硅片生产加工工艺制备技术大全
作者：百创科技 能源燃料来源：本站原创 点击数： 更新时间：2024/2/5
(1008460-0071-0001) 硅片边缘曝光系统及其光强控制方法
(技术说明) 本发明提出了一种硅片边缘曝光系统及其光强控制方法，所述系统包括可旋转硅片承载台、曝光光源与光纤、成像镜头、控制计算机以及光强控制装置组成，所述方法通过设置光筛位置后，使用光强控制装置标定曝光光强，通过光源内部光强闭环反馈控制光强的恒定输出，通过检测光筛的位置判断当前是否需要重新标定，通过光强的标定数据控制曝光光源开关和硅片旋转台的旋转时间；应用本发明的系统及方法能够实现光强的阶梯式恒定输出，既充分利于了汞灯光源的强度，又保证了一定时间内的光强恒定输出，提高了硅片边缘曝光工艺的效率和可靠性，此外本发明能够实现多套硅片边缘曝光系统使用一套测光系统，并进一步提出了简化光强控制装置，节省了设备成本。
(1008460-0196-0002) 湿法去除硅片背面钴沾污的方法
(技术说明) 本发明公开了一种湿法去除硅片背面钴(Co)沾污的方法，其在背面旋转刻蚀装置上使用混酸来进行硅片背面钴沾污洗净，包括如下步骤：第一步，混酸药液处理5-10秒，药液温度为25-35℃；第二步，用去离子水进行水洗；第三步，N2
(1008460-0184-0003) 一种硅片预对准装置
(技术说明) 本发明属于集成电路装备制造技术领域，特别涉及一种硅片预对准装置及其方法。该预对准装置包括：水平对心单元，TCD检测单元，投光单元，承片台单元和数据转化及控制单元。其中水平对心单元用于调整硅片的Y向偏移；TCD检测单元用于检测硅片的边缘以及切边或缺口的位置；投光单元用于发射平行光束；承片台单元用于旋转和升降硅片；数据转化及控制单元用于接收、转化和发送TCD检测单元的光强信号，控制步进电机的运动。本发明的效果和益处是利用该装置的方法用光学检测仪器配合简单的机构实现了硅片的高精度定位，其算法简单，成本低，可以补偿硅片在传输过程中的定位误差，实现对硅片几何中心和切边或缺口的精确定位。
(1008460-0227-0004) 用于平滑转移方硅片的机械工具及其转移方法
(技术说明) 本发明公开了用于平滑转移方硅片的机械工具及其转移方法，所述机械工具包含一底座、四定位及一推手；所述转移方法包含步骤：将一空的接受方方形硅片盒放置于四个定位内；固定四个定位至所述空的接受方方形硅片盒两侧；将转移方硅片盒放置于四个定位与推手之间；移动推手将转移方硅片盒内的硅片推到空的接受方方形硅片盒中；取出已装满硅片的接受方方形硅盒；从而达到转移硅片之目的。本发明由于提供了用于转移方硅片的机械工具，使得转移方硅片效率大增，同时减小硅片破碎率，更方便使用和在业内作为工具进行传播。
(1008460-0153-0005) 片盒中硅片状态检测及其圆心重定位方法
(技术说明) 本发明涉及片盒中硅片状态检测及其圆心重定位方法，属于IC制造技术领域。硅片状态检测方法为：设置光强阈值I0
(1008460-0021-0006) 从超高纯石英材料冶炼并直接铸锭的设备及至切片制取太阳能级硅片的工艺
(技术说明) 从超高纯石英材料（石英砂或／和石英制品废料）经过电炉冶炼获得的熔硅直接进行铸锭定向凝固成无开裂多晶硅锭的设备及至脱模取出硅锭后直接切片的工艺，以作为生产多晶硅太阳能电池的硅片材料。这是一种低成本生产多晶硅太阳能电池材料的新方法，可以大大降低生产多晶硅太阳电池的成本，或者采用此项新方法来获得专业生产多晶硅片的较高利润，另一方面也可以成为大大提高天然超高纯石英砂以及某些石英制品废料的利用价值的途径。
(1008460-0271-0007) 晶体硅硅片扩散炉
(技术说明) 本实用新型涉及一种晶体硅硅片扩散炉，包括：石英管腔体，其两端设置有载入、载出端开口，并具有气幕帘和机械端盖。石英管腔体载入端设置有驱动载入碳化硅桨叶的载入传动机构。载入碳化硅桨叶上放置有装载待扩散处理晶体硅片的石英舟。在石英管腔体内，载入碳化硅桨叶将石英舟放置在与之交错设置的载出碳化硅桨叶上。载出碳化硅桨叶由石英管腔体载出端的载出传动机构驱动。晶体硅片经扩散处理后，载出碳化硅桨叶从石英管腔体的另一端载出石英舟。从而构成一种双向装、卸晶体硅片的石英管式扩散炉，其硅片的载入和载出可同时、同方向完成，达到了结构简单、提高效率，降低成本等有益效果。
(1008460-0147-0008) 用于大直径硅片储存和运输的包装容器
(技术说明) 本发明涉及一种硅片包装容器，包括：一个箱体，包括前部开口和带有开口的后部面板；两个平板端壁，其中一个端壁外侧成型有Y型定位卡口；两面相对立的侧壁，侧壁上包含多个有固定间距的齿条；一个用于密封箱体前部开口的前盖；一个用于密封箱体后部面板开口的后盖；两个用于衬托硅片的衬垫；三只用于定位箱体的卡件。该包装容器用于硅片生产过程，提高了生产效率，并使硅片取放方便。
(1008460-0243-0009) 硅片电镀用的科研实验系统
(技术说明) 硅片电镀用的科研实验系统属于硅片微细加工装置技术领域，其特征在于，用一个沿着电镀槽宽度方向固定于电镀槽内壁的支撑板相对地固定阳极和阴极，从而在该支撑板和电镀槽底板之间形成一个供电镀工作区电镀液流动的通道，螺旋桨在沿着电镀槽长度方向一侧设立的电机带动下，使得电镀液通过所述通道流向电镀槽长度方向的另一侧，再通过沿着电镀槽长度方向从电极外侧固定在所述匀流板上的多个圆孔，使电镀液在电镀工作区内流速上下一致地流过挂在阴极上的硅片的表面，再通过另一块匀流板上的通孔流出，使得硅片上得到均匀的镀层。所述科研实验系统填充了硅片电镀的空白，满足了科学研究的需要。
(1008460-0278-0010) 300mm硅片倒片装置
(技术说明) 一种300mm硅片倒片装置，它包括：花篮固定底座1，底座下部设两根导杆6，在导杆轴向的前后位置上各设一个推杆2，推杆的下部设支架，支架上设滑动件，滑动件与导杆上配合，在底座的两种花蓝之间设有两个滑移导轨3，所述花篮固定底座上有四氟花篮固定销4和PP花篮固定销5。本实用新型的优点是该装置结构紧凑，操作简便，使大尺寸硅片能顺利地在两种花篮之间进行互相传递，倒片效果好，提高VLSI和ULSI的制备性能与成品率。
(1008460-0150-0011) 二维并联驱动的硅片搬运机器人
(1008460-0128-0012) 在减低压力的情况下掺杂、扩散及氧化硅片的方法和装置
(1008460-0190-0013) 一种特殊结构的硅片、其用途和制备方法
(1008460-0003-0014) 一种利用，110，硅片制作的微机械光开关
(1008460-0082-0015) 从硅片切割加工副产物中回收碳化硅的方法
(1008460-0195-0016) 一种减小硅片应力的半导体生产工艺方法
(1008460-0129-0017) 机加工硅片的方法
(1008460-0178-0018) 重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺
(1008460-0029-0019) 单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备方法
(1008460-0002-0020) 利用（110）硅片制作微机械光开关、光开关阵列及方法
(1008460-0155-0021) 单晶硅片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
(1008460-0164-0022) 一种硅片卸载工艺
(1008460-0063-0023) 半导体硅片刻蚀工艺的控制方法
(1008460-0166-0024) 一种在硅片上化学镀铜的方法
(1008460-0193-0025) 在SOI硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法
(1008460-0234-0026) 一种增进硅片级封装(WLP)可靠度的封装结构
(1008460-0180-0027) 一种机械手自动硅片取放系统及方法
(1008460-0076-0028) 硅片脱附的方法
(1008460-0121-0029) RF集成电路用绝缘硅片
(1008460-0124-0030) 电化学法玻璃片硅片穿孔设备
(1008460-0115-0031) 一种具有内吸杂功能的掺碳硅片及其制备方法
(1008460-0139-0032) 具有散射光强倍增系统的硅片表面缺陷检测仪
(1008460-0254-0033) 太阳能电池用的硅片处理方法
(1008460-0273-0034) 硅片清洗篮的同步夹持机械手
(1008460-0065-0035) 包含金属和粒子填充的硅片直通通路的集成电路芯片
(1008460-0213-0036) 一种清洗单硅片的方法及装置
(1008460-0022-0037) 大面积大功率器件硅片与钼散热垫板钎焊料
(1008460-0018-0038) 硅片直接键合方法
(1008460-0096-0039) 硅片镀膜用支撑钩
(1008460-0113-0040) 集成电路硅片表面颗粒清除方法
(1008460-0126-0041) 为了改进的焊剂清洗在外壳容器和小硅片之间有较大间隙的高压半导体装置壳体
(1008460-0086-0042) 硅片无蜡抛光垫
(1008460-0205-0043) 硅片生产中使用的石墨舟
(1008460-0258-0044) 硅片工艺设备用阀门
(1008460-0240-0045) 一种太阳能硅片清洗剂
(1008460-0270-0046) 硅片甩干机
(1008460-0078-0047) 一种采用过渡承接装置的光刻机硅片台双台交换系统
(1008460-0089-0048) 简易高效硅片腐蚀杯
(1008460-0289-0049) 超薄太阳能级硅片
(1008460-0075-0050) 硅片传输过程的调度方法
(1008460-0253-0051) 三扫描式硅片调焦调平测量装置、系统以及方法
(1008460-0159-0052) 单晶硅片表面自洁性二氧化钛纳米薄膜的制备方法
(1008460-0143-0053) 单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法
(1008460-0064-0054) 硅化钨硅片刻蚀的方法
(1008460-0262-0055) 硅片篮
(1008460-0004-0056) 一种在硅片上制备高效硅基发光薄膜的方法
(1008460-0236-0057) 加工研磨硅片载体的专用模具
(1008460-0251-0058) 硅片清洗剂及其制备方法
(1008460-0246-0059) 硅片研磨表面应力消减方法
(1008460-0219-0060) 一种硅片腐蚀液
(1008460-0112-0061) 用于控制理想氧沉淀硅片中洁净区深度的方法
(1008460-0198-0062) 一种自动调节化学机械抛光设备硅片研磨压力的方法
(1008460-0106-0063) 一种直拉硅片的内吸杂工艺
(1008460-0211-0064) 硅片研磨表面划伤的控制方法
(1008460-0062-0065) 清洗硅片刻蚀腔室的方法
(1008460-0174-0066) 具有CCD传感器的硅片传输系统及传输方法
(1008460-0288-0067) 硅片电镀用的科研实验系统
(1008460-0110-0068) 具有氮/碳稳定的氧沉淀物成核中心的理想氧沉淀硅片及其制造方法
(1008460-0084-0069) 改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的方法及其装置
(1008460-0161-0070) 一种硅片卸载工艺
(1008460-0090-0071) 单晶硅片各向异性腐蚀夹具
(1008460-0185-0072) 太阳能电池制造中同时形成硅片绒面及PN结的方法
(1008460-0116-0073) 增大硅片单位面积金属-电介质-金属电容容量的方法
(1008460-0160-0074) 一种减少等离子损伤的硅片卸载工艺
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(1008460-0167-0076) p型单晶硅片的表面处理方法
(1008460-0214-0077) 热蒸发镀金硅片合成疏水性二氧化硅纳米纤维的方法
(1008460-0070-0078) 一种采用十字导轨的光刻机硅片台双台交换系统
(1008460-0130-0079) 在低温下氧化硅片的方法和用于该方法的装置
(1008460-0218-0080) 高效太阳能电池用微晶多晶硅片无切割制备方法
(1008460-0165-0081) 一种去除刻蚀工艺后硅片表面颗粒的等离子体清洗方法
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(1008460-0088-0083) 新型的硅片腐蚀装置
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(1008460-0183-0085) 层状奈米氧化硅片改质聚酰胺酸树脂组合物及由其制备的聚酰亚胺薄膜
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(1008460-0009-0089) 一种制造硅片的方法
(1008460-0040-0090) 精密平衡减振硅片台运动系统
(1008460-0199-0091) 半导体硅片的清洗装置及清洗方法
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(1008460-0102-0093) 超声波清洗单晶硅片装置
(1008460-0103-0094) 在硅片上复合ZnO纳米线的半导体基板材料及其制备方法
(1008460-0097-0095) 硅片装卸装置
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(1008460-0058-0097) 一种采用传送带结构的光刻机硅片台双台交换系统
(1008460-0083-0098) 硅片对准信号采集与处理系统及使用该系统的处理方法
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(1008460-0080-0108) 在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟薄膜的方法
(1008460-0005-0109) 形成具有洁净区的硅片的方法和装置
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(1008460-0145-0113) 倾斜入射光散射式硅片表面缺陷检测仪
(1008460-0111-0114) 硅片承载器
(1008460-0079-0115) 从硅片切割加工副产物中回收切割液的方法
(1008460-0266-0116) 太阳能硅片的热风干燥炉
(1008460-0247-0117) 硅片研磨表面粗糙度控制方法
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(1008460-0057-0120) 硅片图形缺陷在线检测方法
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(1008460-0182-0122) 一种投影式光刻机中硅片平台高度控制系统及方法
(1008460-0235-0123) 一种短波长光辅助硅片直接键合方法
(1008460-0044-0124) 超声波清洗单晶硅片方法及其装置
(1008460-0134-0125) 一种利用Cu诱导硅片表面COP的测试方法
(1008460-0030-0126) 可实现多工位加工的硅片高速传输方法及传输系统
(1008460-0275-0127) 一种硅片转移装置
(1008460-0202-0128) 基于多传感器数据融合的硅片预定位系统
(1008460-0241-0129) 大面积硅片的旋转腐蚀系统和方法
(1008460-0133-0130) 应用集成电路废弃硅片生产太阳能电池用硅片的制造方法
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(1008460-0087-0132) 薄硅片扩散硅力敏元件芯片
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(1008460-0249-0135) 浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法
(1008460-0025-0136) 用来洗涤硅片的方法
(1008460-0189-0137) 一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法
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(1008460-0048-0141) 硅片加工过程中的调度方法
(1008460-0163-0142) 一种硅片工艺试验方法
(1008460-0098-0143) 一种用于硅片无蜡抛光的整体式抛光陶瓷盘
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(1008460-0015-0145) 硅半导体器件用硅片的缺陷控制工艺
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(1008460-0201-0290) 硅片级金属测试结构电迁移测试中的温度修正方法
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(技术说明) 本发明提出了一种硅片边缘曝光系统及其光强控制方法，所述系统包括可旋转硅片承载台、曝光光源与光纤、成像镜头、控制计算机以及光强控制装置组成，所述方法通过设置光筛位置后，使用光强控制装置标定曝光光强，通过光源内部光强闭环反馈控制光强的恒定输出，通过检测光筛的位置判断当前是否需要重新标定，通过光强的标定数据控制曝光光源开关和硅片旋转台的旋转时间；应用本发明的系统及方法能够实现光强的阶梯式恒定输出，既充分利于了汞灯光源的强度，又保证了一定时间内的光强恒定输出，提高了硅片边缘曝光工艺的效率和可靠性，此外本发明能够实现多套硅片边缘曝光系统使用一套测光系统，并进一步提出了简化光强控制装置，节省了设备成本。
(1008460-0196-0002) 湿法去除硅片背面钴沾污的方法
(技术说明) 本发明公开了一种湿法去除硅片背面钴(Co)沾污的方法，其在背面旋转刻蚀装置上使用混酸来进行硅片背面钴沾污洗净，包括如下步骤：第一步，混酸药液处理5-10秒，药液温度为25-35℃；第二步，用去离子水进行水洗；第三步，N2
(1008460-0184-0003) 一种硅片预对准装置
(技术说明) 本发明属于集成电路装备制造技术领域，特别涉及一种硅片预对准装置及其方法。该预对准装置包括：水平对心单元，TCD检测单元，投光单元，承片台单元和数据转化及控制单元。其中水平对心单元用于调整硅片的Y向偏移；TCD检测单元用于检测硅片的边缘以及切边或缺口的位置；投光单元用于发射平行光束；承片台单元用于旋转和升降硅片；数据转化及控制单元用于接收、转化和发送TCD检测单元的光强信号，控制步进电机的运动。本发明的效果和益处是利用该装置的方法用光学检测仪器配合简单的机构实现了硅片的高精度定位，其算法简单，成本低，可以补偿硅片在传输过程中的定位误差，实现对硅片几何中心和切边或缺口的精确定位。
(1008460-0227-0004) 用于平滑转移方硅片的机械工具及其转移方法
(技术说明) 本发明公开了用于平滑转移方硅片的机械工具及其转移方法，所述机械工具包含一底座、四定位及一推手；所述转移方法包含步骤：将一空的接受方方形硅片盒放置于四个定位内；固定四个定位至所述空的接受方方形硅片盒两侧；将转移方硅片盒放置于四个定位与推手之间；移动推手将转移方硅片盒内的硅片推到空的接受方方形硅片盒中；取出已装满硅片的接受方方形硅盒；从而达到转移硅片之目的。本发明由于提供了用于转移方硅片的机械工具，使得转移方硅片效率大增，同时减小硅片破碎率，更方便使用和在业内作为工具进行传播。
(1008460-0153-0005) 片盒中硅片状态检测及其圆心重定位方法
(技术说明) 本发明涉及片盒中硅片状态检测及其圆心重定位方法，属于IC制造技术领域。硅片状态检测方法为：设置光强阈值I0
(1008460-0021-0006) 从超高纯石英材料冶炼并直接铸锭的设备及至切片制取太阳能级硅片的工艺
(技术说明) 从超高纯石英材料（石英砂或／和石英制品废料）经过电炉冶炼获得的熔硅直接进行铸锭定向凝固成无开裂多晶硅锭的设备及至脱模取出硅锭后直接切片的工艺，以作为生产多晶硅太阳能电池的硅片材料。这是一种低成本生产多晶硅太阳能电池材料的新方法，可以大大降低生产多晶硅太阳电池的成本，或者采用此项新方法来获得专业生产多晶硅片的较高利润，另一方面也可以成为大大提高天然超高纯石英砂以及某些石英制品废料的利用价值的途径。
(1008460-0271-0007) 晶体硅硅片扩散炉
(技术说明) 本实用新型涉及一种晶体硅硅片扩散炉，包括：石英管腔体，其两端设置有载入、载出端开口，并具有气幕帘和机械端盖。石英管腔体载入端设置有驱动载入碳化硅桨叶的载入传动机构。载入碳化硅桨叶上放置有装载待扩散处理晶体硅片的石英舟。在石英管腔体内，载入碳化硅桨叶将石英舟放置在与之交错设置的载出碳化硅桨叶上。载出碳化硅桨叶由石英管腔体载出端的载出传动机构驱动。晶体硅片经扩散处理后，载出碳化硅桨叶从石英管腔体的另一端载出石英舟。从而构成一种双向装、卸晶体硅片的石英管式扩散炉，其硅片的载入和载出可同时、同方向完成，达到了结构简单、提高效率，降低成本等有益效果。
(1008460-0147-0008) 用于大直径硅片储存和运输的包装容器
(技术说明) 本发明涉及一种硅片包装容器，包括：一个箱体，包括前部开口和带有开口的后部面板；两个平板端壁，其中一个端壁外侧成型有Y型定位卡口；两面相对立的侧壁，侧壁上包含多个有固定间距的齿条；一个用于密封箱体前部开口的前盖；一个用于密封箱体后部面板开口的后盖；两个用于衬托硅片的衬垫；三只用于定位箱体的卡件。该包装容器用于硅片生产过程，提高了生产效率，并使硅片取放方便。
(1008460-0243-0009) 硅片电镀用的科研实验系统
(技术说明) 硅片电镀用的科研实验系统属于硅片微细加工装置技术领域，其特征在于，用一个沿着电镀槽宽度方向固定于电镀槽内壁的支撑板相对地固定阳极和阴极，从而在该支撑板和电镀槽底板之间形成一个供电镀工作区电镀液流动的通道，螺旋桨在沿着电镀槽长度方向一侧设立的电机带动下，使得电镀液通过所述通道流向电镀槽长度方向的另一侧，再通过沿着电镀槽长度方向从电极外侧固定在所述匀流板上的多个圆孔，使电镀液在电镀工作区内流速上下一致地流过挂在阴极上的硅片的表面，再通过另一块匀流板上的通孔流出，使得硅片上得到均匀的镀层。所述科研实验系统填充了硅片电镀的空白，满足了科学研究的需要。
(1008460-0278-0010) 300mm硅片倒片装置
(技术说明) 一种300mm硅片倒片装置，它包括：花篮固定底座1，底座下部设两根导杆6，在导杆轴向的前后位置上各设一个推杆2，推杆的下部设支架，支架上设滑动件，滑动件与导杆上配合，在底座的两种花蓝之间设有两个滑移导轨3，所述花篮固定底座上有四氟花篮固定销4和PP花篮固定销5。本实用新型的优点是该装置结构紧凑，操作简便，使大尺寸硅片能顺利地在两种花篮之间进行互相传递，倒片效果好，提高VLSI和ULSI的制备性能与成品率。
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