0001、 熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶
摘要、 关于熔盐籽晶法生长晶体的方法。用这种方法生长的低温相偏硼酸钡单晶，经全面性能测试工作，证实该晶体是一种优良的非线性光学、热电等多功能材料，其培养方法包括配料、下籽晶、生长三个步骤，采用Ｎａ，>2，>Ｏ或ＮａＦ作助熔剂；籽晶的位置位于熔液表面；籽晶取向为Ｃ轴方向；籽晶以０．０３℃／小时—０．２℃／小时的速率生长。用这种方法，可稳定地生长出Φ６７ｍｍ，中心厚度达１５毫米、呈立碗形的大单晶。
0017-0002、 二氧化碲单晶体的生长技术
摘要、 一种属于晶体生长技术的二氧化碲(TeO，>2，>)单晶体生长.其特征在于用坩埚下降法可生长多种切向和形状的单晶体.利用本技术可沿[100、[001、[110、方向并可沿其中任一方向生长方棒、椭圆形、菱形、板状及圆柱形晶体.所生长晶体可达(70-80)mm×(20-30)mm×100mm.本方法与一般提拉法比具有设备简单，不受提拉方向和切形限制，基本无污染等优点，而且晶体利用率可相应提高30-100%.
0167-0003、 二阶非线性光学效应的有机包结物大晶体制备 ，p style="line-height: 150%"> 本发明属于具有二阶非线性光学效应的有机包结物大晶体制备技术。$本发明是以主体分子（马钱子碱等等）和客体分子（*等等）的摩尔比为１∶０．８～１．３，用一种或二种混合溶剂制成饱和溶液，采用常规晶体生长法，制备出具有实用价值的，二阶非线性光学效应有机包结物大单晶。$本发明具有材料性能稳定、不潮解；制备方法简单，成本低，易于工业化等特点。
0071-0004、 从多元氧化物体系生长复合晶体的方法
摘要、 自多元氧化物体系的熔体生长复合晶体的方法，该晶体至少有两个晶格位置，每个位置有不同数目的邻接氧离子，选择用作占据有最多数目的邻接氧离子的第一晶格位置的阳离子和占据其次较低数目的邻接氧离子的第二晶格位置的阳离子这样来生长均匀的复合晶体，以使第一晶格位置与第二晶格位置的阳离子键长之比的范围为０．７—１．５。
0062-0005、 制造硅单晶的方法和设备
摘要、 一种硅单晶制造方法和设备，能够定量且稳定地馈送掺杂剂。按硅单晶的重量或者馈入的硅原料的重量，计算出熔硅中掺杂的浓度，预计添加掺杂剂（１０）的时间与数量。掺杂剂采用同样浓度与重量，定量极准的掺杂片形式，连续或间歇地由圆筒（９１）、活塞（９２）和活塞操纵装置（９３）组成的掺杂剂供给装置馈送。
0057-0006、 单晶硅的制造方法和设备
摘要、 按照本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板复盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出１０℃，或更高些。
0166-0007、 将掺杂的多晶材料转化成单晶材料
摘要、 将多晶陶瓷体转变成单晶体的固相方法，用能提高转化的掺杂剂掺杂多晶陶瓷材料，在选定温度下加热多晶体至足以将多晶体转变成单晶的时间。所择温度低于多晶材料的熔化温度，但高于该材料熔化温度的一半。所述掺杂剂的实例包括＋３价阳离子如铬、镓和钛。多晶体还可以被不均匀地掺杂，以形成掺杂至预定掺杂剂量的第一部分多晶体和未掺杂的第二部分，以致加热掺杂多晶体会使第一部分转化成单晶结构，而第二部分仍保持多晶结构。
0096-0008、 制造硅单晶的设备
摘要、 一种制造硅单晶的设备，其中有一个隔离元件安装于旋转石英坩埚中，使它环绕着一边旋转一边拉制的大圆柱形硅单晶，该隔离元件至少有一个小孔通过其下部。隔离元件的全部或一部分由多孔石英玻璃制成，其孔含量（体积百分数）在０．０１至１５％之间。或者小于0.01%，但利用来熔化硅原料的热使其增加到0.01%至15%，这样就防止了与隔离元件内侧接触的熔融物料的温度降低，并防止了该部位的熔融物料发生凝固。
0162-0009、 新型非线性光学晶体硼铍酸锶
摘要、 本发明涉及一种新型非线性光学晶体硼铍酸锶（分子式为：Sr，>2，>Be，>2，>B，>2，>O，>7，>，简称ＳＢＢＯ）。通过固相合成方法在高温下烧结获得ＳＢＢＯ化合物，其化学反应方程式为：$2SrCO，>3，>+2BeO+2H，>3，>BO，>3，>=Sr，>2，>Be，>2，>B，>2，>O，>7，>+2CO，>2，>↑+3H，>2，>P↑$用熔盐法，以SrB，>2，>O，>4，>、NaF及其他氟化物作助熔剂能够成功地生长出单晶体。
0109-0010、 绿色立方氧化锆晶体的生长方法
摘要、 本发明涉及的是一种采用冷坩埚法生长绿色立方氧化锆晶体的方法。其着色剂为氧化铜和氧化铥，经处理后，加在氧化锆和氧化钇的基质原料中，采用高频加热，获得立方氧化锆晶体，再经退火，即可获得高雅大方，光彩夺目的稀有人工绿色立方氧化锆晶体。
0124-0011、 钨青铜光折变晶体及其制备工艺
0022-0012、 半导体的光致核嬗变掺杂
0126-0013、 三硼酸铯单晶生长方法及用其制作的非线性光学器件
0170-0014、 硫氰酸汞盐单晶的生长方法
0048-0015、 晶体单面定向生长方法和装置
0121-0016、 利用会切磁场和晶体及坩埚转速的组合控制硅晶体氧含量的方法0108-0017、 碘化汞单晶体的制备方法
0198-0018、 掺稀土四硼酸铝钆晶体及其生长方法
0080-0019、 高灵敏度热释电单晶体的合成方法
0177-0020、 热处理前的清洗方法
0145-0021、 立式舟形架和晶片支承件
0130-0022、 掺杂铌酸锂晶体极化方法和装置
0176-0023、 金属有机化合物气相沉积薄膜晶体生长装置
0037-0024、 晶体增长装置
0094-0025、 单晶硅生产设备
0182-0026、 超声制备纳米粒子的方法
0132-0027、 碳化硅晶须原料的制备方法
0168-0028、 单晶刚玉的生产方法
0055-0029、 制备硅单晶的方法和设备
0035-0030、 一种微氮低氧化碳直拉硅单晶的制备方法
0151-0031、 制取固体激光器用的晶体薄膜的方法和装置
0158-0032、 多晶氧化铝到蓝宝石的固态热转换
0082-0033、 硅单晶制造装置
0160-0034、 晶体生长方法及用该晶体生长方法制备的半导体器件
0186-0035、 精密控制硅中氧的沉淀
0011-0036、 绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法0174-0037、 生长具有原子层单位平整度和界面突变的化合物半导体层的气相生长设备和方法
0091-0038、 单晶硅直径控制法及其设备
0127-0039、 能荷载高量客体的层状晶体材料
0129-0040、 一种铰链式压机生产金刚石的腔体
0119-0041、 金属双晶及三晶体的生长技术和装置
0142-0042、 改进的熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶
0030-0043、 带源的氯化物、氢化物系统的多次连续生长装置及其方法
0054-0044、 减少磷酸镓压电晶体单元含水量的方法、装置及按此方法生产的晶体单元
0084-0045、 掺铒掺镁铌酸锂单晶的制备
0003-0046、 非线性磁场中单晶硅拉制方法及其装置
0050-0047、 利用改进的矿化剂生长KTP单晶的方法及其产品
0047-0048、 钨酸锌晶体的掺杂去色工艺
0111-0049、 厚大成型蓝宝石的生长工艺
0125-0050、 硅酸铋(BSO)单晶的坩埚下降法生长
0139-0051、 非线性光学晶体
0102-0052、 双掺新激光晶体
0001-0053、 直拉(切氏法)硅单晶的氮保护气氛
0059-0054、 *化镓／磷化铟异质气相外延技术
0029-0055、 彩色水晶的生长方法
0178-0056、 金属有机物气相外延制备氮化物单晶薄膜的装置与方法0099-0057、 同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法
0107-0058、 用磁悬浮冷坩埚提拉稀土——铁单晶的方法
0193-0059、 改善无位错单晶的成品率的方法
0095-0060、 制造单晶硅的装置
0115-0061、 制备半导体单晶用的双层坩埚
0173-0062、 磁性光学元件
0156-0063、 改进的生长硅晶的方法
0085-0064、 具有很高热导率的单晶金刚石
0143-0065、 掺钕、铽和铈的钇铝石榴石激光晶体及其制备技术
0034-0066、 混合镧—镁铝酸盐及用这种铝酸盐单晶制成的激光器
0038-0067、 一种光波导的产品及其生产方法
0147-0068、 人造金刚石的生产工艺
0184-0069、 憎水性硅片的清洗方法
0023-0070、 助熔剂法生长钛氧磷酸钾晶体的工艺和装置
0135-0071、 直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
0009-0072、 生长杆状红宝石的方法及其装置
0131-0073、 四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺
0020-0074、 绝缘衬底上混合源双面硅单晶生长
0087-0075、 高性能α相碳化硅晶须的制造方法
0196-0076、 一种外延反应器，基座和气流系统0086-0077、 彩色水晶的生长方法
0137-0078、 高灵敏度的近红外光折变掺杂铌酸锂晶体
0106-0079、 提高锗酸铋(BGO)晶体抗辐照损伤技术
0188-0080、 整体晶体的生长方法
0113-0081、 钛酸钡四方晶体的生长装置和生长方法
0006-0082、 浮力提拉单晶炉
0146-0083、 无缺陷氮化硅晶须的制备
0190-0084、 一种金属材料单晶的制备技术
0007-0085、 三羟甲基甲胺(TAM)晶体与生长方法及在X射线光谱仪中的应用
0195-0086、 拉单晶方法及其实现装置
0036-0087、 离子束注入器扫描控制系统
0093-0088、 单晶硅生产设备
0159-0089、 大尺寸氟化铈晶体的生长技术
0192-0090、 生长单晶的方法
0199-0091、 利用等离子体约束装置的等离子体蚀刻装置
0027-0092、 由水平拉带工艺制造的硅带切割
0114-0093、 高纯莫来石晶须的制备方法
0089-0094、 控制晶体生长装置的系统及其熔化物再补给系统
0014-0095、 硅的多重吸杂技术及多重吸杂硅片
0070-0096、 一种尿素长棒籽晶的生长方法0004-0097、 一种温梯法生长高温晶体的装置
0028-0098、 仿猫眼红宝石的生长方法
0097-0099、 高性能β－氮化硅晶晶须的制备方法
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0079-0101、 一种热释电材料(Ｋ2ＺnＣｌ4
0015-0102、 单晶生长装置
0200-0103、 提纯装置和方法
0201-0104、 硅单晶颈部内消除位错的方法
0189-0105、 球状晶体的制造方法
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0010-0109、 钨酸锌单晶体的热处理去色工艺
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