单晶炉生产加工工艺制备技术
作者：百创科技 能源燃料来源：本站原创 点击数： 更新时间：2024/2/5
(1000042-0036-0001) 一种用于单晶炉上的轴向集线器
(技术说明) 一种用于单晶炉上的轴向集线器，在籽晶杆上套接有轴向动环，在该轴向动环上套有轴向静环，在动环内设置有一组环形动电极，在轴向静环内设置有一组与环形动电极相对应的环形静电极。该轴向静环用固定在机体上不旋转，该轴向动环随籽晶杆一同旋转，该动、静环形电极中的数个彼此隔离的同心圆环，靠端面接触，将动环上的电信号传至静环上，再通过引线传至机器仪表中，该轴向静环靠其自身压在动环上，使动、静环形电极中的数个彼此隔离的同心圆环端部磨损比较均匀。所述的环形动电极的下部由环氧树脂浇铸与轴向动环固化连接为一体；所述的环形静电极的上部由环氧树脂浇铸与轴向静环固化连接为一体。本实用新型的优点是，结构简单，工作性能稳定可靠。
(1000042-0048-0002) 软轴单晶硅炉
(技术说明) 本实用新型属于一种软轴单晶硅炉，采用硅籽晶提升结构的旋转和提拉为软轴，软轴为钢丝绳，穿过箱体的传动轴内的花键轴上设有绕丝轮，绕丝轮和轴接在箱体内的压套轮相交，与两轮相交点对应箱体的压盖上设有带阻尼套的进线口，钢丝绳一端接在绕丝轮上，另一端穿过带阻尼套的进线口连接位于主炉室内的重锤，电机通过减速箱带动传动轴转动。本实用新型能用简单的结构实现旋转提拉稳定性好，降低设备高度，达到理想的使用效果。
(1000042-0004-0003) 一种直拉硅单晶炉的熔硅液面位置的控制方法
(技术说明) 一种直拉硅单晶炉的熔硅液面位置的控制方法，它包括以下几个步骤：获得热屏倒影的数据；对数据进行处理，得到D；与D0
(1000042-0023-0004) 一种防止单晶炉软轴抖动的方法及阻止抖动的阻尼器
(技术说明) 本发明介绍的一种防止单晶炉软轴抖动的方法是：在软轴上部中心位置处增设一块由电磁铁吸合的有孔阻尼片，让软轴穿过电磁铁与阻尼片组成的的中心通道，形成减少或消除软轴横向抖动的主体机构。这种阻止软轴抖动的阻尼器，由电磁铁、阻尼片及通过导线与电磁铁电连接的电流、电压控制器组成，所述的阻尼片置于电磁铁一端、与软轴相垂直的平面上，垂直状悬置的软轴穿过阻尼片的中心孔中；所述的电磁铁经导线与单晶炉体外的电流、电压控制器电连接。该方法或装置可以依据单晶成长中抖动幅度的大小来调整电磁铁产生的阻力的相应大小。因此能十分有效地减轻或消除因软轴抖动带来的多种弊端。
(1000042-0034-0005) 单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法
(技术说明) 本发明涉及一种单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法。该方法采用炭纤维无纬布与薄炭纤维网胎交替环向缠绕，径向针刺制成低密度准三向保温罩预制体；通过糠酮树脂真空浸渍、固化和炭化致密保温罩预制体，反复致密2-4次，达到密度≥1.2g/cm3
(1000042-0024-0006) 区熔硅单晶炉电气控制系统
(技术说明) 本发明涉及一种用于生产区熔硅单晶的大型设备，特别涉及一种用于生产气相掺杂区熔硅单晶的区熔硅单晶炉电气控制系统。它包括中心控制部分、电机控制部分、控制面板、及掺杂气体控制部分；所述的中心控制部分包括含有通讯模块与输入输出模块、模拟量输入输出模块及与之相连的可编程逻辑控制器；所述的电机控制部分包括数字运动控制器、互连模块、手动调速编码器、伺服驱动器及伺服电机；所述的掺杂气体控制部分包括气体保护部分使用的氩气、氮气的气体质量流量计及掺杂箱部分；所述的控制面板为触摸屏式控制面板。该系统具有操作方便、控制精度及可靠性高等优点，从而满足多元化产品的工艺要求。
(1000042-0012-0007) 单晶硅炉传动轴用磁性液体密封装置
(技术说明) 本实用新型介绍的单晶硅炉传动轴用磁性液体密封装置，包括上传动密封构件和下传动密封构件构成，其特征在于所述传动轴上设置着一个由传动轴与辅助支架、螺母、或紧固螺栓、旋转盖、密封垫圈等组合成的可密封区间，在该区间段内的传动轴上交错迭置着若干片环状极靴和环状永磁体，其上下两顶部各置一密封垫圈、在贴近传动轴的极靴内径面上，开设有若干凹槽，在极靴的极齿与传动轴微小间隙内充填着磁性液体。
(1000042-0031-0008) 一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置
(技术说明) 一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置，方法是：在单晶炉晶体停止加热后，向单晶炉室内通入空气，所述的装置包括三通管、管道、阀门和流量计。本发明的优点是：本方法和设备简单，操作方便，可清除在晶体生长期间，在炉室及真空管道的内表面上沉结的大量SiO(又称挥发物)防止在拉制晶体结束后，清理炉室时，遇到空气时，发生燃烧甚至**。
(1000042-0005-0009) 一种用于单晶炉的柔性水冷金属电极
(技术说明) 一种用于单晶炉的柔性水冷金属电极，它包括有水冷铜管电极、不锈钢电极夹头、铜密封套，所述的水冷铜管电极的下部与不锈钢电极夹头进行焊接，并形成水冷循环，所述的水冷铜管电极的上部穿过铜密封套，并与铜密封套进行密封焊接。所述的水冷铜管电极是一根完整的水冷铜管，该水冷铜管穿过所述的不锈钢电极夹头后，再穿回不锈钢电极夹头形成水冷循环。由于水冷铜管具有塑性变形能力，可以在外力作用下产生适当的形变，从而可以比较方便地在一定范围内移动不锈钢电极夹头的位置，从而改变不锈钢电极和石墨电极与加热器的连接点的位置。有利于消除加工、装配和时效变形等因素造成的误差有利于精确的固定加热器，从而获得良好热场。
(1000042-0037-0010) 单晶炉的保温装置
(技术说明) 本实用新型涉及一种单晶炉的保温装置。该装置具有热屏、保温罩和保温炉底。保温罩为碳纤维或石墨制成的中空柱体，保温罩设置在保温炉底的上端，热屏设置在保温罩的上端。本实用新型的碳纤维制成的保温罩和保温炉底，大大降低了单晶炉的使用功率，相对于现有的单晶炉可节能20％至30％；同时使单晶炉中的熔硅和晶体具有较好的纵向温度梯度，利于提高单晶硅晶体生长的成品率。当保温炉底上还具有碳毡制成的隔温层时，能进一步提高保温性能。当在隔温层上设置压片，在隔温层的轴孔和电源孔处设置空心隔离圆柱时，能提高的受压强度，同时隔温层中的碳毡不易变形，延长了使用寿命。当保温裹层裹绕在保温罩外侧时，能提高单晶炉侧面的保温性能。
(1000042-0028-0011) 单晶硅拉制炉用热场炭/炭导流筒的制备方法
(1000042-0015-0012) 一种用于直拉硅单晶炉热场的主发热体
(1000042-0011-0013) 制备六硼化镧单晶用区域熔炼炉
(1000042-0003-0014) 浮力提拉单晶炉
(1000042-0017-0015) 直拉单晶炉双CCD测量光学系统
(1000042-0010-0016) 区熔单晶炉单晶硅棒夹持机构
(1000042-0050-0017) 一种具有保护气控制装置的直拉单晶炉
(1000042-0013-0018) 下开平动式直拉单晶炉
(1000042-0019-0019) 单晶炉勾形电磁场装置
(1000042-0008-0020) 一种密封式单晶炉
(1000042-0007-0021) 一种双区加热真空感应单晶炉
(1000042-0030-0022) 节能型直拉单晶炉
(1000042-0021-0023) 一种制备氧化镁单晶的直流电弧炉
(1000042-0032-0024) 一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉
(1000042-0018-0025) 一种应用于单晶炉的加料管
(1000042-0047-0026) 单晶硅炉控制装置
(1000042-0044-0027) 太阳能硅单晶炉的组合铜排
(1000042-0020-0028) 单晶炉三维热场分布全自动测试系统及其测试方法
(1000042-0052-0029) 用于硅单晶炉的坩埚轴传动部件
(1000042-0025-0030) 单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭隔热屏的制备方法
(1000042-0045-0031) 区熔单晶硅炉
(1000042-0043-0032) 太阳能硅单晶炉的冷却水系统
(1000042-0026-0033) 单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的制备方法
(1000042-0027-0034) 单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法
(1000042-0002-0035) 直拉硅单晶炉热屏方法及热屏蔽器
(1000042-0029-0036) 一种多坩埚下降法单晶生长炉
(1000042-0006-0037) 单晶炉的多管式结构
(1000042-0046-0038) 区熔单晶硅生长炉
(1000042-0039-0039) 带可旋转托盘的单晶炉
(1000042-0009-0040) 单晶炉等径提拉装置
(1000042-0035-0041) 单晶材料生产的新炉型
(1000042-0033-0042) 单晶炉中籽晶与熔融硅液面接触的检测方法
(1000042-0041-0043) 生长*化镓单晶的温控炉
(1000042-0001-0044) 直拉硅单晶炉热场的气流控制方法及装置
(1000042-0014-0045) 单晶硅炉传动轴用磁性流体密封装置
(1000042-0049-0046) 一种单晶炉移动热屏装置
(1000042-0051-0047) 一种用于单晶炉的柔性水冷金属电极
(1000042-0016-0048) 单晶炉坩埚托
(1000042-0022-0049) 单晶炉的保温装置
(1000042-0038-0050) 硅单晶炉热系统装置
(1000042-0040-0051) 区熔硅单晶炉电气控制装置
(1000042-0042-0052) 一种带有后氧化装置的直拉硅单晶炉
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(技术说明) 一种用于单晶炉上的轴向集线器，在籽晶杆上套接有轴向动环，在该轴向动环上套有轴向静环，在动环内设置有一组环形动电极，在轴向静环内设置有一组与环形动电极相对应的环形静电极。该轴向静环用固定在机体上不旋转，该轴向动环随籽晶杆一同旋转，该动、静环形电极中的数个彼此隔离的同心圆环，靠端面接触，将动环上的电信号传至静环上，再通过引线传至机器仪表中，该轴向静环靠其自身压在动环上，使动、静环形电极中的数个彼此隔离的同心圆环端部磨损比较均匀。所述的环形动电极的下部由环氧树脂浇铸与轴向动环固化连接为一体；所述的环形静电极的上部由环氧树脂浇铸与轴向静环固化连接为一体。本实用新型的优点是，结构简单，工作性能稳定可靠。
(1000042-0048-0002) 软轴单晶硅炉
(技术说明) 本实用新型属于一种软轴单晶硅炉，采用硅籽晶提升结构的旋转和提拉为软轴，软轴为钢丝绳，穿过箱体的传动轴内的花键轴上设有绕丝轮，绕丝轮和轴接在箱体内的压套轮相交，与两轮相交点对应箱体的压盖上设有带阻尼套的进线口，钢丝绳一端接在绕丝轮上，另一端穿过带阻尼套的进线口连接位于主炉室内的重锤，电机通过减速箱带动传动轴转动。本实用新型能用简单的结构实现旋转提拉稳定性好，降低设备高度，达到理想的使用效果。
(1000042-0004-0003) 一种直拉硅单晶炉的熔硅液面位置的控制方法
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(1000042-0023-0004) 一种防止单晶炉软轴抖动的方法及阻止抖动的阻尼器
(技术说明) 本发明介绍的一种防止单晶炉软轴抖动的方法是：在软轴上部中心位置处增设一块由电磁铁吸合的有孔阻尼片，让软轴穿过电磁铁与阻尼片组成的的中心通道，形成减少或消除软轴横向抖动的主体机构。这种阻止软轴抖动的阻尼器，由电磁铁、阻尼片及通过导线与电磁铁电连接的电流、电压控制器组成，所述的阻尼片置于电磁铁一端、与软轴相垂直的平面上，垂直状悬置的软轴穿过阻尼片的中心孔中；所述的电磁铁经导线与单晶炉体外的电流、电压控制器电连接。该方法或装置可以依据单晶成长中抖动幅度的大小来调整电磁铁产生的阻力的相应大小。因此能十分有效地减轻或消除因软轴抖动带来的多种弊端。
(1000042-0034-0005) 单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法
(技术说明) 本发明涉及一种单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法。该方法采用炭纤维无纬布与薄炭纤维网胎交替环向缠绕，径向针刺制成低密度准三向保温罩预制体；通过糠酮树脂真空浸渍、固化和炭化致密保温罩预制体，反复致密2-4次，达到密度≥1.2g/cm3
(1000042-0024-0006) 区熔硅单晶炉电气控制系统
(技术说明) 本发明涉及一种用于生产区熔硅单晶的大型设备，特别涉及一种用于生产气相掺杂区熔硅单晶的区熔硅单晶炉电气控制系统。它包括中心控制部分、电机控制部分、控制面板、及掺杂气体控制部分；所述的中心控制部分包括含有通讯模块与输入输出模块、模拟量输入输出模块及与之相连的可编程逻辑控制器；所述的电机控制部分包括数字运动控制器、互连模块、手动调速编码器、伺服驱动器及伺服电机；所述的掺杂气体控制部分包括气体保护部分使用的氩气、氮气的气体质量流量计及掺杂箱部分；所述的控制面板为触摸屏式控制面板。该系统具有操作方便、控制精度及可靠性高等优点，从而满足多元化产品的工艺要求。
(1000042-0012-0007) 单晶硅炉传动轴用磁性液体密封装置
(技术说明) 本实用新型介绍的单晶硅炉传动轴用磁性液体密封装置，包括上传动密封构件和下传动密封构件构成，其特征在于所述传动轴上设置着一个由传动轴与辅助支架、螺母、或紧固螺栓、旋转盖、密封垫圈等组合成的可密封区间，在该区间段内的传动轴上交错迭置着若干片环状极靴和环状永磁体，其上下两顶部各置一密封垫圈、在贴近传动轴的极靴内径面上，开设有若干凹槽，在极靴的极齿与传动轴微小间隙内充填着磁性液体。
(1000042-0031-0008) 一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置
(技术说明) 一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置，方法是：在单晶炉晶体停止加热后，向单晶炉室内通入空气，所述的装置包括三通管、管道、阀门和流量计。本发明的优点是：本方法和设备简单，操作方便，可清除在晶体生长期间，在炉室及真空管道的内表面上沉结的大量SiO(又称挥发物)防止在拉制晶体结束后，清理炉室时，遇到空气时，发生燃烧甚至**。
(1000042-0005-0009) 一种用于单晶炉的柔性水冷金属电极
(技术说明) 一种用于单晶炉的柔性水冷金属电极，它包括有水冷铜管电极、不锈钢电极夹头、铜密封套，所述的水冷铜管电极的下部与不锈钢电极夹头进行焊接，并形成水冷循环，所述的水冷铜管电极的上部穿过铜密封套，并与铜密封套进行密封焊接。所述的水冷铜管电极是一根完整的水冷铜管，该水冷铜管穿过所述的不锈钢电极夹头后，再穿回不锈钢电极夹头形成水冷循环。由于水冷铜管具有塑性变形能力，可以在外力作用下产生适当的形变，从而可以比较方便地在一定范围内移动不锈钢电极夹头的位置，从而改变不锈钢电极和石墨电极与加热器的连接点的位置。有利于消除加工、装配和时效变形等因素造成的误差有利于精确的固定加热器，从而获得良好热场。
(1000042-0037-0010) 单晶炉的保温装置
(技术说明) 本实用新型涉及一种单晶炉的保温装置。该装置具有热屏、保温罩和保温炉底。保温罩为碳纤维或石墨制成的中空柱体，保温罩设置在保温炉底的上端，热屏设置在保温罩的上端。本实用新型的碳纤维制成的保温罩和保温炉底，大大降低了单晶炉的使用功率，相对于现有的单晶炉可节能20％至30％；同时使单晶炉中的熔硅和晶体具有较好的纵向温度梯度，利于提高单晶硅晶体生长的成品率。当保温炉底上还具有碳毡制成的隔温层时，能进一步提高保温性能。当在隔温层上设置压片，在隔温层的轴孔和电源孔处设置空心隔离圆柱时，能提高的受压强度，同时隔温层中的碳毡不易变形，延长了使用寿命。当保温裹层裹绕在保温罩外侧时，能提高单晶炉侧面的保温性能。
(1000042-0028-0011) 单晶硅拉制炉用热场炭/炭导流筒的制备方法
(1000042-0015-0012) 一种用于直拉硅单晶炉热场的主发热体
(1000042-0011-0013) 制备六硼化镧单晶用区域熔炼炉
(1000042-0003-0014) 浮力提拉单晶炉
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(1000042-0050-0017) 一种具有保护气控制装置的直拉单晶炉
(1000042-0013-0018) 下开平动式直拉单晶炉
(1000042-0019-0019) 单晶炉勾形电磁场装置
(1000042-0008-0020) 一种密封式单晶炉
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(1000042-0030-0022) 节能型直拉单晶炉
(1000042-0021-0023) 一种制备氧化镁单晶的直流电弧炉
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(1000042-0018-0025) 一种应用于单晶炉的加料管
(1000042-0047-0026) 单晶硅炉控制装置
(1000042-0044-0027) 太阳能硅单晶炉的组合铜排
(1000042-0020-0028) 单晶炉三维热场分布全自动测试系统及其测试方法
(1000042-0052-0029) 用于硅单晶炉的坩埚轴传动部件
(1000042-0025-0030) 单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭隔热屏的制备方法
(1000042-0045-0031) 区熔单晶硅炉
(1000042-0043-0032) 太阳能硅单晶炉的冷却水系统
(1000042-0026-0033) 单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的制备方法
(1000042-0027-0034) 单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法
(1000042-0002-0035) 直拉硅单晶炉热屏方法及热屏蔽器
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