碲化镉生产加工工艺制备技术大全
作者：百创科技 金属矿产来源：本站原创 点击数： 更新时间：2024/2/8
(1000199-0023-0001) 碲化汞镉的制造
(技术说明) 公开了一种制造碲化汞镉(CMT)的方法，方法包括通过分子束外延(MBE)在衬底上生长一个或多个缓冲层。随后通过金属有机气相外延(MOVPE)生长至少一个碲化汞镉Hg1-x (1000199-0026-0002) 在图形化硅上制作碲化镉汞
(技术说明) 本发明涉及在图形化的硅上制造碲化镉汞(CMT)，具体地涉及在承载集成电路的硅衬底上生长CMT。本发明的方法涉及首先通过MBE生长一个或多个缓冲层并随后通过MOVPE生长CMT，由此在硅衬底上的选定生长窗口内生长CMT。可以通过掩蔽生长窗口的外部区域而定义该生长窗口。该生长窗口内的生长是晶态的，而生长窗口外部的任何生长是多晶的并可通过刻蚀而清除。本发明提供了直接在集成电路上生长CMT结构的方法，消除了混合的需要。 (1000199-0032-0003) 碲化镉材料表面氧化膜层的处理工艺
(技术说明) 碲化镉材料表面氧化膜层的处理工艺，是将碲化镉材料先用*、*、去离子水清洗后，经溴和*溶液腐蚀，再用乳酸和*溶液进行表面处理，可获得氧化物极少甚至无氧化物的碲化镉表面。可大大提高碲化镉光伏探测器列阵的光电性能、成品率和可靠性，整个工艺过程简单，操作方便重复性好，实用性强，对人体基本无伤害。可广泛用于碲化镉材料表面的制备和碲化镉光电器件的制造。 (1000199-0007-0004) 碲锌镉和碲化镉x和γ射线探测器的能量补偿层
(技术说明) 一种碲锌镉或碲化镉探测器的能量补偿层，其由选自不锈钢、Pb、Sn、W、Cu和Al的一种或多种金属层构成。在10keV-约1MeV的能量范围可以将检测器计数与剂量当量恒定的比例保持在±20％的范围之内，结果满足国家标准(GB/T13161-2003)规定的误差＜±30％的要求。适用于使用碲锌镉或碲化镉探测器的个人x和γ辐射剂量当量和剂量当量率监测仪、剂量计等检测设备。 (1000199-0028-0005) 碲镉汞薄膜材料表面氧化膜层的处理工艺
(技术说明) 碲镉汞薄膜材料表面氧化膜层的处理工艺，是将碲镉汞薄膜材料先用*、*、去离子水清洗后，经溴和*溶液腐蚀，再用乳酸和*溶液进行表面处理，可获得氧化物极少甚至无氧化物的碲镉汞表面。可大大提高碲镉汞光伏探测器阵列的光电性能、成品率和可靠性，整个工艺过程简单，操作方便重复性好，实用性强，对人体基本无伤害。可广泛用于碲镉汞材料表面的制备和碲镉汞光电器件的制造。 (1000199-0027-0006) 碲化镉薄膜太阳能电池腐蚀液及腐蚀方法
(技术说明) 本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池腐蚀液及腐蚀方法。本发明的碲化镉薄膜的腐蚀液是在原HNO3 (1000199-0014-0007) 光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量优化方法
(技术说明) 本发明提供了一种光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量得到优化的方法。本发明采用分子束外延技术生长的同一块碲镉汞薄膜材料为基底，进行硼(B)离子注入。其主要工艺为：设置阻挡层，在阻挡层上规律地光刻出注入区，制作有隙缝的掩膜板，分别将掩膜板分次叠加在阻挡层上，出露相应的光刻注入区，调整不同的离子剂量叠加式向覆有掩膜板、阻挡层的碲镉汞基底进行注入，最终获得系列单元的p-n结。测量后，得不同单元的电压-电流特性曲线和零偏微分电阻值R0 (1000199-0025-0008) 表面修饰的包含有碲化镉二氧化硅纳米粒及其制备方法
(技术说明) 本发明是一种表面修饰的包含有碲化镉二氧化硅纳米粒，其内核为碲化镉量子点，再依次包覆有二氧化硅、杯芳烃。该纳米粒的制备方法是：以碲化镉量子点为基础，利用配体交换和硅氧烷水解方法，一步反应得到二氧化硅/碲化镉纳米粒，即核-壳结构的含有碲化镉量子点的二氧化硅纳米粒；再通过溶胶-凝胶方法，在其表面键合上杯芳烃，即可形成一种杯芳烃/二氧化硅/碲化镉纳米粒。本纳米粒稳定性好、光学性质优良、荧光强度高。本纳米粒制备工艺简便，可操作性好，一般实验室均有条件完成操作；此外，由于引进了大量的识别位点，可协同量子点实现对极性和非极性物质的识别和检测，从而为量子点的广泛应用提供了一条非常可行的道路。 (1000199-0022-0009) 碲化镉单晶的低温溶剂热生长方法
(技术说明) 本发明碲化镉单晶的低温溶剂热生长方法特征是将反应物水溶性镉盐、碲源和还原剂按照1∶1∶2-3的摩尔比溶解在30-45mL质量分数为20％-30％的*溶剂中，密闭在160-200℃下反应不少于3天。采用本发明方法能够在较低温度下生长出接近化学计量比组分的碲化镉单晶材料，且可避免采用高真空或特定保护气氛的条件；本发明原料便宜易得、且对空气相对稳定，制备工艺简单，成本较低。 (1000199-0008-0010) 碲化镉多臂纳米棒的制备方法
(技术说明) 本发明属于碲化镉多臂纳米棒的制备方法。采用氧化镉为单体，以十四酸为配体，通过控制纳米晶的成核及生长过程，在200℃～220℃温度下将碲前体溶液注入到镉前体溶液中，进而在150～180℃生长温度下合成多臂的纳米棒。制备成本低廉合成路线简单环境污染小，更有利于未来大规模的工业化生产及理论上的研究。 (1000199-0002-0011) 碲化镉粉末的制备方法
(1000199-0003-0012) 一种近红外发光碲硫化镉量子点的制备方法
(1000199-0020-0013) 碲化镉量子点的制备方法
(1000199-0009-0014) 硒化镉和碲化镉量子点的合成方法
(1000199-0001-0015) 具有过渡层的碲化镉太阳电池
(1000199-0011-0016) 核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法
(1000199-0021-0017) 掺锑、*新型碲镉汞改性化合物及其单晶与薄膜材料
(1000199-0004-0018) 一种用于太阳能电池的碲化镉薄膜及其制备方法
(1000199-0029-0019) 碲化镉的回收装置及其回收方法
(1000199-0006-0020) 一种碲镉汞阳极氧化装置
(1000199-0031-0021) 超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池
(1000199-0019-0022) 碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物及其单晶材料和薄膜材料
(1000199-0013-0023) 高量子产率碲化镉量子点的控温控压微波合成方法
(1000199-0005-0024) 水溶性长链巯基类化合物包覆的碲化镉量子点合成方法
(1000199-0033-0025) 一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构
(1000199-0017-0026) 含有碲化镉荧光量子点的二氧化硅荧光微球及其制备方法
(1000199-0015-0027) 水溶性碲化镉量子点的程序控制微波制备方法
(1000199-0010-0028) 稀磁荧光掺钴碲化镉合金量子点的水相合成方法
(1000199-0024-0029) 核/壳型碲化镉/硫化镉水溶性量子点的合成方法
(1000199-0030-0030) 一种高纯碲化镉的制备方法
(1000199-0016-0031) 水溶性聚丙烯胺-碲/硒化镉核壳结构量子点的制备方法
(1000199-0012-0032) 硒化镉及碲化镉纳米棒的制备方法
(1000199-0018-0033) 含半胱氨酸多肽辅助合成高发光碲化镉量子点的方法
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(技术说明) 公开了一种制造碲化汞镉(CMT)的方法，方法包括通过分子束外延(MBE)在衬底上生长一个或多个缓冲层。随后通过金属有机气相外延(MOVPE)生长至少一个碲化汞镉Hg1-x (1000199-0026-0002) 在图形化硅上制作碲化镉汞
(技术说明) 本发明涉及在图形化的硅上制造碲化镉汞(CMT)，具体地涉及在承载集成电路的硅衬底上生长CMT。本发明的方法涉及首先通过MBE生长一个或多个缓冲层并随后通过MOVPE生长CMT，由此在硅衬底上的选定生长窗口内生长CMT。可以通过掩蔽生长窗口的外部区域而定义该生长窗口。该生长窗口内的生长是晶态的，而生长窗口外部的任何生长是多晶的并可通过刻蚀而清除。本发明提供了直接在集成电路上生长CMT结构的方法，消除了混合的需要。 (1000199-0032-0003) 碲化镉材料表面氧化膜层的处理工艺
(技术说明) 碲化镉材料表面氧化膜层的处理工艺，是将碲化镉材料先用*、*、去离子水清洗后，经溴和*溶液腐蚀，再用乳酸和*溶液进行表面处理，可获得氧化物极少甚至无氧化物的碲化镉表面。可大大提高碲化镉光伏探测器列阵的光电性能、成品率和可靠性，整个工艺过程简单，操作方便重复性好，实用性强，对人体基本无伤害。可广泛用于碲化镉材料表面的制备和碲化镉光电器件的制造。 (1000199-0007-0004) 碲锌镉和碲化镉x和γ射线探测器的能量补偿层
(技术说明) 一种碲锌镉或碲化镉探测器的能量补偿层，其由选自不锈钢、Pb、Sn、W、Cu和Al的一种或多种金属层构成。在10keV-约1MeV的能量范围可以将检测器计数与剂量当量恒定的比例保持在±20％的范围之内，结果满足国家标准(GB/T13161-2003)规定的误差＜±30％的要求。适用于使用碲锌镉或碲化镉探测器的个人x和γ辐射剂量当量和剂量当量率监测仪、剂量计等检测设备。 (1000199-0028-0005) 碲镉汞薄膜材料表面氧化膜层的处理工艺
(技术说明) 碲镉汞薄膜材料表面氧化膜层的处理工艺，是将碲镉汞薄膜材料先用*、*、去离子水清洗后，经溴和*溶液腐蚀，再用乳酸和*溶液进行表面处理，可获得氧化物极少甚至无氧化物的碲镉汞表面。可大大提高碲镉汞光伏探测器阵列的光电性能、成品率和可靠性，整个工艺过程简单，操作方便重复性好，实用性强，对人体基本无伤害。可广泛用于碲镉汞材料表面的制备和碲镉汞光电器件的制造。 (1000199-0027-0006) 碲化镉薄膜太阳能电池腐蚀液及腐蚀方法
(技术说明) 本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池腐蚀液及腐蚀方法。本发明的碲化镉薄膜的腐蚀液是在原HNO3 (1000199-0014-0007) 光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量优化方法
(技术说明) 本发明提供了一种光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量得到优化的方法。本发明采用分子束外延技术生长的同一块碲镉汞薄膜材料为基底，进行硼(B)离子注入。其主要工艺为：设置阻挡层，在阻挡层上规律地光刻出注入区，制作有隙缝的掩膜板，分别将掩膜板分次叠加在阻挡层上，出露相应的光刻注入区，调整不同的离子剂量叠加式向覆有掩膜板、阻挡层的碲镉汞基底进行注入，最终获得系列单元的p-n结。测量后，得不同单元的电压-电流特性曲线和零偏微分电阻值R0 (1000199-0025-0008) 表面修饰的包含有碲化镉二氧化硅纳米粒及其制备方法
(技术说明) 本发明是一种表面修饰的包含有碲化镉二氧化硅纳米粒，其内核为碲化镉量子点，再依次包覆有二氧化硅、杯芳烃。该纳米粒的制备方法是：以碲化镉量子点为基础，利用配体交换和硅氧烷水解方法，一步反应得到二氧化硅/碲化镉纳米粒，即核-壳结构的含有碲化镉量子点的二氧化硅纳米粒；再通过溶胶-凝胶方法，在其表面键合上杯芳烃，即可形成一种杯芳烃/二氧化硅/碲化镉纳米粒。本纳米粒稳定性好、光学性质优良、荧光强度高。本纳米粒制备工艺简便，可操作性好，一般实验室均有条件完成操作；此外，由于引进了大量的识别位点，可协同量子点实现对极性和非极性物质的识别和检测，从而为量子点的广泛应用提供了一条非常可行的道路。 (1000199-0022-0009) 碲化镉单晶的低温溶剂热生长方法
(技术说明) 本发明碲化镉单晶的低温溶剂热生长方法特征是将反应物水溶性镉盐、碲源和还原剂按照1∶1∶2-3的摩尔比溶解在30-45mL质量分数为20％-30％的*溶剂中，密闭在160-200℃下反应不少于3天。采用本发明方法能够在较低温度下生长出接近化学计量比组分的碲化镉单晶材料，且可避免采用高真空或特定保护气氛的条件；本发明原料便宜易得、且对空气相对稳定，制备工艺简单，成本较低。 (1000199-0008-0010) 碲化镉多臂纳米棒的制备方法
(技术说明) 本发明属于碲化镉多臂纳米棒的制备方法。采用氧化镉为单体，以十四酸为配体，通过控制纳米晶的成核及生长过程，在200℃～220℃温度下将碲前体溶液注入到镉前体溶液中，进而在150～180℃生长温度下合成多臂的纳米棒。制备成本低廉合成路线简单环境污染小，更有利于未来大规模的工业化生产及理论上的研究。 (1000199-0002-0011) 碲化镉粉末的制备方法
(1000199-0003-0012) 一种近红外发光碲硫化镉量子点的制备方法
(1000199-0020-0013) 碲化镉量子点的制备方法
(1000199-0009-0014) 硒化镉和碲化镉量子点的合成方法
(1000199-0001-0015) 具有过渡层的碲化镉太阳电池
(1000199-0011-0016) 核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法
(1000199-0021-0017) 掺锑、*新型碲镉汞改性化合物及其单晶与薄膜材料
(1000199-0004-0018) 一种用于太阳能电池的碲化镉薄膜及其制备方法
(1000199-0029-0019) 碲化镉的回收装置及其回收方法
(1000199-0006-0020) 一种碲镉汞阳极氧化装置
(1000199-0031-0021) 超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池
(1000199-0019-0022) 碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物及其单晶材料和薄膜材料
(1000199-0013-0023) 高量子产率碲化镉量子点的控温控压微波合成方法
(1000199-0005-0024) 水溶性长链巯基类化合物包覆的碲化镉量子点合成方法
(1000199-0033-0025) 一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构
(1000199-0017-0026) 含有碲化镉荧光量子点的二氧化硅荧光微球及其制备方法
(1000199-0015-0027) 水溶性碲化镉量子点的程序控制微波制备方法
(1000199-0010-0028) 稀磁荧光掺钴碲化镉合金量子点的水相合成方法
(1000199-0024-0029) 核/壳型碲化镉/硫化镉水溶性量子点的合成方法
(1000199-0030-0030) 一种高纯碲化镉的制备方法
(1000199-0016-0031) 水溶性聚丙烯胺-碲/硒化镉核壳结构量子点的制备方法
(1000199-0012-0032) 硒化镉及碲化镉纳米棒的制备方法
(1000199-0018-0033) 含半胱氨酸多肽辅助合成高发光碲化镉量子点的方法
制作方法 ，碲化镉生产加工工艺制备技术大全 制作工艺，碲化镉生产加工工艺制备技术大全
配方比例， 碲化镉生产加工工艺制备技术大全 技术研究应用参考，碲化镉生产加工工艺制备技术大全
购买以上《碲化镉生产加工工艺制备技术大全》生产工艺技术资全套200元,含邮费,本市五大区可办理货到付款,咨询手机号也是微信号:15542181913 13889286189【点这进入购买帮助】
