物晶体生产加工工艺制备技术
作者：百创科技 金属矿产来源：本站原创 点击数： 更新时间：2024/2/8
(1010803-0041-0001) 第Ⅲ族氮化物晶体及其制备方法
(技术说明) 公开了一种具有低位错密度的高质量第III族氮化物晶体及制备这种第III族氮化物晶体的制备方法。将第III族氮化物晶体薄膜(2)生长到衬底(1)上，且将金属薄膜(3)沉积其上。通过进行热处理，将金属薄膜(3)改变为金属氮化物薄膜(4)，并且在其中产生细孔(4h)，和在第III族氮化物晶体薄膜(2)中形成孔隙部分(2b)。通过进一步生长第III族氮化物晶体，将用于填充的第III族氮化物晶体(5)填充到所述的孔隙部分(2b)且将第III族氮化物晶体(6)生长到金属氮化物薄膜(4)上。 ， (1010803-0042-0002) 改变药物晶体形成的方法
(技术说明) 本发明提供了改变针状药用物质的结晶习性的方法，由该方法获得的晶体，和霉酚酸或霉酚酸钠的特定晶形或变体，以及含有该晶体的药物组合物、其治疗方法和用途。 ， (1010803-0049-0003) 二(L)-赖氨酸单硫酸盐三水合物晶体及其制造方法
(技术说明) 一种二L-赖氨酸单硫酸盐三水合物晶体，其具有大的片状晶形且更易于从母液中分离。该晶体通过在较低温度下进行结晶的新方法获得。 ， (1010803-0057-0004) 高电子迁移率晶体管、场效应晶体管、外延衬底、制造外延衬底的方法以及制造Ⅲ族氮化物晶体管的方法
(技术说明) 提供具有高纯度沟道层和高阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管11设有由氮化镓构成的支撑衬底13、由第一氮化镓半导体构成的缓冲层15、由第二氮化镓半导体构成的沟道层17、由第三氮化镓半导体构成的半导体层19以及用于晶体管11的电极结构(栅电极21、源电极23和漏电极25)。第三氮化镓半导体的带隙比第二氮化镓半导体更宽。第一氮化镓半导体的碳浓度NC1 ， (1010803-0044-0005) 氟化物晶体的制造装置
(技术说明) 提供可用极短的时间制造氟化物晶体的制造装置及制造方法。对装置实施改造，使之具有能处理氟化物的反应室、窗户材等，可进行高真空排气，且使种晶与熔融液容易接触，并且通过使用对坩埚坑部的毛细部进行了控制的坩埚，能够用短时间稳定地得到高品质的氟化物单晶。 ， (1010803-0015-0006) 稳定性优良的天冬甜素衍生物晶体的制备方法
(技术说明) 本申请公开了通过在绝对湿度为0.203kg/kg以下的环境下将材料温度控制维持在25～80℃，使N－(3,3－*基)－APM的B型晶体进行晶体转移，制备稳定性优良的A型晶体的方法；以及通过在绝对湿度为0.0550kg/kg以下的环境下将材料温度控制维持在25～80℃，使N－(3,3－*基)－APM的D型晶体进行晶体转移，制备稳定性优良的A型晶体的方法。采用这些结晶方法，可以低成本而且稳定地得到稳定性优良的晶体。 ， (1010803-0046-0007) 氮化物晶体、氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件及其制备方法
(技术说明) 一种氮化物晶体的特征在于，关于氮化物晶体(1)的任意特定平行晶格平面(1d)的平面间距，由|d1 ， (1010803-0047-0008) III族氮化物晶体的制造方法以及由此得到的III族氮化物晶体与应用该晶体的III族氮化物晶体基板
(技术说明) 本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法，其是在含有氮的气氛下，使含有选自Ga、Al以及In之中的至少一种III族元素和碱金属的助熔剂中含有Mg，然后在该助熔剂中进行III族氮化物晶体的生长，从而形成III族氮化物基板。由于Mg是III族氮化物晶体的P型掺杂材料，因此即使在晶体中混入Mg，晶体仍然表现出P型或半绝缘性的电特性，在电子器件的应用中不成问题。另外，通过使上述助熔剂含有Mg，在助熔剂中氮的溶解量增大，从而能够以快速生长速率进行晶体生长，晶体生长的重现性也得以提高。 ， (1010803-0018-0009) 新的天冬甜素衍生物晶体及其制造方法
(技术说明) 在使N－［N－（33－*基）－L－α－天冬氨酰基］－ L－苯基丙氨酸甲酯从其水溶液中析出时，将起晶温度控制在２５℃以下，然后根据需要或根据希望将其进一步冷却，最后对析出的晶体（Ｂ型晶体）进行固液分离并将其干燥。经过如此干燥处理的晶体是上述酯化合物的一种新型晶体（Ｄ型晶体），其溶解速度快，当用粉末Ｘ射线衍射法对该晶体进行分析时，它至少在５．４°、８．４°、１８．８°和17．６°的衍射角（2θ，CuKα线）处显示衍射X射线特征峰。 ， (1010803-0008-0010) 保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法
(技术说明) 一种保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法核心内容是：用等离子喷涂技术在铱坩埚外壁喷涂氧化锆保护层，在中性气氛下化料并保持在氧气气氛下生长晶体，晶体生长完成后，让晶体在真空中和氧化锆保温条件下自然冷却。 ， (1010803-0039-0011) 氟化物晶体的制造方法
(1010803-0036-0012) 低温低压合成氮化物晶体材料的方法
(1010803-0055-0013) Ⅲ族氮化物晶体、其制造方法以及Ⅲ族氮化物晶体衬底及半导体器件
(1010803-0007-0014) 制备铋系超导氧化物晶体的新方法(熔盐反应法）
(1010803-0026-0015) 稀土硫代氧化物晶体的生长方法
(1010803-0016-0016) 制造高熔点苯氧基*衍生物晶体的方法
(1010803-0054-0017) 含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法
(1010803-0020-0018) 水热条件下制备氮化物超微粉和氮化物晶体的方法
(1010803-0028-0019) 苯并咪唑衍生物晶体及其制备
(1010803-0013-0020) 二苯并噻氮杂?衍生物晶体及其作抗精神病药的应用
(1010803-0059-0021) 处理Ⅲ族氮化物晶体表面的方法和Ⅲ族氮化物晶体衬底
(1010803-0002-0022) 光学制版用的氟化物晶体透镜的坯体
(1010803-0062-0023) 近红外光上转换氟化物晶体的水热生长方法
(1010803-0023-0024) 同手性非线性光学金属-有机硼聚合物晶体材料制备方法
(1010803-0045-0025) 自组装发光导电纳米药物晶体和超薄膜及其制备方法
(1010803-0037-0026) 光刻用透射UV的混合氟化物晶体
(1010803-0019-0027) 稳定性优良的天冬甜素衍生物晶体的结晶方法
(1010803-0032-0028) 生产III族氮化物晶体的方法
(1010803-0017-0029) 新的天冬甜素衍生物晶体及其制造方法
(1010803-0052-0030) 制造第III族元素氮化物晶体的方法、其中所用的制造装置以及由此制造的半导体元件
(1010803-0010-0031) 互补型金属氧化物晶体管半导体器件及其制造方法
(1010803-0035-0032) 13889286189衍生物晶体、其制备所用的中间体以及其制备方法
(1010803-0033-0033) 第Ⅲ族氮化物晶体衬底、其制造方法及第Ⅲ族氮化物半导体器件
(1010803-0056-0034) 互补氮化物晶体管垂直和共用漏极
(1010803-0004-0035) 13889286189衍生物晶体、其制备所用的中间体以及其制备方法
(1010803-0014-0036) 高温氧化物晶体的退火装置
(1010803-0012-0037) 矿物晶体观赏石的涂层溶液制配方法
(1010803-0022-0038) 制备非线性光学金属-有机硼聚合物晶体材料的方法
(1010803-0053-0039) Ⅲ族氮化物晶体衬底及其制造方法，和Ⅲ族氮化物半导体器件
(1010803-0051-0040) 有机非线性光学材料L-苹果酸衍生物晶体的制备
(1010803-0060-0041) 表面处理方法、氮化物晶体衬底、半导体器件和制造方法
(1010803-0034-0042) 生长高温氧化物晶体用组合式坩埚
(1010803-0001-0043) 7－氨基－3－吡啶甲基－3－头孢菌素－4－羧酸双盐酸盐二水合物晶体及其制造方法
(1010803-0050-0044) CaB4化合物晶体及其制备方法
(1010803-0040-0045) 包含****甲磺酸盐半水合物晶体的药物组合物
(1010803-0025-0046) 高温氧化物晶体的生长炉
(1010803-0024-0047) 第III主族金属氮化物晶体的高温高压生长
(1010803-0058-0048) 第III族氮化物晶体物质的制造方法和制造装置
(1010803-0038-0049) 光刻法和空间色散最小化的紫外透射氟化物晶体
(1010803-0063-0050) 生长高温氧化物晶体用组合式坩埚
(1010803-0030-0051) 新的5-羟基氨基甲酰亚氨基-2-羟基苯磺酰胺衍生物晶体
(1010803-0011-0052) 生长高温氧化物晶体的装置
(1010803-0006-0053) 从磷酸半水合物晶体中回收*值
(1010803-0048-0054) 具有多孔道结构特征的钨配合物晶体的制备方法
(1010803-0021-0055) 一种促使矿物岩石熔体分离结晶出矿物晶体的方法
(1010803-0061-0056) 互补的横向氮化物晶体管
(1010803-0009-0057) 苯并咪唑衍生物晶体及其制备
(1010803-0029-0058) 甾族化合物晶体的制备方法和由该方法得到的晶体及所述晶体在药物制剂中的应用
(1010803-0003-0059) 多晶复合氧化物晶体及合成方法
(1010803-0043-0060) 卤化物晶体的退火方法
(1010803-0027-0061) 第Ⅲ族氮化物晶体及其制备方法以及制备第Ⅲ族氮化物晶体的设备
(1010803-0031-0062) 第III主族金属氮化物晶体的高温高压生长
(1010803-0005-0063) 用互补型金属氧化物晶体管技术实现的倒相器
制作方法 物晶体生产加工工艺制备技术 制作工艺物晶体生产加工工艺制备技术
配方比例， 物晶体生产加工工艺制备技术 技术研究应用参考物晶体生产加工工艺制备技术
购买以上《物晶体生产加工工艺制备技术》生产工艺技术资全套200元,含邮费,本市五大区可办理货到付款,咨询手机号也是微信号:15542181913 13889286189【点这进入购买帮助】
(技术说明) 公开了一种具有低位错密度的高质量第III族氮化物晶体及制备这种第III族氮化物晶体的制备方法。将第III族氮化物晶体薄膜(2)生长到衬底(1)上，且将金属薄膜(3)沉积其上。通过进行热处理，将金属薄膜(3)改变为金属氮化物薄膜(4)，并且在其中产生细孔(4h)，和在第III族氮化物晶体薄膜(2)中形成孔隙部分(2b)。通过进一步生长第III族氮化物晶体，将用于填充的第III族氮化物晶体(5)填充到所述的孔隙部分(2b)且将第III族氮化物晶体(6)生长到金属氮化物薄膜(4)上。 ， (1010803-0042-0002) 改变药物晶体形成的方法
(技术说明) 本发明提供了改变针状药用物质的结晶习性的方法，由该方法获得的晶体，和霉酚酸或霉酚酸钠的特定晶形或变体，以及含有该晶体的药物组合物、其治疗方法和用途。 ， (1010803-0049-0003) 二(L)-赖氨酸单硫酸盐三水合物晶体及其制造方法
(技术说明) 一种二L-赖氨酸单硫酸盐三水合物晶体，其具有大的片状晶形且更易于从母液中分离。该晶体通过在较低温度下进行结晶的新方法获得。 ， (1010803-0057-0004) 高电子迁移率晶体管、场效应晶体管、外延衬底、制造外延衬底的方法以及制造Ⅲ族氮化物晶体管的方法
(技术说明) 提供具有高纯度沟道层和高阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管11设有由氮化镓构成的支撑衬底13、由第一氮化镓半导体构成的缓冲层15、由第二氮化镓半导体构成的沟道层17、由第三氮化镓半导体构成的半导体层19以及用于晶体管11的电极结构(栅电极21、源电极23和漏电极25)。第三氮化镓半导体的带隙比第二氮化镓半导体更宽。第一氮化镓半导体的碳浓度NC1 ， (1010803-0044-0005) 氟化物晶体的制造装置
(技术说明) 提供可用极短的时间制造氟化物晶体的制造装置及制造方法。对装置实施改造，使之具有能处理氟化物的反应室、窗户材等，可进行高真空排气，且使种晶与熔融液容易接触，并且通过使用对坩埚坑部的毛细部进行了控制的坩埚，能够用短时间稳定地得到高品质的氟化物单晶。 ， (1010803-0015-0006) 稳定性优良的天冬甜素衍生物晶体的制备方法
(技术说明) 本申请公开了通过在绝对湿度为0.203kg/kg以下的环境下将材料温度控制维持在25～80℃，使N－(3,3－*基)－APM的B型晶体进行晶体转移，制备稳定性优良的A型晶体的方法；以及通过在绝对湿度为0.0550kg/kg以下的环境下将材料温度控制维持在25～80℃，使N－(3,3－*基)－APM的D型晶体进行晶体转移，制备稳定性优良的A型晶体的方法。采用这些结晶方法，可以低成本而且稳定地得到稳定性优良的晶体。 ， (1010803-0046-0007) 氮化物晶体、氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件及其制备方法
(技术说明) 一种氮化物晶体的特征在于，关于氮化物晶体(1)的任意特定平行晶格平面(1d)的平面间距，由|d1 ， (1010803-0047-0008) III族氮化物晶体的制造方法以及由此得到的III族氮化物晶体与应用该晶体的III族氮化物晶体基板
(技术说明) 本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法，其是在含有氮的气氛下，使含有选自Ga、Al以及In之中的至少一种III族元素和碱金属的助熔剂中含有Mg，然后在该助熔剂中进行III族氮化物晶体的生长，从而形成III族氮化物基板。由于Mg是III族氮化物晶体的P型掺杂材料，因此即使在晶体中混入Mg，晶体仍然表现出P型或半绝缘性的电特性，在电子器件的应用中不成问题。另外，通过使上述助熔剂含有Mg，在助熔剂中氮的溶解量增大，从而能够以快速生长速率进行晶体生长，晶体生长的重现性也得以提高。 ， (1010803-0018-0009) 新的天冬甜素衍生物晶体及其制造方法
(技术说明) 在使N－［N－（33－*基）－L－α－天冬氨酰基］－ L－苯基丙氨酸甲酯从其水溶液中析出时，将起晶温度控制在２５℃以下，然后根据需要或根据希望将其进一步冷却，最后对析出的晶体（Ｂ型晶体）进行固液分离并将其干燥。经过如此干燥处理的晶体是上述酯化合物的一种新型晶体（Ｄ型晶体），其溶解速度快，当用粉末Ｘ射线衍射法对该晶体进行分析时，它至少在５．４°、８．４°、１８．８°和17．６°的衍射角（2θ，CuKα线）处显示衍射X射线特征峰。 ， (1010803-0008-0010) 保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法
(技术说明) 一种保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法核心内容是：用等离子喷涂技术在铱坩埚外壁喷涂氧化锆保护层，在中性气氛下化料并保持在氧气气氛下生长晶体，晶体生长完成后，让晶体在真空中和氧化锆保温条件下自然冷却。 ， (1010803-0039-0011) 氟化物晶体的制造方法
(1010803-0036-0012) 低温低压合成氮化物晶体材料的方法
(1010803-0055-0013) Ⅲ族氮化物晶体、其制造方法以及Ⅲ族氮化物晶体衬底及半导体器件
(1010803-0007-0014) 制备铋系超导氧化物晶体的新方法(熔盐反应法）
(1010803-0026-0015) 稀土硫代氧化物晶体的生长方法
(1010803-0016-0016) 制造高熔点苯氧基*衍生物晶体的方法
(1010803-0054-0017) 含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法
(1010803-0020-0018) 水热条件下制备氮化物超微粉和氮化物晶体的方法
(1010803-0028-0019) 苯并咪唑衍生物晶体及其制备
(1010803-0013-0020) 二苯并噻氮杂?衍生物晶体及其作抗精神病药的应用
(1010803-0059-0021) 处理Ⅲ族氮化物晶体表面的方法和Ⅲ族氮化物晶体衬底
(1010803-0002-0022) 光学制版用的氟化物晶体透镜的坯体
(1010803-0062-0023) 近红外光上转换氟化物晶体的水热生长方法
(1010803-0023-0024) 同手性非线性光学金属-有机硼聚合物晶体材料制备方法
(1010803-0045-0025) 自组装发光导电纳米药物晶体和超薄膜及其制备方法
(1010803-0037-0026) 光刻用透射UV的混合氟化物晶体
(1010803-0019-0027) 稳定性优良的天冬甜素衍生物晶体的结晶方法
(1010803-0032-0028) 生产III族氮化物晶体的方法
(1010803-0017-0029) 新的天冬甜素衍生物晶体及其制造方法
(1010803-0052-0030) 制造第III族元素氮化物晶体的方法、其中所用的制造装置以及由此制造的半导体元件
(1010803-0010-0031) 互补型金属氧化物晶体管半导体器件及其制造方法
(1010803-0035-0032) 13889286189衍生物晶体、其制备所用的中间体以及其制备方法
(1010803-0033-0033) 第Ⅲ族氮化物晶体衬底、其制造方法及第Ⅲ族氮化物半导体器件
(1010803-0056-0034) 互补氮化物晶体管垂直和共用漏极
(1010803-0004-0035) 13889286189衍生物晶体、其制备所用的中间体以及其制备方法
(1010803-0014-0036) 高温氧化物晶体的退火装置
(1010803-0012-0037) 矿物晶体观赏石的涂层溶液制配方法
(1010803-0022-0038) 制备非线性光学金属-有机硼聚合物晶体材料的方法
(1010803-0053-0039) Ⅲ族氮化物晶体衬底及其制造方法，和Ⅲ族氮化物半导体器件
(1010803-0051-0040) 有机非线性光学材料L-苹果酸衍生物晶体的制备
(1010803-0060-0041) 表面处理方法、氮化物晶体衬底、半导体器件和制造方法
(1010803-0034-0042) 生长高温氧化物晶体用组合式坩埚
(1010803-0001-0043) 7－氨基－3－吡啶甲基－3－头孢菌素－4－羧酸双盐酸盐二水合物晶体及其制造方法
(1010803-0050-0044) CaB4化合物晶体及其制备方法
(1010803-0040-0045) 包含****甲磺酸盐半水合物晶体的药物组合物
(1010803-0025-0046) 高温氧化物晶体的生长炉
(1010803-0024-0047) 第III主族金属氮化物晶体的高温高压生长
(1010803-0058-0048) 第III族氮化物晶体物质的制造方法和制造装置
(1010803-0038-0049) 光刻法和空间色散最小化的紫外透射氟化物晶体
(1010803-0063-0050) 生长高温氧化物晶体用组合式坩埚
(1010803-0030-0051) 新的5-羟基氨基甲酰亚氨基-2-羟基苯磺酰胺衍生物晶体
(1010803-0011-0052) 生长高温氧化物晶体的装置
(1010803-0006-0053) 从磷酸半水合物晶体中回收*值
(1010803-0048-0054) 具有多孔道结构特征的钨配合物晶体的制备方法
(1010803-0021-0055) 一种促使矿物岩石熔体分离结晶出矿物晶体的方法
(1010803-0061-0056) 互补的横向氮化物晶体管
(1010803-0009-0057) 苯并咪唑衍生物晶体及其制备
(1010803-0029-0058) 甾族化合物晶体的制备方法和由该方法得到的晶体及所述晶体在药物制剂中的应用
(1010803-0003-0059) 多晶复合氧化物晶体及合成方法
(1010803-0043-0060) 卤化物晶体的退火方法
(1010803-0027-0061) 第Ⅲ族氮化物晶体及其制备方法以及制备第Ⅲ族氮化物晶体的设备
(1010803-0031-0062) 第III主族金属氮化物晶体的高温高压生长
(1010803-0005-0063) 用互补型金属氧化物晶体管技术实现的倒相器
制作方法 物晶体生产加工工艺制备技术 制作工艺物晶体生产加工工艺制备技术
配方比例， 物晶体生产加工工艺制备技术 技术研究应用参考物晶体生产加工工艺制备技术
购买以上《物晶体生产加工工艺制备技术》生产工艺技术资全套200元,含邮费,本市五大区可办理货到付款,咨询手机号也是微信号:15542181913 13889286189【点这进入购买帮助】
