涂层,金涂层,反射涂层,涂层配方类技术资料
SY5761-0173-0001、 采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片
摘要、 本发明提出一种采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片，该外延片采用阱，中间层，垒结构的新型多量子阱技术用MOCVD法生长GaN基绿光LED外延片。阱、垒之间的中间层能有效降低InGaN的分解，可在较高生长温度实现高In含量且高质量InGaN合成。
SY5761-0112-0002、 加工配套元件部件及其使用方法
摘要、 在可重复利用的加工配套元件部件上设置可见标记，在该部件经过清洁而从部件上除去沉积材料后，可根据该标记的清晰度而确定该部件是否在公差范围内。更具体地说，可重复利用的加工配套元件部件由一种材料制成，具有带第一高度的第一表面。可见标记形成于第一表面上并延伸至第二高度，其中，第一高度和第二高度之间的距离应使该标记可见，直到从部件上除去一定量的材料而使部件几乎超出公差范围为止。
SY5761-0180-0003、 碳纤维表面涂复碳化硅的工艺和装置
本发明涉及对碳纤维表面涂复碳化硅表面层的方法和专用装置。该专置即为改进了3射频聚焦式加热器。利用聚焦电磁场将纤维加热至1100℃～1300℃，并在石英管或反应器中制造一个氯硅烷和高纯氢气的反应环境，使氯硅烷裂解生成*的同时将碳化硅气相沉积在碳纤维表面，形成耐高温的表面涂层。
SY5761-0195-0004、 彩色涂层不锈钢的制作方法
摘要、 一种彩色涂层不锈钢的制作方法步骤(1、：将不锈钢先进行表面处理，使其表面形成微孔麻面；步骤(2、：在上述经过表面处理的不锈钢微孔麻面上涂镀一至三层结合力很强的彩色涂层，该彩色涂层的厚度约为5至160微米；步骤(3、：对上述彩色涂层进行固化；步骤(4、：再在上述彩色涂层上涂装上一至二层罩光透明涂层，该罩光透明涂层的厚度约为5至45微米，然后对其固化；步骤(5、：最后再在该罩光透明涂层的表面覆盖一至二层用于包装运输的保护胶膜。不仅使色彩丰富，而且也保护了不锈钢基材，大大提高了不锈钢的外观装饰效果和不锈钢的耐蚀性、耐磨性等性能。可应用于装饰板材、管材、型材、日用品、小工件、建筑装饰和建筑门窗制品。
SY5761-0207-0005、 锡镀层表面抗氧化剂及其使用工艺
摘要、 本发明涉及一种锡镀层抗氧化剂其特征在于：所述抗氧化剂主要是由有机钝化缓蚀剂、辅助缓蚀剂、pH稳定剂混合而成的透明无悬浮物液体；所述钝化缓蚀剂为结构必须有N-H键或至少有一个其他形式的N键，包括唑类、噻唑类；所述辅助缓蚀剂为无机盐，包括钠盐、钾盐；所述pH稳定剂为钠盐。使用该抗氧化剂的工艺是在pH值在8～10之间的添加有100ml，L上述抗氧化剂的溶液中，在室温～60℃下浸渍几分钟。采用该抗氧化剂及工艺提高了镀锡层表面抗氧化性能，而且焊接性能得到良好的改善，操作方式简便，维护方便无铬酸毒害，降低了生产成本，解决了长期困扰现生产锡镀层表面氧化变色腐蚀、焊接性差的问题。
SY5761-0169-0006、 表面改性的不锈钢
摘要、 开发了一种用于耐高温合金，如含有1.5-8.0重量％Al的FeCrAl合金的表面改性的方法以增加它们在高温下的耐腐蚀性。在热处理前，用含钙化合物对它涂层，在合金表面上得到一个连续的粘合层，在循环热应力下，FeCrAl合金的铝损耗减少了。通过这种表面改性，FeCrAl合金的耐高温腐蚀性和它的使用寿命显著增加了。
SY5761-0058-0007、 通过使用三(二甲基氨基、硅烷的原子层沉积形成含硅薄膜的方法
摘要、 本发明提供一种形成含硅固体薄膜层的原子层沉积方法。将基底置入腔体，此后，将含Si和氨基硅烷的第一反应物注入腔体。该第一反应物的第一部分化学吸附于基底上，第一反应物的第二部分物理吸附于基底上。一个优选方案中，通过吹洗和冲洗腔体，将第一反应物的物理吸附的第二部分从基体上清除。然后将第二反应物注入腔体，这里第二反应物的第一部分与第一反应物的化学吸附的第一部分化学反应，在基底上形成含硅固体。然后从腔体中清除第二反应物的未化学反应部分。一个优选方案中，在基底上形成的含硅固体为薄膜层，如氮化硅层。另一个优选方案中，第一反应物至少为选自SiN(CH3、2、4SiHN(CH3、2、3SiH2N(CH3、2、2和SiH3N(CH3、2、中的一种。第二反应物优选为活性NH3。腔体的压强优选维持在0.01-100乇的范围内，且在优选实施方案中可在整个工艺中保持恒定，或可在四个步骤中的至少一个中改变。上述步骤中的一步或多步可重复进行，以在基底上获得较厚的固体。
SY5761-0178-0008、 透明导电薄膜用靶、透明导电薄膜及其制造方法、显示器用电极材料、有机电致发...
摘要、 一种透明导电薄膜用靶，其具有氧化铟作为其主要组分并含有钨和，或钼，其中通过使氧化铟粉末和氧化钨粉末和，或氧化钼粉末成形，然后加热并烧结该成形体，使得溅射后的薄膜具有氧化铟作为主要组分，并含有原子比(W+Mo、，In为0.0040-0.0470的钨和，或钼而获得所述透明导电薄膜用靶，其中该透明导电薄膜具有优异的表面光滑度和6×10-4Ω·cm或更低的低电阻率，并且甚至当在170℃下加热时，其表面光滑度和电阻率也不会变化。
SY5761-0103-0009、 阻止取代的环四硅氧烷聚合的稳定剂
摘要、 本发明是：(a、一种使环四硅氧烷诸如1，5，7-四甲基环四硅氧烷稳定而阻止聚合的方法其被用于电子材料制造中硅氧化物的化学气相沉积工艺该方法包括：向所述环四硅氧烷中提供一种有效量的中性至弱酸性聚合反应抑制剂；和(b、一种被稳定而阻止聚合的环四硅氧烷诸如1，5，7-四甲基环四硅氧烷的组合物，其被作为电子材料制造中硅氧化物的前体用于化学气相沉积工艺该组合物包含所述环四硅氧烷和一种中性至弱酸性聚合反应抑制剂。一种自由基清除剂也能够被包括在所述方法和所述组合物中。
SY5761-0038-0010、 采用含钛有机金属材料的化学汽相淀积含硅氮化钛的工艺
摘要、 一种CVD淀积TiSiN薄膜的集成电路制造工艺采用化学汽相淀积方法用He2携带含Ti的化学物质TDMA和含Si的3甲基硅烷物质，或者SiCH4化学物质，通过热分解淀积一层TiSiN薄膜，并在原位进行H2-N2射频等离子处理。用这种方法淀积的TiSiN，具有良好的台阶覆盖，均匀的电阻分和膜厚均匀性。TiSiN是一种物理性能和化学性能都稳定的Cu扩散阻挡层，而且，TiSiN中富含N，可以防止低介电材料(Low-κ、中F离子的扩散。TiSiN的另一个特点是它与Cu金属薄膜以及多孔低介电常数(Low-κ、介质的粘附性都很好有利于提高Cu互联金属的抗电迁移水平，适用于Al多层金属布线工艺和Cu金属大马士革互联工艺。
SY5761-0021-0011、 超声起雾效应制备薄膜的大面积沉积设备
SY5761-0189-0012、 钛合金表面抗氧化的铝-铜-铁-铬准晶涂层的制备
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SY5761-0033-0212、 用负载于沸石的铁和锰基催化剂纯化有机金属化合物或杂原子有机化合物的方法
SY5761-0035-0213、 一种保护电极基体耐高温熔体侵蚀的陶瓷涂层及其制备方法
SY5761-0184-0214、 制备耐高温磨损涂层的方法
SY5761-0032-0215、 用氢化的吸气剂合金纯化有机金属化合物或杂原子有机化合物的方法
SY5761-0145-0216、 一种聚酯基导电网布的制备方法
SY5761-0217-0217、 溅射靶材
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摘要、 本发明提出一种采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片，该外延片采用阱，中间层，垒结构的新型多量子阱技术用MOCVD法生长GaN基绿光LED外延片。阱、垒之间的中间层能有效降低InGaN的分解，可在较高生长温度实现高In含量且高质量InGaN合成。
SY5761-0112-0002、 加工配套元件部件及其使用方法
摘要、 在可重复利用的加工配套元件部件上设置可见标记，在该部件经过清洁而从部件上除去沉积材料后，可根据该标记的清晰度而确定该部件是否在公差范围内。更具体地说，可重复利用的加工配套元件部件由一种材料制成，具有带第一高度的第一表面。可见标记形成于第一表面上并延伸至第二高度，其中，第一高度和第二高度之间的距离应使该标记可见，直到从部件上除去一定量的材料而使部件几乎超出公差范围为止。
SY5761-0180-0003、 碳纤维表面涂复碳化硅的工艺和装置
本发明涉及对碳纤维表面涂复碳化硅表面层的方法和专用装置。该专置即为改进了3射频聚焦式加热器。利用聚焦电磁场将纤维加热至1100℃～1300℃，并在石英管或反应器中制造一个氯硅烷和高纯氢气的反应环境，使氯硅烷裂解生成*的同时将碳化硅气相沉积在碳纤维表面，形成耐高温的表面涂层。
SY5761-0195-0004、 彩色涂层不锈钢的制作方法
摘要、 一种彩色涂层不锈钢的制作方法步骤(1、：将不锈钢先进行表面处理，使其表面形成微孔麻面；步骤(2、：在上述经过表面处理的不锈钢微孔麻面上涂镀一至三层结合力很强的彩色涂层，该彩色涂层的厚度约为5至160微米；步骤(3、：对上述彩色涂层进行固化；步骤(4、：再在上述彩色涂层上涂装上一至二层罩光透明涂层，该罩光透明涂层的厚度约为5至45微米，然后对其固化；步骤(5、：最后再在该罩光透明涂层的表面覆盖一至二层用于包装运输的保护胶膜。不仅使色彩丰富，而且也保护了不锈钢基材，大大提高了不锈钢的外观装饰效果和不锈钢的耐蚀性、耐磨性等性能。可应用于装饰板材、管材、型材、日用品、小工件、建筑装饰和建筑门窗制品。
SY5761-0207-0005、 锡镀层表面抗氧化剂及其使用工艺
摘要、 本发明涉及一种锡镀层抗氧化剂其特征在于：所述抗氧化剂主要是由有机钝化缓蚀剂、辅助缓蚀剂、pH稳定剂混合而成的透明无悬浮物液体；所述钝化缓蚀剂为结构必须有N-H键或至少有一个其他形式的N键，包括唑类、噻唑类；所述辅助缓蚀剂为无机盐，包括钠盐、钾盐；所述pH稳定剂为钠盐。使用该抗氧化剂的工艺是在pH值在8～10之间的添加有100ml，L上述抗氧化剂的溶液中，在室温～60℃下浸渍几分钟。采用该抗氧化剂及工艺提高了镀锡层表面抗氧化性能，而且焊接性能得到良好的改善，操作方式简便，维护方便无铬酸毒害，降低了生产成本，解决了长期困扰现生产锡镀层表面氧化变色腐蚀、焊接性差的问题。
SY5761-0169-0006、 表面改性的不锈钢
摘要、 开发了一种用于耐高温合金，如含有1.5-8.0重量％Al的FeCrAl合金的表面改性的方法以增加它们在高温下的耐腐蚀性。在热处理前，用含钙化合物对它涂层，在合金表面上得到一个连续的粘合层，在循环热应力下，FeCrAl合金的铝损耗减少了。通过这种表面改性，FeCrAl合金的耐高温腐蚀性和它的使用寿命显著增加了。
SY5761-0058-0007、 通过使用三(二甲基氨基、硅烷的原子层沉积形成含硅薄膜的方法
摘要、 本发明提供一种形成含硅固体薄膜层的原子层沉积方法。将基底置入腔体，此后，将含Si和氨基硅烷的第一反应物注入腔体。该第一反应物的第一部分化学吸附于基底上，第一反应物的第二部分物理吸附于基底上。一个优选方案中，通过吹洗和冲洗腔体，将第一反应物的物理吸附的第二部分从基体上清除。然后将第二反应物注入腔体，这里第二反应物的第一部分与第一反应物的化学吸附的第一部分化学反应，在基底上形成含硅固体。然后从腔体中清除第二反应物的未化学反应部分。一个优选方案中，在基底上形成的含硅固体为薄膜层，如氮化硅层。另一个优选方案中，第一反应物至少为选自SiN(CH3、2、4SiHN(CH3、2、3SiH2N(CH3、2、2和SiH3N(CH3、2、中的一种。第二反应物优选为活性NH3。腔体的压强优选维持在0.01-100乇的范围内，且在优选实施方案中可在整个工艺中保持恒定，或可在四个步骤中的至少一个中改变。上述步骤中的一步或多步可重复进行，以在基底上获得较厚的固体。
SY5761-0178-0008、 透明导电薄膜用靶、透明导电薄膜及其制造方法、显示器用电极材料、有机电致发...
摘要、 一种透明导电薄膜用靶，其具有氧化铟作为其主要组分并含有钨和，或钼，其中通过使氧化铟粉末和氧化钨粉末和，或氧化钼粉末成形，然后加热并烧结该成形体，使得溅射后的薄膜具有氧化铟作为主要组分，并含有原子比(W+Mo、，In为0.0040-0.0470的钨和，或钼而获得所述透明导电薄膜用靶，其中该透明导电薄膜具有优异的表面光滑度和6×10-4Ω·cm或更低的低电阻率，并且甚至当在170℃下加热时，其表面光滑度和电阻率也不会变化。
SY5761-0103-0009、 阻止取代的环四硅氧烷聚合的稳定剂
摘要、 本发明是：(a、一种使环四硅氧烷诸如1，5，7-四甲基环四硅氧烷稳定而阻止聚合的方法其被用于电子材料制造中硅氧化物的化学气相沉积工艺该方法包括：向所述环四硅氧烷中提供一种有效量的中性至弱酸性聚合反应抑制剂；和(b、一种被稳定而阻止聚合的环四硅氧烷诸如1，5，7-四甲基环四硅氧烷的组合物，其被作为电子材料制造中硅氧化物的前体用于化学气相沉积工艺该组合物包含所述环四硅氧烷和一种中性至弱酸性聚合反应抑制剂。一种自由基清除剂也能够被包括在所述方法和所述组合物中。
SY5761-0038-0010、 采用含钛有机金属材料的化学汽相淀积含硅氮化钛的工艺
摘要、 一种CVD淀积TiSiN薄膜的集成电路制造工艺采用化学汽相淀积方法用He2携带含Ti的化学物质TDMA和含Si的3甲基硅烷物质，或者SiCH4化学物质，通过热分解淀积一层TiSiN薄膜，并在原位进行H2-N2射频等离子处理。用这种方法淀积的TiSiN，具有良好的台阶覆盖，均匀的电阻分和膜厚均匀性。TiSiN是一种物理性能和化学性能都稳定的Cu扩散阻挡层，而且，TiSiN中富含N，可以防止低介电材料(Low-κ、中F离子的扩散。TiSiN的另一个特点是它与Cu金属薄膜以及多孔低介电常数(Low-κ、介质的粘附性都很好有利于提高Cu互联金属的抗电迁移水平，适用于Al多层金属布线工艺和Cu金属大马士革互联工艺。
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