坩埚、坩埚下降、石墨坩埚制造、氮化硼坩埚及生产工艺技术
0108-0001、 从镁渣中回收镁的工艺
摘要、 一种从镁渣中回收金属镁的工艺是在坩埚中加入熔剂Ⅰ，７５０～８５０℃加入精炼熔剂Ⅱ，浇注时加入还原性熔剂Ⅲ，脱模后对镁锭进行防氧化后处理。该工艺避免了金属镁在熔炼过程中的氧化燃烧有效地回收废料，变废为宝解决环境污染有显著的经济与社会效益。
0032-0002、 银玻璃粉及其制备
摘要、 一种最新氧化锌避雷器阀片用添加料—银玻璃粉，采用双石英坩埚在电炉中用氧化气氛于９８０°～１１８０℃温度下熔化，并用石英棒多次搅拌，完全避免了漏埚和有害杂质的引入。$一定量的银玻璃粉引入到氧化锌阀片中大大地改善了氧化锌阀片的寿命特性。
0134-0003、 脱锌感应熔解系统
脱锌感应熔解系统，其炉１的顶部设有环状排气通道２和保持坩埚感应炉内气密的气密保持件３，其在大气压力下工作的排气装置经过贯穿气密保持件的气体导管连接至阀４。另外密封盖７具有可以打开和关闭的阀８，用于保持炉内气密，在减压下工作的排气装置连接在该阀８上。两组排气装置构成整套排气装置。
0050-0004、 带有固溶体涂镀层的工件及其生产方法、生产设备和应用
摘要、 一种准金属固溶体镀层（Ｃ、Ｄ）由反应物理技术镀在工件上的分离层（Ｂ）上，准金属的含量比在层厚范围连续变化。为生产镀层（Ｃ、Ｄ），把钛放在相对被镀工件前后移动的坩埚中蒸发，并输入两种与蒸发钛亲和力不同的气体。为生成层（Ｃ、Ｄ）的第一局部层，气体的含量比例均匀变化。在涂镀过程中工件旋转，因此，工件表面接近或远离坩埚。该涂镀工件有高抗侧磨损和月牙洼痕磨损性。
0035-0005、 测应固体材料机械物理性能的装置
摘要、 本发明公开了一种测量固体材料机械物理性能的装置其特征是炉壳体正面设有可开启的炉门，圆筒状的辐射屏和发热体的一半固定在炉门上，声导杆顶端呈Ｙ形，换能器采用Ｐ（ＺＴ）－Ｓ压电陶瓷材料，热电偶固定在设在炉壳体顶部的波纹管的下端，发热体内设有陶瓷坩埚，该装置还设有充、抽气管道和压力传感器及水压报警系统。在２９３Ｋ～２２７３Ｋ温度范围内可同时测量材料的弹性模量，切变模量或泊松比及熔点或热差。
0169-0006、 人造金刚石用非轧制触媒合金生产工艺及其装置
摘要、 本发明涉及一种合金材料的生产工艺和设备针对人造金刚石片状触媒合金生产存在的缺陷，发明了一次成型触媒合金带工艺，它由投料、熔化、急冷和甩带等工序构成，其装置由石英坩埚和感应线圈等组成，其特征是喷孔宽度为（0.1～0.8)mm，喷孔与冷却辊间距为(0.2～2.5)mm，熔体喷射压力为0.01～0.10MPa，温度为1300～1400℃，辊表面线速度为4～8m/s，辊温度为室温。可在人造金刚石用触媒合金生产行业中广泛应用。
0066-0007、 边缘限定薄层供料生长法的设备所用湿尖导模
摘要、 ＥＦＣ生长空心晶体的新颖毛细导模及晶体生长方法。内、外环形迁围绕导模尖部。熔体从坩埚通过通道输送到沟，空心晶体生长过程中，沟中熔体湿润并覆盖内部、外部外侧表面。新颖导模结构有较低的导模尖部和较短毛细槽。可保持围绕导模尖部周边的温度基本均匀，提高导模尖部上生长的管形晶体壁厚的均匀度。该沟可减少因导模被淹没而发生中断或影响晶体生长过程。发生生长弯月面断裂时，该沟载获液态硅防止或减少发生淹没导模及相关生长设备的现象。
0033-0008、 单晶硅的制造方法和设备
摘要、 按照本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板复盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出１０℃，或更高些。
0003-0009、 一种温梯法生长高温晶体的装置
摘要、 本发明属于温梯法生长晶体装置的改进，包括坩埚、发热体和保温屏蔽装置.提供了一种锥形底中心有一籽晶槽尾部和圆锥筒壁的较理想的坩埚，发热体为矩形波状的板条式圆筒，其上半部有孔，下端与电极板相联，发热体上半部的温差由不同孔数和孔径来产生，下半部的温差由电极板的热传导来提供，保温屏蔽装置设计合理.该晶体生长装置热场稳定，控制简易，用于Ｎｄ：ＹＡＧ晶体生长，已获得大尺寸优质的晶体.
0051-0010、 制造硅单晶设备
摘要、 在一种连续装入原料类型的硅单晶制造设备中，设有一个隔件将石英坩埚内的熔体分成单晶生长区和材料熔化区，还有一个将该材料熔化区上方遮盖起来的金属持热板。该金属持热板用来防止隔件内侧上硅熔体凝固，并防止硅单晶过冷。金属持热板厚度为３ｍｍ或更薄，而其材料为钽或钼。再者，该持热权包括具有多个开孔的直体部位，用来调节单晶温度。
0095-0011、 四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺
0038-0012、 彩条玻璃器皿机械化自动化生产方法
0037-0013、 四硼酸锂（ＬＢＯ）单晶的坩埚下降法生长
0164-0014、 在真空室内放有一个装蒸发物的坩埚的真空镀膜设备
0121-0015、 一种涂有二硼化钛涂层的坩埚及其制造方法
0041-0016、 制造硅单晶的设备
0113-0017、 超磁致伸缩稀土铁合金棒的制造方法
0153-0018、 以铁矾土为原料冶炼硅铝铁合金
0027-0019、 石墨铝合金铸件的生产方法及装置
0140-0020、 一种复合轧辊的制造方法
0023-0021、 锑、金冶炼工艺方法
0150-0022、 双层空心螺栓球体及其制造方法
0162-0023、 *深加工工艺
0079-0024、 钢材和铸铁件的热浸镀铝新工艺
0042-0025、 人造猫儿眼宝石的制造方法
0029-0026、 生长管状结晶体用的控制设备系统
0010-0027、 玻璃纤维原丝连续拉丝设备用的机头
0074-0028、 一种高纯金属钕生产方法
0065-0029、 一氮化硼坩埚及其制造方法
0135-0030、 用液相外延法制造氧化物单晶膜的装置
0040-0031、 一种去除熔体表面浮渣的技术
0089-0032、 一种金属线连续铸造方法及装置
0106-0033、 材料表面改性用电子束蒸发金属离子源
0094-0034、 镀厚膜的方法及设备
0130-0035、 制取纯铱的新方法
0142-0036、 牙齿修复料模塑方法和有关的设备
0016-0037、 制造半导体单晶装置
0091-0038、 双极电弧熔炼二次雾化装置
0097-0039、 直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
0125-0040、 大尺寸氟化铈晶体的生长技术
0157-0041、 用于改善无位错性能的表面处理过的坩埚
0139-0042、 制备单晶的装置和方法
0068-0043、 红外气体激光器用光学材料的制法
0117-0044、 镁基合金包芯棒及其制造方法和用途
0007-0045、 连续铸造炉及连续生产铸件的方法
0076-0046、 钛酸钡四方晶体的生长装置和生长方法
0138-0047、 钨酸铅(PbWO#-[4、)闪烁大单晶的坩埚下降法生长
0118-0048、 用于辐射计量的光释光元件及其制备方法和应用
0084-0049、 窄金属带热浸涂装置
0015-0050、 助熔剂法生长钛氧磷酸钾晶体的工艺和装置
0049-0051、 硫、氧和氮含量低的铁－钴－和镍－基合金
0053-0052、 掺铒掺镁铌酸锂单晶的制备
0046-0053、 用于连续补给熔料的系统
0062-0054、 单晶硅生产设备
0019-0055、 镁质感应电炉坩埚制造方法
0170-0056、 拉单晶装置
0021-0057、 塑性成型铱坩埚的制造方法
0123-0058、 一种制备高纯磷酸四钙的方法
0165-0059、 新型蜡石质坩埚及其制作工艺
0160-0060、 连铸板坯的质量预测和质量控制
0047-0061、 制造单晶硅的设备
0060-0062、 单晶硅生产设备
0070-0063、 用磁悬浮冷坩埚提拉稀土——铁单晶的方法
0039-0064、 制造超导陶瓷线的方法
0120-0065、 纳米铜锌合金催化剂的制备方法
0168-0066、 单晶拉制装置
0145-0067、 保持受热坩埚之水平度的方法
0096-0068、 浮熔装置
0030-0069、 为金属熔池提供热能的方法
0045-0070、 低锑铅多元合金合金元素及硫的添加方法
0109-0071、 耐高温石墨坩埚及其制作工艺
0028-0072、 生产云南围棋子的自动成型工艺
0055-0073、 生产高熔点化合物熔铸体的装置和方法
0098-0074、 保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法
0128-0075、 用于加热熔炼坩埚的加热元件
0020-0076、 成型单晶体生长设备
0075-0077、 熔铝用合金铸造坩埚
0163-0078、 用多晶硅原料制备熔硅的方法
0122-0079、 有效防止合金层沉积的镀锌槽元件，生产上述元件的方法和使用该元件的热浸渡...
0043-0080、 汽车冷起动用正温度系数材料及元件的制备方法
0112-0081、 一种锆刚玉莫来石氮化硼复合耐火材料
0107-0082、 一种三硫化二铈的制备方法
0025-0083、 工频电阻感应炉
0143-0084、 花瓶缠玻璃条工艺
0022-0085、 晶体增长装置
0151-0086、 一种*深加工工艺
0161-0087、 炉子用的固体物料供料系统
0082-0088、 金属双晶及三晶体的生长技术和装置
0159-0089、 一种电渣熔铸装置
0026-0090、 冶炼硅铁的新方法
0006-0091、 地炉冶炼粗锑法及设备
0078-0092、 制备半导体单晶用的双层坩埚
0069-0093、 制备金属钐用反应容器及其制造方法
0133-0094、 测量表面张力的装置
0044-0095、 单晶硅生产装置
0116-0096、 锌镍铝合金及其冶炼工艺
0093-0097、 含低硫化亚铁锑金矿的冶炼方法
0085-0098、 普通碳钢薄板渣洗渗铝
0115-0099、 铅钙合金板栅用焊条
0001-0100、 非线性磁场中单晶硅拉制方法及其装置
0067-0101、 偏硼酸钡(β-BBO)单晶的恒液面提拉法生长
0132-0102、 溶剂恒液面提拉生长β－偏硼酸钡的方法
0092-0103、 低*纯锑的制备方法
0126-0104、 电子束蒸发器
0024-0105、 反重力金属铸造的设备和方法
0009-0106、 直流电弧加热装置
0110-0107、 生产金属间化合物铸件的方法和装置
0114-0108、 生长多个单晶体的方法和设备
0058-0109、 感应电炉不烘炉的生产工艺
0124-0110、 熔融抽取法测定金属中氢的方法
0144-0111、 仿出土玻璃器皿工艺
0158-0112、 一种制备微米晶体球形材料的火焰法
0129-0113、 封接用玻璃焊料及其制备方法
0063-0114、 制造硅单晶的设备
0087-0115、 感应炉用冷坩埚
0088-0116、 硅酸铋(BSO)单晶的坩埚下降法生长
0083-0117、 利用会切磁场和晶体及坩埚转速的组合控制硅晶体氧含量的方法
0102-0118、 感应电炉炼钢吹氧助熔新工艺
0005-0119、 半导体工艺
0031-0120、 制备硅单晶的方法和设备
0059-0121、 单晶硅直径控制法及其设备
0154-0122、 斑铜装饰材料制造方法
0017-0123、 复合功能晶体四硼酸铝钇钕生长
0166-0124、 有色金属熔化保持炉与有色金属溶液保持炉
0054-0125、 高纯度锆和铪类金属及其制法
0064-0126、 金属陶瓷复合坩埚及其制备方法
0073-0127、 绿色立方氧化锆晶体的生长方法
0036-0128、 炼钢脱氧剂硅铝铁生产的新方法
0131-0129、 制造金属陶瓷焊接材料或部件的方法、其产品和产品用途
0171-0130、 单晶提拉装置
0147-0131、 生长单晶的方法
0099-0132、 采用可轴向移动坩埚的浮熔设备及其方法
0018-0133、 高折射率玻璃
0052-0134、 排除空气的金属反重力铸造的装置和方法
0105-0135、 一种“电—煤”双热源冶炼硅铁的方法
0014-0136、 陶瓷-铂复合坩埚及其制造方法
0057-0137、 控制晶体生长装置的系统及其熔化物再补给系统
0101-0138、 生产高温超导体及其铸模成型的方法
0086-0139、 纤维强化金属吸铸加压熔铸模
0012-0140、 二氧化碲单晶体的生长技术
0080-0141、 非铂金坩埚熔样方法
0152-0142、 掺镱的钒酸钇激光晶体及其制备方法
0149-0143、 喷射沉积的设备与工艺
0077-0144、 重金属氟化物玻璃熔制炉
0119-0145、 一种黑色金属熔炼用坩埚及其生产工艺
0155-0146、 由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法
0072-0147、 一种碳素坩埚的焙烧方法及其模具
0141-0148、 用于制造微合金制品的自耗电极方法
0071-0149、 用磁悬浮冷舟技术制造高纯稀土金属的方法
0148-0150、 拉单晶方法及其实现装置
0013-0151、 石墨元件感应炉
0127-0152、 下降法生长大尺寸碘化铯(CSI)晶体新技术
0034-0153、 石墨坩埚制造新工艺
0081-0154、 钽酸锂单晶的无金极化工艺
0056-0155、 高性能α相碳化硅晶须的制造方法
0111-0156、 红色自发辉光材料及其制备方法和应用
0061-0157、 单晶硅生产设备
0137-0158、 钛铁合金的制造方法
0100-0159、 自润滑镍-铬基合金
0136-0160、 高稀土含量铁－铬－铝－稀土合金的制备工艺
0146-0161、 改善无位错单晶的成品率的方法
0104-0162、 彩色玻璃面砖的配方及其制造方法
0167-0163、 拉单晶装置
0008-0164、 单晶生长装置(设备)
0048-0165、 粒状硅原料供给装置
0103-0166、 金属*工业化生产技术
0011-0167、 提高陶瓷，耐火材料制品系列抗热震性的方法
0090-0168、 铝基复合材料熔塞真空吸铸工艺
0002-0169、 用坩埚分析样品元素的装置
0004-0170、 钕铁中间合金制备的新方法
0156-0171、 金属纯净度评价装置及其方法
0172-0172、 单晶提拉装置
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摘要、 一种从镁渣中回收金属镁的工艺是在坩埚中加入熔剂Ⅰ，７５０～８５０℃加入精炼熔剂Ⅱ，浇注时加入还原性熔剂Ⅲ，脱模后对镁锭进行防氧化后处理。该工艺避免了金属镁在熔炼过程中的氧化燃烧有效地回收废料，变废为宝解决环境污染有显著的经济与社会效益。
0032-0002、 银玻璃粉及其制备
摘要、 一种最新氧化锌避雷器阀片用添加料—银玻璃粉，采用双石英坩埚在电炉中用氧化气氛于９８０°～１１８０℃温度下熔化，并用石英棒多次搅拌，完全避免了漏埚和有害杂质的引入。$一定量的银玻璃粉引入到氧化锌阀片中大大地改善了氧化锌阀片的寿命特性。
0134-0003、 脱锌感应熔解系统
脱锌感应熔解系统，其炉１的顶部设有环状排气通道２和保持坩埚感应炉内气密的气密保持件３，其在大气压力下工作的排气装置经过贯穿气密保持件的气体导管连接至阀４。另外密封盖７具有可以打开和关闭的阀８，用于保持炉内气密，在减压下工作的排气装置连接在该阀８上。两组排气装置构成整套排气装置。
0050-0004、 带有固溶体涂镀层的工件及其生产方法、生产设备和应用
摘要、 一种准金属固溶体镀层（Ｃ、Ｄ）由反应物理技术镀在工件上的分离层（Ｂ）上，准金属的含量比在层厚范围连续变化。为生产镀层（Ｃ、Ｄ），把钛放在相对被镀工件前后移动的坩埚中蒸发，并输入两种与蒸发钛亲和力不同的气体。为生成层（Ｃ、Ｄ）的第一局部层，气体的含量比例均匀变化。在涂镀过程中工件旋转，因此，工件表面接近或远离坩埚。该涂镀工件有高抗侧磨损和月牙洼痕磨损性。
0035-0005、 测应固体材料机械物理性能的装置
摘要、 本发明公开了一种测量固体材料机械物理性能的装置其特征是炉壳体正面设有可开启的炉门，圆筒状的辐射屏和发热体的一半固定在炉门上，声导杆顶端呈Ｙ形，换能器采用Ｐ（ＺＴ）－Ｓ压电陶瓷材料，热电偶固定在设在炉壳体顶部的波纹管的下端，发热体内设有陶瓷坩埚，该装置还设有充、抽气管道和压力传感器及水压报警系统。在２９３Ｋ～２２７３Ｋ温度范围内可同时测量材料的弹性模量，切变模量或泊松比及熔点或热差。
0169-0006、 人造金刚石用非轧制触媒合金生产工艺及其装置
摘要、 本发明涉及一种合金材料的生产工艺和设备针对人造金刚石片状触媒合金生产存在的缺陷，发明了一次成型触媒合金带工艺，它由投料、熔化、急冷和甩带等工序构成，其装置由石英坩埚和感应线圈等组成，其特征是喷孔宽度为（0.1～0.8)mm，喷孔与冷却辊间距为(0.2～2.5)mm，熔体喷射压力为0.01～0.10MPa，温度为1300～1400℃，辊表面线速度为4～8m/s，辊温度为室温。可在人造金刚石用触媒合金生产行业中广泛应用。
0066-0007、 边缘限定薄层供料生长法的设备所用湿尖导模
摘要、 ＥＦＣ生长空心晶体的新颖毛细导模及晶体生长方法。内、外环形迁围绕导模尖部。熔体从坩埚通过通道输送到沟，空心晶体生长过程中，沟中熔体湿润并覆盖内部、外部外侧表面。新颖导模结构有较低的导模尖部和较短毛细槽。可保持围绕导模尖部周边的温度基本均匀，提高导模尖部上生长的管形晶体壁厚的均匀度。该沟可减少因导模被淹没而发生中断或影响晶体生长过程。发生生长弯月面断裂时，该沟载获液态硅防止或减少发生淹没导模及相关生长设备的现象。
0033-0008、 单晶硅的制造方法和设备
摘要、 按照本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板复盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出１０℃，或更高些。
0003-0009、 一种温梯法生长高温晶体的装置
摘要、 本发明属于温梯法生长晶体装置的改进，包括坩埚、发热体和保温屏蔽装置.提供了一种锥形底中心有一籽晶槽尾部和圆锥筒壁的较理想的坩埚，发热体为矩形波状的板条式圆筒，其上半部有孔，下端与电极板相联，发热体上半部的温差由不同孔数和孔径来产生，下半部的温差由电极板的热传导来提供，保温屏蔽装置设计合理.该晶体生长装置热场稳定，控制简易，用于Ｎｄ：ＹＡＧ晶体生长，已获得大尺寸优质的晶体.
0051-0010、 制造硅单晶设备
摘要、 在一种连续装入原料类型的硅单晶制造设备中，设有一个隔件将石英坩埚内的熔体分成单晶生长区和材料熔化区，还有一个将该材料熔化区上方遮盖起来的金属持热板。该金属持热板用来防止隔件内侧上硅熔体凝固，并防止硅单晶过冷。金属持热板厚度为３ｍｍ或更薄，而其材料为钽或钼。再者，该持热权包括具有多个开孔的直体部位，用来调节单晶温度。
0095-0011、 四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺
0038-0012、 彩条玻璃器皿机械化自动化生产方法
0037-0013、 四硼酸锂（ＬＢＯ）单晶的坩埚下降法生长
0164-0014、 在真空室内放有一个装蒸发物的坩埚的真空镀膜设备
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0113-0017、 超磁致伸缩稀土铁合金棒的制造方法
0153-0018、 以铁矾土为原料冶炼硅铝铁合金
0027-0019、 石墨铝合金铸件的生产方法及装置
0140-0020、 一种复合轧辊的制造方法
0023-0021、 锑、金冶炼工艺方法
0150-0022、 双层空心螺栓球体及其制造方法
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0010-0027、 玻璃纤维原丝连续拉丝设备用的机头
0074-0028、 一种高纯金属钕生产方法
0065-0029、 一氮化硼坩埚及其制造方法
0135-0030、 用液相外延法制造氧化物单晶膜的装置
0040-0031、 一种去除熔体表面浮渣的技术
0089-0032、 一种金属线连续铸造方法及装置
0106-0033、 材料表面改性用电子束蒸发金属离子源
0094-0034、 镀厚膜的方法及设备
0130-0035、 制取纯铱的新方法
0142-0036、 牙齿修复料模塑方法和有关的设备
0016-0037、 制造半导体单晶装置
0091-0038、 双极电弧熔炼二次雾化装置
0097-0039、 直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
0125-0040、 大尺寸氟化铈晶体的生长技术
0157-0041、 用于改善无位错性能的表面处理过的坩埚
0139-0042、 制备单晶的装置和方法
0068-0043、 红外气体激光器用光学材料的制法
0117-0044、 镁基合金包芯棒及其制造方法和用途
0007-0045、 连续铸造炉及连续生产铸件的方法
0076-0046、 钛酸钡四方晶体的生长装置和生长方法
0138-0047、 钨酸铅(PbWO#-[4、)闪烁大单晶的坩埚下降法生长
0118-0048、 用于辐射计量的光释光元件及其制备方法和应用
0084-0049、 窄金属带热浸涂装置
0015-0050、 助熔剂法生长钛氧磷酸钾晶体的工艺和装置
0049-0051、 硫、氧和氮含量低的铁－钴－和镍－基合金
0053-0052、 掺铒掺镁铌酸锂单晶的制备
0046-0053、 用于连续补给熔料的系统
0062-0054、 单晶硅生产设备
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