700℃。该方法能有效地用于工业上电磁分离钯同位素，并获得具有较高富集度的同位素：Pd－102、Pd－104、Pd－105、Pd－106、Pd－108和Pd－110。
0142-0004、 生长单晶坯料的装置
摘要、 一种生长单晶坯料的装置该装置具有一容器室，一石英坩埚设置在容器室内，石英坩埚用于生长置入坩埚内提拉的具有一定直径D的单晶坯料，石英坩埚被包裹在固定到转轴的坩埚支撑内，一围绕坩埚支撑的圆柱形加热器；一围绕圆柱形加热器的保温器，所述的保温器阻止由加热器辐射的热传递到所述容器室的壁内，热屏蔽包括设置在单晶坯料和坩埚之间的第一圆柱形屏蔽部分，连接到第一屏蔽部分的上部的第二法兰型屏蔽部分，和连接到第一屏蔽部分的下部并朝向坯料凸起的第三屏蔽部分。
0068-0005、 从合成硅石制取玻璃锭的方法和设备
摘要、 一种制造合成透明硅石锭的方法和设备包含在一耐熔炉子(31)里的一坩埚(35)内生产一种合成透明硅石熔融物和通过在坩埚壁上的一孔(40)连续拉出一硅石锭(43)。该硅石可由一合成燃烧器(33)沉积在坩埚里，该燃烧器还可用来使该硅石保持在其烧结温度之上。送出的硅石锭由可移动的夹具(44)所支撑。
0105-0006、 用多晶硅炉料制备硅熔体的方法
摘要、 一种用多晶硅炉料制备硅熔体的方法该硅熔体用于按照丘克拉斯基方法制取单晶硅锭。制备硅熔体所用的坩埚为底、侧壁结构，其中心线基本上平行于侧壁并截过底面几何中心点，半径为从中心线到侧壁的距离。本方法中，将块状多晶硅装入坩埚形成碗状炉料，其中炉料的初始形状是，通常沿径向从中心线向上向外朝着侧壁方向倾斜至坡顶，然后从坡顶向下向外倾斜至侧壁。加热碗形块状多晶硅炉料使之部分熔融，再在其上加入粒状多晶硅，形成块状和粒状多晶硅的混合料；继续加热混合多晶硅炉料使其形成硅熔体，而位于硅熔体表面上方的未熔块状多晶硅，在粒状多晶硅快速熔融并释放出氢时为可能飞溅的熔融硅导流。
0084-0007、 大尺寸高温相硼磷酸锌非线性光学晶体及制法和用途
摘要、 本发明涉及一种从Zn3BPO，7，熔体中生长的大尺寸高质量高温相硼磷酸锌β－Zn3BPO，7，单晶及制法和该晶体制作的非线性光学器件的用途。该晶体具有至少厘米级的大尺寸，晶体透光波段250nm至2500nm非线性系数d，22，≈0.69pm/V；该晶体是负单轴晶(n，o，＞n，e，)；莫氏硬度为5.0。该方法用化合物熔体法生长晶体，在坩埚内放入配置好并预处理的原料，将该原料熔化，在熔体表面或熔体中生长晶体。该晶体的用途包括制作倍频发生器、上或下频率转换器，光参量振荡器。该晶体熔体粘度比一般的硼酸盐低，利于质量传输，晶体极易长大且透明无包裹，具有不需要使用助熔剂，操作简单，生长速度快，成本低等优点。
0146-0008、 高温合金真空感应熔炼超纯净脱硫技术
摘要、 一种真空感应冶炼脱硫的新技术其特征在于：应用纯度较高(CaO＞98.9％)、热力学稳定性好、水化速度较低的CaO耐火材料作为真空感应熔炼的坩埚材料；冶炼工艺包括：熔化期，前精炼期，合金化期和后精炼期，在前精炼期熔融钢液具有一定脱氧的前提下，合金化期加入Al后，提高后精炼期的精炼温度，强化脱硫的热力学和动力学条件，在CaO坩埚壁进行有效脱硫，同时合金化期加入强脱硫元素Ca，通过如下反应可进一步脱硫，两者相结合可将新料合金的S含量降至5ppm以下，返回料的S含量降至10ppm以下。
0134-0009、 一种制备高比重Zr－W基大块非晶合金的方法及设备
摘要、 一种制备高比重Zr－W基大块非晶合金的方法及设备本发明提供了一种新型含钨高比重Zr－W－Cu－Ni－Al－B大块非晶合金、悬浮熔炼加双室吸铸设备以及利用该制备大块非晶合金的方法及设备。合金成分配比(原子百分比)为：Zr为40－60，Cu为5－25，Ni为5－20，Al为2－10，W为5－15，B为2－10。由机械泵，扩散泵，气阀，真空室，升降台水冷铜模，上下连接密封结构，悬浮线圈，石英玻璃坩埚，塞子，拔塞机构，保护气进气放气阀，热电偶电源，炉门，下真空室放气口组成。本发明的优点是：大块非晶合金的比重可达7.5～8.0g/cm3/，比传统Zr基大块非晶提高15～20％，采用悬浮熔炼可均匀净化熔体，采用双室吸铸提高熔体充型速度，简化模具设计和制造过程大大降低制造成本，特别适合大尺寸大块非晶的制备。
0036-0010、 利用微波的低温、低浸泡率、无张力和短期染色法及装置
摘要、 利用微波的低温、低浸泡率、无张力和短期染色法步骤是：将染色物浸入盛有染色液的染色槽，染色液为两倍于染色物的水、１／１０００染色物的分散染料和小于１／１００分散染料的分散剂搅拌而成，用微波照射染色物，加热至约１３０℃并在约１００℃进行干燥；或连续将染色织物浸入染色槽，通过挤压滚轮挤压并浸染织物，用导轮将其送至染色坩埚，再用微波照射染色织物使在１００～１３０℃对其加热和干燥，烘干的织物由导轮码放在Ｄ区。
0078-0011、 铽镝铁棒材高频感应加热熔铸法
0160-0012、 富钇稀土铝中间合金制备方法
0132-0013、 高纯度无氧铜的铸造
0119-0014、 坩埚中熔融材料的泄流方法和装置
0159-0015、 晶体生长和退火方法以及装置
0041-0016、 钢的冶炼用硅钙钡多元脱氧剂、脱硫剂
0092-0017、 酸溶法光纤传象束单纤维酸溶玻璃附着方法
0164-0018、 一种硼磷酸镁锌非线性光学晶体及其制备方法和用途
0120-0019、 铝的分离提纯方法及设备
0152-0020、 用紫光二极管将发光材料变换成绿色发光的方法
0057-0021、 用于晶体生长装置的电阻加热器
0039-0022、 高频电磁感应熔炼用坩埚成型外套及制作方法
0138-0023、 一种利用帕尔贴效应实现单晶生长控制的方法
0144-0024、 单晶制造装置及单晶制造方法
0079-0025、 金属带材快速凝固成形方法
0148-0026、 制备钢铁材料半固态流变浆料的装置
0167-0027、 碲化镉粉末的制备方法
0018-0028、 可防止浪费蒸发材料的离子镀膜装置
0169-0029、 颗粒增强铝合金基功能负梯度复合管的制备方法
0098-0030、 悬浮熔炼水冷坩埚
0126-0031、 高质量单晶制造中堆积和熔化多晶硅的方法
0127-0032、 有色金属回收熔炼装置
0121-0033、 稀土类磁铁废屑的熔炼方法和熔炼装置以及稀土类磁铁废屑的一次熔炼合金
0140-0034、 高质量单晶的制成方法及其装置
0045-0035、 高品位硅钙合金的生产方法及其矿热炉
0065-0036、 一种用于玻璃窑炉的局部增氧助燃方法
0090-0037、 生长高温氧化物晶体的装置
0020-0038、 垂直温梯法生长铝酸锂和镓酸锂晶体
0061-0039、 生长低缺陷密度、自填隙为主的硅的拉晶设备
0059-0040、 紫铜坩埚的银钎焊接方法
0111-0041、 景泰蓝外露花纹用的合金及制法
0124-0042、 一种铜镍合金的应用
0135-0043、 等离子体增强的真空汽相淀积系统，包括使固体蒸发，产生电弧放电，以及测量电...
0104-0044、 一种陶瓷坩埚的制作方法
0017-0045、 一种石英坩埚/管涂碳方法
0067-0046、 成型蓝宝石生长工艺
0040-0047、 一种环缝扫描喷模
0166-0048、 熔融碳酸盐燃料电池氧化镍基阴极的制备方法
0070-0049、 氧化物单晶的制造装置及制造方法
0076-0050、 真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法
0150-0051、 掺四价铬硅酸镁晶体的生长方法
0066-0052、 一种半透明微晶无机陶瓷材料及其生产工艺
0083-0053、 掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术
0129-0054、 石英玻璃坩埚及其制造方法
0114-0055、 钕铁硼永磁材料中频感应炉熔炼的坩埚打结方法
0054-0056、 控制半导体晶体生长的开环方法和系统
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0016-0058、 一种钕钡铜氧超导单晶体的制备方法
0019-0059、 硅单晶的生产方法以及实现该方法的加热装置
0107-0060、 大功率电子束的驱动方法
0139-0061、 一种真空电弧重熔装置及其工艺
0008-0062、 铸造铝铅合金滑动轴承材料及其制备工艺和设备
0096-0063、 生长富空位单晶硅的热屏蔽组件和方法
0170-0064、 闭孔泡沫铝合金的制备方法
0093-0065、 制备钕铁硼稀土永磁母合金的生产方法及其生产设备
0005-0066、 防止单晶拉制设备中加热器电极熔化下坠的设备
0058-0067、 一种镁合金生产工艺
0153-0068、 稀土超磁致伸缩合金棒的制造工艺
0055-0069、 金属/PTC陶瓷复合材料的制备方法
0109-0070、 电解产生金属的工艺
0087-0071、 铝块的熔解和保持炉
0155-0072、 放热焊接模具组件
0091-0073、 铝合金铸造用直流平面电磁泵
0003-0074、 制造带金属涂层的光学纤维的装置及其所用方法
0115-0075、 一种坩埚下降生长晶体的方法及其装置
0157-0076、 一种包复材料一次铸造连续成形设备与工艺
0004-0077、 一种用于熔融液定向凝固的方法与设备
0162-0078、 金属合金的半固体浓缩加工
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0075-0080、 平面流铸粉末化技术及其工艺装置
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0163-0083、 岩石热解气相色谱仪
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0094-0085、 用于制备大小和形状均匀的小球的设备和方法
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0010-0087、 提拉单晶硅的装置
0014-0088、 切克劳斯基法生长硅的温度和时间关系的控制方法
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0088-0094、 铝熔体净化复合过滤器表面涂覆工艺
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0069-0097、 复合涂层镁颗粒及其制备方法
0086-0098、 控制硅晶体生长的方法和系统
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0053-0100、 生产磷酸盐激光玻璃的除水方法
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0145-0102、 压铸装置
0050-0103、 无铅高折射率微珠玻璃
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0112-0105、 一种生产超细三氧化二锑的方法及设备
0071-0106、 有色金属回收熔炼装置
0082-0107、 掺杂硫化锌纳米粉的制备方法
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购买以上《坩埚、坩埚下降、坩埚盐浴、紫铜坩埚及生产工艺技术》生产工艺技术资全套200元,含邮费,本市五大区可办理货到付款,咨询手机号也是微信号:15542181913 13889286189【点这进入购买帮助】
摘要、 本发明涉及在带有离子源的电磁分离器中分离低天然浓度同位素的方法包括在离子源坩埚中放入待分离元素的加工物，加热加工物直到形成蒸气，在离子源的气体放电室中，在热阴极电子发射作用下将蒸气离子化，通过离子－光系统的电极形成离子束，在磁场中分离和形成同位素的离子束，用接收器的盒捕获离子，用X射线光谱分析定义同位素富集物含量增大的接收器盒中的区域，定位这些区域，先将富集物从这些区域中取出，然后进一步处理接收器盒的表面其余部分，包括同位素富集物含量减小的区域。本方法允许有效地分离化学元素的同位素并获得低天然浓度同位素的更高水平的富集。
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摘要、 一种真空感应冶炼脱硫的新技术其特征在于：应用纯度较高(CaO＞98.9％)、热力学稳定性好、水化速度较低的CaO耐火材料作为真空感应熔炼的坩埚材料；冶炼工艺包括：熔化期，前精炼期，合金化期和后精炼期，在前精炼期熔融钢液具有一定脱氧的前提下，合金化期加入Al后，提高后精炼期的精炼温度，强化脱硫的热力学和动力学条件，在CaO坩埚壁进行有效脱硫，同时合金化期加入强脱硫元素Ca，通过如下反应可进一步脱硫，两者相结合可将新料合金的S含量降至5ppm以下，返回料的S含量降至10ppm以下。
0134-0009、 一种制备高比重Zr－W基大块非晶合金的方法及设备
摘要、 一种制备高比重Zr－W基大块非晶合金的方法及设备本发明提供了一种新型含钨高比重Zr－W－Cu－Ni－Al－B大块非晶合金、悬浮熔炼加双室吸铸设备以及利用该制备大块非晶合金的方法及设备。合金成分配比(原子百分比)为：Zr为40－60，Cu为5－25，Ni为5－20，Al为2－10，W为5－15，B为2－10。由机械泵，扩散泵，气阀，真空室，升降台水冷铜模，上下连接密封结构，悬浮线圈，石英玻璃坩埚，塞子，拔塞机构，保护气进气放气阀，热电偶电源，炉门，下真空室放气口组成。本发明的优点是：大块非晶合金的比重可达7.5～8.0g/cm3/，比传统Zr基大块非晶提高15～20％，采用悬浮熔炼可均匀净化熔体，采用双室吸铸提高熔体充型速度，简化模具设计和制造过程大大降低制造成本，特别适合大尺寸大块非晶的制备。
0036-0010、 利用微波的低温、低浸泡率、无张力和短期染色法及装置
摘要、 利用微波的低温、低浸泡率、无张力和短期染色法步骤是：将染色物浸入盛有染色液的染色槽，染色液为两倍于染色物的水、１／１０００染色物的分散染料和小于１／１００分散染料的分散剂搅拌而成，用微波照射染色物，加热至约１３０℃并在约１００℃进行干燥；或连续将染色织物浸入染色槽，通过挤压滚轮挤压并浸染织物，用导轮将其送至染色坩埚，再用微波照射染色织物使在１００～１３０℃对其加热和干燥，烘干的织物由导轮码放在Ｄ区。
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