(1006082-0003-0001) 偏硼酸钡(β-BBO)单晶的恒液面提拉法生长
(技术说明) 一种采用恒液面法连续提拉β－ＢＢＯ大单晶，用伺服坩埚进行间歇加料，伺服坩埚与生长坩埚连通，可以实现边加料、边提拉。由于生长过程中温场恒定，晶体完整性好、透明度高、包裹体少。晶体尺寸大等优点，可大幅度提高成品率。
(1006082-0013-0002) 脉冲激光淀积法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜
(技术说明) 一种脉冲激光淀积法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜，它是采用脉冲激光淀积法，将α-BBO靶材的表层分子熔蒸出来，在加热的α-BBO衬底上淀积生成β-BBO单晶薄膜。本方法可以在α-BBO衬底上生长出符合需要的微米量级的β-BBO单晶薄膜，不仅节省材料，还可以批量生产，对激光技术以及集成光学的发展具有重要的意义。
(1006082-0002-0003) 熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶
(技术说明) 关于熔盐籽晶法生长晶体的方法。用这种方法生长的低温相偏硼酸钡单晶，经全面性能测试工作，证实该晶体是一种优良的非线性光学、热电等多功能材料，其培养方法包括配料、下籽晶、生长三个步骤，采用Ｎａ2
(1006082-0011-0004) 磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜
(技术说明) 一种磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜，其特征是选取β-BBO陶瓷靶材或β-BBO单晶靶材，采用磁控溅射方法在α-BBO单晶衬底上形成一层β-BBO/α-BBO复合单晶薄膜。本发明方法克服了在先技术生长体单晶加工困难的问题，极大的节省了材料。本发明适宜批量生产，能够满足激光技术迅猛发展的市场需求，具有良好的经济效益。
(1006082-0005-0005) 溶剂恒液面提拉生长β－偏硼酸钡的方法
(技术说明) 本发明涉及一种用溶剂恒液面提拉生长β－偏硼酸钡（β－ＢＢａ）单晶的方法，属于晶体生长领域。$本发明生长熔剂可分别采用Ｎa2
(1006082-0006-0006) 高温相偏硼酸钡(α－BaB2O4)晶体的生长方法
(技术说明) 一种高温相偏硼酸钡（α－ＢａＢ２
(1006082-0010-0007) 低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法
(技术说明) 一种低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法，包括如下具体步骤：在铂金坩埚内，放置有带气孔的Li2
(1006082-0007-0008) 气冷晶体法生长低温相偏硼酸钡大单晶
(技术说明) 气冷晶体法生长低温相偏硼酸钡（β－ＢＢＯ）大单晶的要点是在用熔盐提拉法或熔盐籽晶法生长ＢＢＯ晶体时，用压缩气体通过导管连续的吹向正在生长的晶体的上表面。由于晶体表面不断受到冷却，加快了生长界面处结晶时结晶热的散发和晶体生长界面处的排杂过程，从而提高了晶体的生长速度和质量。这一新技术的应用，使ＢＢＯ晶体的生长速度提高了３～５倍，达１．５～２．５mm／天。晶体在紫外波段（２００～３４０mm）的透过率提高了１０％，达８０％以上。
(1006082-0012-0009) 一种低温相偏硼酸钡纳米粉体的制备方法
(技术说明) 一种制备无团聚低温相偏硼酸钡(BBO)纳米粉体的方法，属于精细化工领域。本发明的主要特征是以无机钡盐和硼酸的水溶液为原料，以有机胺为沉淀剂，沉淀过滤、干燥，在650～850℃之间煅烧，可获得平均粒径为40纳米的无团聚，无杂相的BBO纳米粉体。该方法突出特点是：原料采用无机盐，不必加表面活性剂，不必减压干燥、离心分离，可得到无团聚，无杂相，高纯度的BBO纳米粉体。该方法制备的粉体质量好，工艺简单稳定生产成本低，易实现大规模生产。
(1006082-0008-0010) 低温相偏硼酸钡纳米粉的制备方法
(技术说明)
(1006082-0004-0011) 改进的熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶
(1006082-0001-0012) 低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法
(1006082-0009-0013) 水热反应制备偏硼酸钡纳米线的方法
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