沉铜技术资料,铜沉积物,层沉积,铜沉积类
[A27373-0056-0001、通过原子层沉积用于沉积铜膜的挥发性铜(Ⅰ)配合物
摘要、本发明涉及新型1，3-二亚胺铜配合物以及1，3-二亚胺铜配合物在原子层沉积工艺中用于在基材上或在多孔固体中或上沉积铜的用途。
[A27373-0071-0002、采用离子液体在锌表面预电沉积铜的方法
摘要、本发明涉及一种采用离子液体在锌表面预电沉积铜的方法。本发明方法选择合成氯化1-甲基-3-丁基-咪唑(BMIM-Cl)中间体，再与NH4BF4制备BMIBF4离子液体，然后再加入10％(BMIM-Cl)中间体溶解在BMIBF4离子液体中，最后把无水氯化亚铜加入上述离子液体中，搅拌均匀成一相后就制备出电镀铜的离子液体电解质，这种离子液体基本上不会腐蚀锌基体的表面，同时它也不会与离子液体中铜离子发生置换反应，因此可以在锌表面电镀一层铜。本发明方法离子液体预电镀铜的电流效率可以达到100％。离子液体电镀铜不会有水溶液电镀铜中产生析氢和镀层有针孔现象。离子液体电镀铜不会对环境产生污染。
[A27373-0025-0003、复合电镀制备铜基复合材料用共沉积促进剂，本发明是一种复合电镀(铸)制备铜基复合材料用共沉积促进剂，由阴离子氟碳表面活性剂、*、六次甲基四胺和硫脲四种添加剂混和配制所得，各添加剂在电镀镀液中的成分配比为：阳离子氟碳表面活性剂：1～5g，L，*：30～80ml，L，六次甲基四胺：10～50g，L，硫脲：0～30mg，L。采用上述三种或三种以上添加剂组成的混合共沉积促进剂，能有效地促进SiCp与金属铜的共沉积，大大增加SiCp在复合镀层中的含量，而且SiCp在基体金属铜中的分布均匀，从而提高Cu，SiCp复合材料的物理、力学性能，同时还能改善复合镀层的表面光洁程度。
[A27373-0052-0004、用于铜互连的电化学或化学沉积的电镀溶液及其方法
摘要、本发明提供了具有二(全氟烷磺酰基)亚胺铜或三(全氟烷磺酰基)甲基铜的电镀溶液以及使用这些电镀溶液的电化学沉积或化学沉积铜互连的方法。
[A27373-0050-0005、用于铜金属沉积的铜的吡咯基络合物
摘要、本发明涉及在通过原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的铜沉积中使用的配体和铜络合物的制备方法以及铜络合物在ALD和CVD方法中的应用。
[A27373-0085-0006、离子束增强沉积制备氮化铜薄膜的方法
摘要、本发明公开了一种离子束增强沉积制备氮化铜薄膜的方法，将高纯度的铜作为溅射靶，并用纯N2或Ar∶N2为1∶5的混合高纯气体产生的混合离子束对沉积膜轰击，垂直注入到溅射沉积膜上，离子束的加速电压为10～50kV，束流强度为1～4mA，利用样品台的公转和样品自转实现均匀注入，保证薄膜在后续的结晶热处理后得到均匀的、高取向Cu3N多晶结构，通过在SiO2，Si衬底上同时沉积制备均匀、致密、与衬底粘附良好、电阻率大于1.0×103Ω·cm的氮化铜薄膜，满足工业化生产要求；且成膜温度很低，与半导体工艺兼容，没有废物排放。
[A27373-0093-0007、用于无电铜沉积的电镀溶液
摘要、本文披露了一种无电铜电镀液。该电镀液包含了水性铜盐成分、水性钴盐成分、基于三胺的络合剂以及pH-调节物质，该pH调节物质的数量足以使该无电铜电镀液呈酸性。本文还提供了制备无电铜电镀液的方法。
[A27373-0098-0008、沉淀法制备单斜型纳米一水合二钼酸三铜的方法
摘要、本发明公开了一种沉淀法制备单斜型纳米一水合二钼酸三铜的方法。其步骤为：分别配置可溶性铜盐水溶液，可溶性钼酸盐水溶液；在10～90℃温度范围内，将铜盐水溶液加入钼酸盐的水溶液中，反应5min～2h；将第二步所得悬浊液陈化45min～24h；将上述反应液抽滤，用水反复洗涤；洗涤后经干燥，研磨即得单斜型纳米一水合二钼酸三铜。本发明由于在50分钟内就可以制备得到热稳定性较好、结晶性良好的产品，且最大产量可达到92公斤每吨水，因此其生产周期短，产率高；制备该产品的操作过程简便，且相比制备温度要求高的水热法，安全系数高；生产该产品的设备要求不高，再加上周期短，成本低。
[A27373-0079-0009、中性pH条件双电位阶跃电沉积制备铜铟硒薄膜的方法
摘要、本发明公开了一种中性pH条件双电位阶跃电沉积制备铜铟硒薄膜的方法，步骤为：(1)配制电沉积液，pH值为6.5-7.0；(2)采取双电位阶跃方式镀膜；(3)将薄膜于空气下室温干燥；(4)将薄膜于氩气氛下400℃热处理0.5小时，得到黄铜矿结构的CuInSe2薄膜。本发明首次采用双电位阶跃电沉积方法，以CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O、SeO2为原料，CirNa为络合剂，解决了CuInSe2薄膜在ZnO等耐酸碱性较差、易腐蚀性基体上的沉积问题。本发明是薄膜太阳能电池的重要组成部分，用于太阳能电池及一些光敏元件等方面。
[A27373-0023-0010、电沉积铜箔
摘要、公开了电沉积铜箔，其20％或更多的光泽面的晶体具有孪晶结构；用电解工艺制造电沉积铜箔的方法，包括制出分离的铜箔，其特征是将晶粒尺寸号为6.0的钛材料用作旋转阴极鼓，将含0.2－20mg，l的胶和，或明胶的*溶液用作电解液。该电沉积铜箔的使用可提供显示与抗蚀层粘合良好的铜箔，无需在铜箔线路蚀刻工艺的表面预处理中进行机械抛光(如磨光)。
[A27373-0055-0011、用于蚀刻铜表面的溶液和在铜表面上沉积金属的方法
[A27373-0039-0012、沉积无光泽铜镀层的铜浴及方法
[A27373-0007-0013、碳氨法浸取氧化铜矿电积沉积铜粉工艺
[A27373-0077-0014、锡晶花诱导下电沉积仿斑铜晶花表面精饰工艺
[A27373-0083-0015、用于金铜合金电解沉积的电解组合物及方法
[A27373-0016-0016、经表面加工的电沉积铜箔及其制造方法和用途，[A27373-0075-0017、微电子中的铜电沉积
[A27373-0087-0018、通过电流分布的变化控制电沉积的铜镀层的硬度
[A27373-0006-0019、非沉淀法制铜锌铝甲醇及低变催化剂
[A27373-0108-0020、一种印刷电路板沉铜装置
[A27373-0069-0021、铜籽晶层沉积温度的监测方法及铜层的形成方法
[A27373-0101-0022、电沉积铜-氮化铝高性能复合涂层镀液及其镀覆方法
[A27373-0042-0023、一种共沉淀法制备丙烯腈水合铜基催化剂的方法
[A27373-0043-0024、铜膜沉积方法
[A27373-0057-0025、作为金属铜沉积前体的草酸二铜(Ⅰ)配合物
[A27373-0073-0026、一种脉冲电沉积铜铟镓硒半导体薄膜材料的方法
[A27373-0103-0027、一种化学沉铜液的组成及其制备方法
[A27373-0047-0028、一种避免电镀沉积铜薄膜生成空穴的装置及其使用方法
[A27373-0091-0029、一种集成电路铜布线电沉积用的电解液
[A27373-0044-0030、一种钨铜梯度热沉材料及其制备方法
[A27373-0099-0031、用滚动电沉积方法制造铜包铝导线的方法
[A27373-0026-0032、从酸性铜溶液沉淀稳定的*酸铁同时保持最小的铜损失
[A27373-0080-0033、N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法
[A27373-0027-0034、铜沉淀方法
[A27373-0048-0035、电化学沉积制备形状可控的氧化亚铜微纳米晶体的方法
[A27373-0034-0036、作为用于铜金属化的阻挡层的原子层沉积氮化钽和α相钽
[A27373-0074-0037、用作铜薄膜沉积前体的铜（I）化合物
[A27373-0037-0038、用于通过原子层沉积来沉积铜膜的挥发性铜(II)配合物
[A27373-0089-0039、直接在芯片上铜互连结构的钽合金层上沉积铜的方法
[A27373-0053-0040、低聚吩嗪鎓化合物的混合物及用于电解沉积铜沉积物的酸浴
[A27373-0076-0041、光吸收和反射由铜的电沉积控制的电化学电池
[A27373-0090-0042、一种制备钨铜热沉和电子封装材料的工艺
[A27373-0081-0043、表面金属化与化学沉积制备金刚石增强铜基复合材料的方法
[A27373-0107-0044、沉铜线电镀胶封夹
[A27373-0028-0045、积体电路铜内连线晶种层的沉积方法
[A27373-0060-0046、电沉积铜箔
[A27373-0070-0047、化学共沉积制备纳米金刚石增强铜基复合材料的方法
[A27373-0078-0048、在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法
[A27373-0104-0049、一种用于从冶炼废气中回收铜的沉降设施
[A27373-0033-0050、闪速炉沉淀池双层水平铜水套冷却装置
[A27373-0022-0051、电沉积铜箔的制造方法和电沉积铜箔
[A27373-0094-0052、使用氧化剂在电气设备中处理硫化铜沉积物的方法
[A27373-0096-0053、用于薄膜沉积的铜前体
[A27373-0046-0054、一种避免电镀沉积铜薄膜生成空穴的装置及其使用方法
[A27373-0062-0055、用于电解沉积铜沉积物的含有卤化或拟卤化的单体吩嗪鎓化合物的酸浴
[A27373-0002-0056、在半导体应用的电沉积铜中缺陷的降低
[A27373-0013-0057、电沉积铜箔及其制造方法，覆铜层压物以及印刷线路板
[A27373-0106-0058、电路板沉铜线铜棒防淋罩
[A27373-0054-0059、在盐酸溶液中电解沉积铜的方法
[A27373-0040-0060、沉陷铜电极电化学微流控芯片的制备方法
[A27373-0041-0061、作为金属铜沉积前体的草酸二铜（I）络合物
[A27373-0036-0062、采用甲酸铜配合物的铜沉积方法
[A27373-0058-0063、喷涂有厚钨涂层的第一壁部件或铜合金热沉及其15542181913
[A27373-0018-0064、电沉积铜箔及其制造方法
[A27373-0031-0065、电沉积青铜的方法
[A27373-0051-0066、电沉积铜的方法
[A27373-0092-0067、用于无电铜沉积的电镀液
[A27373-0024-0068、电沉积铜箔及其物理性质的检验方法和用电沉积铜箔制成的包铜层叠物
[A27373-0021-0069、带载体的电沉积铜箔及其制造方法
[A27373-0066-0070、铜铟镓硒太阳电池窗口层沉积的一种新方法
[A27373-0038-0071、一种在水溶液中电沉积制备硫氰酸亚铜薄膜的方法
[A27373-0049-0072、电沉积制备纳米铜粉的方法
[A27373-0020-0073、有载体的电沉积铜箔及使用该电沉积铜箔制造的包铜层叠物
[A27373-0088-0074、用于将铜电沉积在表面上的表面活性的条件性抑制剂
[A27373-0030-0075、作为用于铜金属化的阻挡层的原子层沉积氮化钽和α相钽
[A27373-0001-0076、铜底基的选择性沉积方法，[A27373-0032-0077、用*络合水基电沉积液制备硫氰酸亚铜薄膜的方法
[A27373-0008-0078、氨浸沉淀法处理低品位铜渣或氧化铜矿的工艺
[A27373-0095-0079、钨铜合金热沉基片耐焊金属膜层的15542181913
[A27373-0014-0080、低密度高表面积铜粉末和制备这种铜粉末的电沉积方法
[A27373-0005-0081、用于将铜、镍、钴及其合金进行化学沉积的一种碱液浴及其工艺过程
[A27373-0097-0082、金属电镀组合物和用于沉积适合于生产薄膜太阳能电池的铜-锌-锡的方法
[A27373-0011-0083、包含沉积在含铜载体上的钯和金的乙酸乙烯酯催化剂
[A27373-0035-0084、在铜晶种沉积后的植入方法
[A27373-0004-0085、高疲劳延性的电沉积铜箔
[A27373-0003-0086、用歧化法进行铜的无氨沉积
[A27373-0082-0087、印制线路板生产工艺中化学沉铜洗涤废水的处理方法
[A27373-0072-0088、在离子型液体中电化学沉积钽和，或铜
[A27373-0029-0089、聚乙烯基铵化合物、及其制法、包含该化合物的酸性溶液和电解沉积铜沉积物的方法
[A27373-0061-0090、用于电解沉积铜涂层的含水的酸性溶液与方法及该溶液的用途
[A27373-0068-0091、电镀铜加速剂分析方法及其沉积电解液
[A27373-0017-0092、用于铜膜化学汽相沉积的新型有机亚铜前体
[A27373-0065-0093、一种无氟的化学溶剂沉积制备钇钡铜氧高温超导涂层导体的方法
[A27373-0015-0094、经表面加工的电沉积铜箔及其制造方法和用途
[A27373-0084-0095、通过气相沉积形成连续铜薄膜的方法
[A27373-0009-0096、钢表面沉积铜方法，[A27373-0045-0097、化学沉淀法制备稳定的纳米氧化亚铜晶须的方法
[A27373-0010-0098、电沉积铜箔及用一种电解液制造该铜箔的方法
[A27373-0012-0099、以沉淀硬化和固溶硬化为特征的铜基合金
[A27373-0105-0100、电镀沉铜空气冷却装置
[A27373-0059-0101、铜基沉淀硬化合金
[A27373-0063-0102、气相沉积原位反应制备碳纳米管增强铜基复合材料的方法
[A27373-0086-0103、微电子中的铜电沉积
[A27373-0064-0104、一种利用化学沉淀法获得复合粉制备铜基复合材料的方法
[A27373-0067-0105、高纯水溶性铜盐试剂的生产方法及其使用的沉淀剂
[A27373-0102-0106、一种利用特殊脉冲电源电沉积铜铟硒或铜铟镓硒薄膜的方法
[A27373-0019-0107、半导体激光器列阵铜钨合金热沉及其制备方法
[A27373-0109-0108、一种铜电解精炼或电解沉积的实验设备
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摘要、本发明涉及新型1，3-二亚胺铜配合物以及1，3-二亚胺铜配合物在原子层沉积工艺中用于在基材上或在多孔固体中或上沉积铜的用途。
[A27373-0071-0002、采用离子液体在锌表面预电沉积铜的方法
摘要、本发明涉及一种采用离子液体在锌表面预电沉积铜的方法。本发明方法选择合成氯化1-甲基-3-丁基-咪唑(BMIM-Cl)中间体，再与NH4BF4制备BMIBF4离子液体，然后再加入10％(BMIM-Cl)中间体溶解在BMIBF4离子液体中，最后把无水氯化亚铜加入上述离子液体中，搅拌均匀成一相后就制备出电镀铜的离子液体电解质，这种离子液体基本上不会腐蚀锌基体的表面，同时它也不会与离子液体中铜离子发生置换反应，因此可以在锌表面电镀一层铜。本发明方法离子液体预电镀铜的电流效率可以达到100％。离子液体电镀铜不会有水溶液电镀铜中产生析氢和镀层有针孔现象。离子液体电镀铜不会对环境产生污染。
[A27373-0025-0003、复合电镀制备铜基复合材料用共沉积促进剂，本发明是一种复合电镀(铸)制备铜基复合材料用共沉积促进剂，由阴离子氟碳表面活性剂、*、六次甲基四胺和硫脲四种添加剂混和配制所得，各添加剂在电镀镀液中的成分配比为：阳离子氟碳表面活性剂：1～5g，L，*：30～80ml，L，六次甲基四胺：10～50g，L，硫脲：0～30mg，L。采用上述三种或三种以上添加剂组成的混合共沉积促进剂，能有效地促进SiCp与金属铜的共沉积，大大增加SiCp在复合镀层中的含量，而且SiCp在基体金属铜中的分布均匀，从而提高Cu，SiCp复合材料的物理、力学性能，同时还能改善复合镀层的表面光洁程度。
[A27373-0052-0004、用于铜互连的电化学或化学沉积的电镀溶液及其方法
摘要、本发明提供了具有二(全氟烷磺酰基)亚胺铜或三(全氟烷磺酰基)甲基铜的电镀溶液以及使用这些电镀溶液的电化学沉积或化学沉积铜互连的方法。
[A27373-0050-0005、用于铜金属沉积的铜的吡咯基络合物
摘要、本发明涉及在通过原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的铜沉积中使用的配体和铜络合物的制备方法以及铜络合物在ALD和CVD方法中的应用。
[A27373-0085-0006、离子束增强沉积制备氮化铜薄膜的方法
摘要、本发明公开了一种离子束增强沉积制备氮化铜薄膜的方法，将高纯度的铜作为溅射靶，并用纯N2或Ar∶N2为1∶5的混合高纯气体产生的混合离子束对沉积膜轰击，垂直注入到溅射沉积膜上，离子束的加速电压为10～50kV，束流强度为1～4mA，利用样品台的公转和样品自转实现均匀注入，保证薄膜在后续的结晶热处理后得到均匀的、高取向Cu3N多晶结构，通过在SiO2，Si衬底上同时沉积制备均匀、致密、与衬底粘附良好、电阻率大于1.0×103Ω·cm的氮化铜薄膜，满足工业化生产要求；且成膜温度很低，与半导体工艺兼容，没有废物排放。
[A27373-0093-0007、用于无电铜沉积的电镀溶液
摘要、本文披露了一种无电铜电镀液。该电镀液包含了水性铜盐成分、水性钴盐成分、基于三胺的络合剂以及pH-调节物质，该pH调节物质的数量足以使该无电铜电镀液呈酸性。本文还提供了制备无电铜电镀液的方法。
[A27373-0098-0008、沉淀法制备单斜型纳米一水合二钼酸三铜的方法
摘要、本发明公开了一种沉淀法制备单斜型纳米一水合二钼酸三铜的方法。其步骤为：分别配置可溶性铜盐水溶液，可溶性钼酸盐水溶液；在10～90℃温度范围内，将铜盐水溶液加入钼酸盐的水溶液中，反应5min～2h；将第二步所得悬浊液陈化45min～24h；将上述反应液抽滤，用水反复洗涤；洗涤后经干燥，研磨即得单斜型纳米一水合二钼酸三铜。本发明由于在50分钟内就可以制备得到热稳定性较好、结晶性良好的产品，且最大产量可达到92公斤每吨水，因此其生产周期短，产率高；制备该产品的操作过程简便，且相比制备温度要求高的水热法，安全系数高；生产该产品的设备要求不高，再加上周期短，成本低。
[A27373-0079-0009、中性pH条件双电位阶跃电沉积制备铜铟硒薄膜的方法
摘要、本发明公开了一种中性pH条件双电位阶跃电沉积制备铜铟硒薄膜的方法，步骤为：(1)配制电沉积液，pH值为6.5-7.0；(2)采取双电位阶跃方式镀膜；(3)将薄膜于空气下室温干燥；(4)将薄膜于氩气氛下400℃热处理0.5小时，得到黄铜矿结构的CuInSe2薄膜。本发明首次采用双电位阶跃电沉积方法，以CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O、SeO2为原料，CirNa为络合剂，解决了CuInSe2薄膜在ZnO等耐酸碱性较差、易腐蚀性基体上的沉积问题。本发明是薄膜太阳能电池的重要组成部分，用于太阳能电池及一些光敏元件等方面。
[A27373-0023-0010、电沉积铜箔
摘要、公开了电沉积铜箔，其20％或更多的光泽面的晶体具有孪晶结构；用电解工艺制造电沉积铜箔的方法，包括制出分离的铜箔，其特征是将晶粒尺寸号为6.0的钛材料用作旋转阴极鼓，将含0.2－20mg，l的胶和，或明胶的*溶液用作电解液。该电沉积铜箔的使用可提供显示与抗蚀层粘合良好的铜箔，无需在铜箔线路蚀刻工艺的表面预处理中进行机械抛光(如磨光)。
[A27373-0055-0011、用于蚀刻铜表面的溶液和在铜表面上沉积金属的方法
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[A27373-0007-0013、碳氨法浸取氧化铜矿电积沉积铜粉工艺
[A27373-0077-0014、锡晶花诱导下电沉积仿斑铜晶花表面精饰工艺
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[A27373-0016-0016、经表面加工的电沉积铜箔及其制造方法和用途，[A27373-0075-0017、微电子中的铜电沉积
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[A27373-0006-0019、非沉淀法制铜锌铝甲醇及低变催化剂
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[A27373-0069-0021、铜籽晶层沉积温度的监测方法及铜层的形成方法
[A27373-0101-0022、电沉积铜-氮化铝高性能复合涂层镀液及其镀覆方法
[A27373-0042-0023、一种共沉淀法制备丙烯腈水合铜基催化剂的方法
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[A27373-0103-0027、一种化学沉铜液的组成及其制备方法
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[A27373-0044-0030、一种钨铜梯度热沉材料及其制备方法
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[A27373-0026-0032、从酸性铜溶液沉淀稳定的*酸铁同时保持最小的铜损失
[A27373-0080-0033、N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法
[A27373-0027-0034、铜沉淀方法
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[A27373-0034-0036、作为用于铜金属化的阻挡层的原子层沉积氮化钽和α相钽
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