薄膜,积薄膜,薄膜形成,氧化物薄膜类技术资料
SY5752-0114-0001、 铝制件的处理
摘要、 本发明公开了一种改善铝制件耐腐蚀性能的处理方法该方法包括涂敷一种钎焊剂（如*／铝钎剂），在惰性气氛中加热涂敷过的工件，使经过加热的工件于５２０－６３０℃温度下与氧化性气氛接触，连续处理的时间可为０．５分钟至１５分钟。该处理最好和钎焊一起进行，例如，在钎焊周期的冷却端，使工件与气氛接触。
SY5752-0187-0002、 利用材料沉积处理金属的方法及实现该方法的蒸发器
摘要、 在金属热化学处理的物理汽相沉积法中，构成处理蒸发器第一电极的靶的材料，通过由电弧放电任选促进的离子轰击而被汽化。以这种方式汽化形成的粒子沉积到处于第二电极电位的基底上，其电位不同于第一电极的电位。在这个沉积期间，该基底被加热至超过６００℃的处理温度，而且最好是在８００℃和１２００℃之间。在蒸发器中，靶及其辅助部件通过冷却液的流动而被连续冷却，以便在达到处理温度时，靶材料保持固态，并且通过升华对在靶表面发生的汽化施加影响。结果是改善了沉积均匀度，对基底的附着力和处理时间。
SY5752-0060-0003、 高炉风口或渣口表面处理方法
一种对铜或铜合金制的高炉风口或渣口多元金属共渗表面处理方法先在欲处理部位的表面涂一层由金属铬、钼、钨或其合金粉末、金属废铝渣粉末、卤族元素的铬化合物及粘合剂混合配制的涂料型渗透剂干燥后埋置在由金属废铝渣粉末、铝铁合金粉末、卤族元素的铵化合物和氧化铝、氧化镁、氧化钛等高融点金属氧化物粉末混合配制的粉末型渗透剂中，在７００－９５０℃温度下加热数小时。经过处理的风、渣口表面硬度提高，使用寿命延长。
SY5752-0078-0004、 钕铁硼制品镀覆有机膜的方法及装置
摘要、 一种钕铁硼制品镀覆有机膜的方法及装置其特征是以有机硅单体和*的等离子体聚合在钕铁硼制品上形成有机膜，镀覆装置设有使气氛均匀的充气器，上极板接射频功率源，上、下极板间距为２０～３０ｍｍ。$同现有技术比较，其突出的优点是镀层薄，厚度均匀，镀层与基体结合牢固，抗腐蚀力强，不影响钕铁硼元件的安装尺寸和磁特性。
SY5752-0199-0005、 化学镀镍过程中加铜的方法
摘要、 在化学镀镍镀浴中，一种添加铜离子的方法使镀液中保持一定量的铜离子浓度，可得到含铜量均匀的化学镀镍合金镀层。
SY5752-0092-0006、 钢渗氮方法
摘要、 本发明形成均匀渗氮层，其中在渗氮前用含氟或氟化物的主体清洗钢工件表面以去除表面上的杂质，氧化层和／或类似物质，同时使表面活化而促使渗氮时Ｎ原子渗透和扩散。钢渗氮方法包括在炉中加热到约３００－５００℃后向炉中引入含氟或氟化物的气体以将表面氧化层等转化成含氟层，最后进行渗氮处理。渗氮时含氟层分解并被去除，从而在去除杂质后露出活化表面。氮原子即可迅速渗透过活化表面并向内扩散而形成均匀渗氮层。
SY5752-0139-0007、 低温光化学气相淀积二氧化硅、氮化硅薄膜技术
摘要、 本发明涉及一种光化学气相淀积（光ＣＶＤ）技术。$该技术采用紫外光汞敏化原理分解反应气体，在低于２００℃条件下，通过硅烷（樱椋?，4、-笑气(N2O、及硅烷(SiH4、-氨气(NH3、混合气体的光化学反应分别淀积ＳｉO2、SiN薄膜。与国外同类技术相比，具有薄膜全面特性好，特别是薄膜介电强度高，应力小，腐蚀速率低，淀积面积大，淀积均匀性好和光量子效率高等优点。$用本发明在低温条件下淀积的，2、SiN介质膜可对半导体器件进行表面钝化，介质隔离和扩散掩蔽。
SY5752-0113-0008、 钢铁制品表面粉镀锌剂
摘要、 本发明公开一种以工业废料粉煤灰以及从粉煤灰中提选出来的漂珠、和氧化铁、氟硼酸钾或氟化钠、*组成的钢铁制品表面粉镀锌剂使用本发明，生产成本低，镀锌层均匀，保温时间短，渗锌层厚度增加，能耗小，节省劳力，使用方便，经使用和测试，各项参数都优于有关标准。
SY5752-0189-0009、 贮氢合金薄膜的制备方法
摘要、 本发明涉及贮氢材料的制备。采用双源离子束溅射法制备贮氢合金薄膜，可用于镍-氢电池的负极，具有放电容量大、抗粉化能力强、循环寿命长等优点。
SY5752-0176-0010、 使用烷基铝氢化物形成以铝作为主成分的金属沉积膜的方法
摘要、 一种形成金属膜的方法包括以下步骤：在空间中安置供形成膜所用的基片；向该空间中引入烷基铝氢化物气体及氢气；以及直接加热该基片而在该基片上形成含主成分为铝的金属膜。
SY5752-0053-0011、 等离子体加工方法及其产品
SY5752-0146-0012、 吹氧管的渗铝涂层工艺
SY5752-0031-0013、 使用烷基锌和含氧气体制备功能性氧化锌薄膜的方法
SY5752-0216-0014、 一种抗高温腐蚀涂层及其制备工艺
SY5752-0200-0015、 金属长管内表面化学镀的方法
SY5752-0206-0016、 钢材和铸铁件的热浸镀铝新工艺
SY5752-0059-0017、 改进的可磨损镀层及其制造方法
SY5752-0121-0018、 钢丝的高耐蚀性的双浸热镀工艺
SY5752-0211-0019、 低温快速磷化剂
SY5752-0157-0020、 室温磷化液及其配制方法
SY5752-0196-0021、 水基型镀锌铁底涂液及其生产工艺
SY5752-0079-0022、 常温防锈磷化液
SY5752-0056-0023、 热喷涂修复陶瓷釉面砖金属模的工艺方法
SY5752-0178-0024、 稀土低温高浓度气体渗碳方法
SY5752-0185-0025、 一种新型磷化液及其制备方法
SY5752-0105-0026、 精纺机钢领表面复合处理方法
SY5752-0190-0027、 一种钢铁材料防锈溶液
SY5752-0215-0028、 阻渗碳涂层及涂覆方法
SY5752-0029-0029、 工件渗铬方法及设备
SY5752-0203-0030、 交变电场真空离子沉积方法及设备
SY5752-0116-0031、 电炉*机械镀锌工艺
SY5752-0152-0032、 固体粉末渗铝方法及设备
SY5752-0154-0033、 钢铁常温快速节能发黑剂
SY5752-0145-0034、 碳氮化钛系列镀层离子镀工艺
SY5752-0167-0035、 一种镀铬件保护剂的制造方法
SY5752-0048-0036、 钢铁除锈、钝化新工艺
SY5752-0076-0037、 金属部件表面强化处理方法
SY5752-0106-0038、 低碳高铬钢高浓度渗碳方法
SY5752-0019-0039、 新型反光装饰材料镀膜技术
SY5752-0071-0040、 溅射氧化铁薄膜的制备
SY5752-0068-0041、 在金属材料的表面加以着色的工艺和使用这种方法所获得的物品
SY5752-0134-0042、 金属镀锌层钝化用铬酸盐组合物及其应用
SY5752-0150-0043、 气阀的激光熔敷涂层工艺及其装置
SY5752-0162-0044、 以钛为主要成份的基质上的耐用镀层
SY5752-0126-0045、 掺金离子镀氮化钛技术及设备
SY5752-0017-0046、 用微波等离子化学气化沉积法形成以Ⅲ和Ｖ族原子为主组分的功能沉积膜的方法
SY5752-0080-0047、 金属制品表面涂覆离子渗金属技术
SY5752-0046-0048、 一种金属表面钒、铬合金化的新方法
SY5752-0201-0049、 等离子体增强的化学气相淀积装置
SY5752-0122-0050、 制造高效传热表面的方法及所制造的表面
SY5752-0131-0051、 低成本液体氮碳共渗工艺
SY5752-0006-0052、 微波等离子化学汽相淀积装置
SY5752-0118-0053、 干湿法热镀铝锌合金工艺
SY5752-0138-0054、 制造近似圆顶形的、在内侧和／或外侧表面有电介质和／或金属涂层系统的基片的...
SY5752-0198-0055、 多离子束高能级增强射注技术
SY5752-0181-0056、 真空溅射系统阴极靶的粘接方法
SY5752-0104-0057、 一种铜基铬、铝、硅多元固体共渗方法
SY5752-0166-0058、 热作模具强韧化处理
SY5752-0052-0059、 金属稀土共渗盐浴
SY5752-0055-0060、 微波等离子体汽相淀积装置
SY5752-0170-0061、 无电流沉积金的含水镀液配套液及其应用
SY5752-0210-0062、 新的连续式滴注渗碳炉碳势的控制方法及装置
SY5752-0039-0063、 化学镀覆高耐蚀性非晶态镍磷合金的溶液及方法
SY5752-0156-0064、 钛上镀氮化物层的方法
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SY5752-0036-0067、 尼丝纺镀铝方法
SY5752-0107-0068、 上加热镀锌法
SY5752-0008-0069、 防噪音和／或振动的涂层涂有上述涂层的部件及该涂层涂覆方法
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SY5752-0160-0071、 铅烟覆盖剂及其制备工艺
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SY5752-0214-0073、 低温盐浴钒氮共渗(ＭＮ、工艺
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一种对铜或铜合金制的高炉风口或渣口多元金属共渗表面处理方法先在欲处理部位的表面涂一层由金属铬、钼、钨或其合金粉末、金属废铝渣粉末、卤族元素的铬化合物及粘合剂混合配制的涂料型渗透剂干燥后埋置在由金属废铝渣粉末、铝铁合金粉末、卤族元素的铵化合物和氧化铝、氧化镁、氧化钛等高融点金属氧化物粉末混合配制的粉末型渗透剂中，在７００－９５０℃温度下加热数小时。经过处理的风、渣口表面硬度提高，使用寿命延长。
SY5752-0078-0004、 钕铁硼制品镀覆有机膜的方法及装置
摘要、 一种钕铁硼制品镀覆有机膜的方法及装置其特征是以有机硅单体和*的等离子体聚合在钕铁硼制品上形成有机膜，镀覆装置设有使气氛均匀的充气器，上极板接射频功率源，上、下极板间距为２０～３０ｍｍ。$同现有技术比较，其突出的优点是镀层薄，厚度均匀，镀层与基体结合牢固，抗腐蚀力强，不影响钕铁硼元件的安装尺寸和磁特性。
SY5752-0199-0005、 化学镀镍过程中加铜的方法
摘要、 在化学镀镍镀浴中，一种添加铜离子的方法使镀液中保持一定量的铜离子浓度，可得到含铜量均匀的化学镀镍合金镀层。
SY5752-0092-0006、 钢渗氮方法
摘要、 本发明形成均匀渗氮层，其中在渗氮前用含氟或氟化物的主体清洗钢工件表面以去除表面上的杂质，氧化层和／或类似物质，同时使表面活化而促使渗氮时Ｎ原子渗透和扩散。钢渗氮方法包括在炉中加热到约３００－５００℃后向炉中引入含氟或氟化物的气体以将表面氧化层等转化成含氟层，最后进行渗氮处理。渗氮时含氟层分解并被去除，从而在去除杂质后露出活化表面。氮原子即可迅速渗透过活化表面并向内扩散而形成均匀渗氮层。
SY5752-0139-0007、 低温光化学气相淀积二氧化硅、氮化硅薄膜技术
摘要、 本发明涉及一种光化学气相淀积（光ＣＶＤ）技术。$该技术采用紫外光汞敏化原理分解反应气体，在低于２００℃条件下，通过硅烷（樱椋?，4、-笑气(N2O、及硅烷(SiH4、-氨气(NH3、混合气体的光化学反应分别淀积ＳｉO2、SiN薄膜。与国外同类技术相比，具有薄膜全面特性好，特别是薄膜介电强度高，应力小，腐蚀速率低，淀积面积大，淀积均匀性好和光量子效率高等优点。$用本发明在低温条件下淀积的，2、SiN介质膜可对半导体器件进行表面钝化，介质隔离和扩散掩蔽。
SY5752-0113-0008、 钢铁制品表面粉镀锌剂
摘要、 本发明公开一种以工业废料粉煤灰以及从粉煤灰中提选出来的漂珠、和氧化铁、氟硼酸钾或氟化钠、*组成的钢铁制品表面粉镀锌剂使用本发明，生产成本低，镀锌层均匀，保温时间短，渗锌层厚度增加，能耗小，节省劳力，使用方便，经使用和测试，各项参数都优于有关标准。
SY5752-0189-0009、 贮氢合金薄膜的制备方法
摘要、 本发明涉及贮氢材料的制备。采用双源离子束溅射法制备贮氢合金薄膜，可用于镍-氢电池的负极，具有放电容量大、抗粉化能力强、循环寿命长等优点。
SY5752-0176-0010、 使用烷基铝氢化物形成以铝作为主成分的金属沉积膜的方法
摘要、 一种形成金属膜的方法包括以下步骤：在空间中安置供形成膜所用的基片；向该空间中引入烷基铝氢化物气体及氢气；以及直接加热该基片而在该基片上形成含主成分为铝的金属膜。
SY5752-0053-0011、 等离子体加工方法及其产品
SY5752-0146-0012、 吹氧管的渗铝涂层工艺
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