积法制膜生产加工工艺制备技术大全
作者：百创科技 能源燃料来源：本站原创 点击数： 更新时间：2024/2/5
(1010731-0119-0001) 积层聚酯薄膜及其制造方法
(技术说明) 本发明提供一种积层聚酯薄膜，其在聚酯薄膜的至少一面上设置了涂布层，该涂布层含有高分子粘合剂和平均粒径在200～2000nm范围的无机有机复合粒子。该薄膜具有优异的耐磨性、粘接性、透明性和光滑性，可用于光学用易粘接性薄膜。
(1010731-0134-0002) 沉积阴影掩膜保护的多层阴影掩膜结构及其制造和使用方法
(技术说明) 本发明提供了一种多层阴影掩膜及其使用方法。所述多层阴影掩膜包括与沉积掩膜结合的牺牲掩膜。所述牺牲掩膜对沉积掩膜上蒸发物的累积提供保护以防止沉积掩膜变形。
(1010731-0105-0003) 一种微波水热电沉积制备涂层或薄膜的方法及装置
(技术说明) 一种微波水热电沉积制备涂层或薄膜的方法及装置，该装置包括水热釜体以及设置在水热釜体内的与电源相连接的电极水热釜体置于与继电器电连接的微波炉体内，在水热釜体内还设置有与继电器相连接的温度传感器。本发明将阴、阳电极均置于反应釜体内，从而将电沉积与水热技术融为一体；将水热釜体置入微波炉的微波场中，充分利用微波的能量，使制备的薄膜或涂层在较低温度下即可达到所需的结合强度，一般在300℃制备的薄膜或涂层，其结合强度就可以达到10Mpa。
(1010731-0112-0004) 低升华温度高沉积温度金属氧化物准一维纳米结构及其薄膜制备方法
(技术说明) 本发明涉及一种制备低升华温度高沉积温度金属氧化物准一维纳米结构及其薄膜的方法。发明的特点是在真空中、沉积温度高于蒸发源温度条件下，蒸发源蒸发并沉积在衬底基板上形成准一维纳米结构及其薄膜。在一定真空条件下，不需要通入保护气氛，沉积基板位于高温区金属蒸发源位于低温区并缓慢而稳定地蒸发；通入少量氧气，使其反应形成氧化物，并沉积在基板上形成准一维纳米结构及其薄膜。所制备的金属氧化物例如氧化镁、氧化锌、氧化铬准一维纳米材料在电子器件中有潜在的应用。
(1010731-0130-0005) 金属有机化学气相沉积法用原料液以及使用该原料液制备含Hf-Si的复合氧化物膜的方法
(技术说明) 本发明提供具有高成膜速度的MOCVD法用原料液以及使用该原料液制备含Hf-Si的复合氧化物膜的方法。本发明还提供使用与基底的贴合性良好的MOCVD法用原料液制备含Hf-Si的复合氧化物膜的方法。本发明的MOCVD法用原料液的特征在于：将由(R1
(1010731-0056-0006) 电沉积壳聚糖-离子液体-酶复合膜制备修饰电极的方法
(技术说明) 本发明公开了一种电沉积壳聚糖-离子液体-酶复合膜制备修饰电极的方法，其特征在于：制备修饰时将电极作为阴极置入含壳聚糖、离子液体和酶的酸性溶液中，通电进行电沉积，壳聚糖、离子液体和酶附着在阴电极表面，得到修饰电极。本发明电沉积壳聚糖-离子液体-酶复合膜制备修饰电极的方法，条件温和，简便快捷，壳聚糖-离子液体-酶复合膜厚度可控，并可根据需要控制酶固定量。
(1010731-0097-0007) 在水溶液中大面积快速制备一维氧化锌阵列薄膜的方法
(技术说明) 本发明公开了一种在水溶液中大面积快速制备一维ZnO阵列薄膜的方法，依次包括如下步骤：(1)将化学纯的ZnNO3
(1010731-0108-0008) 制备MoO2 粉末的方法、由MoO2 粉末制备的产品、MoO2 薄膜的沉积以及使用这种材料的方法
(技术说明) 本发明涉及在旋转或舟形炉中，通过使用氢作为还原剂，还原钼酸铵或三氧化钼得到的高纯MoO2
(1010731-0083-0009) 阻透性层积膜及其制造方法
(技术说明) 本发明提供一种不必担心因交联而降低透明性的透明性好、高湿度下阻透性好的阻透性层积膜及其制造方法。它提供特征在于：在基材薄膜的至少一面上层积包括乙烯含量为1～19摩尔％的乙烯-乙烯醇共聚物(b1)和(甲基)丙烯酸类共聚物的组合物(b3)的层的阻透层的阻透性层积膜。就基材薄膜而言，在使用薄膜表面形成有无机氧化物蒸镀层的薄膜或在薄膜表面形成有改性丙烯聚合物层的OPP薄膜时，能得到基材粘合性更好的阻透性层积膜。
(1010731-0029-0010) 利用原子层沉积制备薄膜的方法
(技术说明) 本发明提供了一种薄膜制备方法。该方法通过在基片上致密化学吸附第一种反应剂和第二种反应剂，从而利用化学交换形成固态薄膜。根据本发明，由于该第一种反应剂和该第二种反应剂是致密化学吸附的并且通过清洗或抽气完全去除了杂质，故有可能制备膜密度高的精确化学计量薄膜。
(1010731-0104-0011) 薄膜电容元件用组合物、高介电常数绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜积层电容器及薄膜电容元件的制造方法
(1010731-0005-0012) 物理气相沉积制备大面积氧化锌纳米线膜层的方法
(1010731-0031-0013) 制备硬质薄膜的电化学沉积方法
(1010731-0120-0014) 液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法
(1010731-0118-0015) 薄膜积层基板、其制造方法及设有该基板的液晶显示装置
(1010731-0085-0016) 脉冲激光淀积法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜
(1010731-0050-0017) 快速大面积制备薄膜材料的装置及设置方法
(1010731-0133-0018) 低温直接沉积多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
(1010731-0044-0019) 氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备二氧化硅薄膜的方法
(1010731-0074-0020) 掺杂碳的二氧化硅膜的沉积方法与金属内连线的制造方法
(1010731-0140-0021) 中性pH条件双电位阶跃电沉积制备铜铟硒薄膜的方法
(1010731-0063-0022) 一种碳纳米管薄膜的电泳沉积制备方法
(1010731-0137-0023) 通过MOCVD（金属有机化学汽相淀积）法制备ZnO透明导电膜的方法
(1010731-0070-0024) 脉冲激光沉积制备γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的方法
(1010731-0079-0025) 大面积内部并联染料敏化纳米薄膜太阳电池及其制作方法
(1010731-0017-0026) 采用微波等离子法连续制成大面积功能淀积薄膜的方法以及适用该方法的设备
(1010731-0110-0027) 采用物理气相沉积法制备二硫化钨固体润滑膜的方法
(1010731-0103-0028) 氮化硅膜的沉积制造方法及沉积系统
(1010731-0088-0029) 在复杂形状刀具上制备金刚石薄膜的化学气相沉积方法
(1010731-0012-0030) 沉积薄膜及其制造方法
(1010731-0136-0031) 非密堆积胶体晶体薄膜的热压制备方法
(1010731-0055-0032) 制备大面积双面铊系薄膜的退火方法
(1010731-0146-0033) 通过化学气相沉积制备形状记忆膜的方法和由其制得的形状记忆器件
(1010731-0042-0034) 一种制备二氧化钛凝胶膜的气相沉积方法
(1010731-0116-0035) 用于原位薄膜堆积制程的方法及装置
(1010731-0046-0036) 脉冲激光沉积制备硅基锐钛矿相TiO2薄膜的方法
(1010731-0124-0037) 等离子辅助反应热化学气相沉积法制备微晶硅锗薄膜
(1010731-0076-0038) 偏光膜的制造方法偏光板以及光学积层体
(1010731-0106-0039) 一种超声水热电沉积制备涂层或薄膜的方法及其装置
(1010731-0114-0040) 利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法制备ZnO基稀磁半导体薄膜
(1010731-0045-0041) 脉冲激光沉积制备硅基金红石相TiO2薄膜的方法
(1010731-0064-0042) 一种制备大面积铁电薄膜的方法
(1010731-0139-0043) 改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向氧化锌薄膜方法
(1010731-0072-0044) 一种在水溶液中电沉积制备硫氰酸亚铜薄膜的方法
(1010731-0027-0045) 用化学汽相沉积制作薄膜的方法和装置
(1010731-0057-0046) 抗碳沉积阳极膜材及其制备方法
(1010731-0092-0047) 改进的光催化沉积制备担载钯膜的方法
(1010731-0135-0048) 制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法
(1010731-0067-0049) 监测金属腐蚀的沉积膜光纤传感器及其制备方法
(1010731-0113-0050) 电泳沉积低温制备二氧化钛纳晶多孔薄膜电极的制备方法
(1010731-0035-0051) 金属表面钙磷陶瓷/壳聚糖生物活性复合膜层及其电化学共沉积制备方法
(1010731-0093-0052) 借由控制膜层生成前驱物来控制所沉积氮化硅膜的性质及均一性的方法
(1010731-0014-0053) 大面积金钢石薄膜的制造装置及制造方法
(1010731-0015-0054) 薄膜制备方法和淀积设备
(1010731-0143-0055) 电沉积壳聚糖-染料-酶复合膜制备修饰电极的方法
(1010731-0021-0056) 低压化学气相沉积Ta2O5的低漏电流薄膜的制作方法
(1010731-0084-0057) 用化学气相沉积法由烷氧化铋制备铁电薄膜
(1010731-0071-0058) 金属有机物沉积制备高温超导薄膜的方法
(1010731-0145-0059) 高速沉积优质本征微晶硅薄膜的制备方法
(1010731-0144-0060) 均匀大面积光线增透镀膜太阳能电池封装玻璃及制作方法
(1010731-0099-0061) 薄膜电容元件用组合物、高介电常数绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜积层电容器及薄膜电容元件的制造方法
(1010731-0065-0062) 超薄自支撑聚酰亚胺滤光薄膜的物理气相沉积制备方法
(1010731-0006-0063) 射频台式硅二极管电泳沉积玻璃钝化共形膜制备方法
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(1010731-0041-0067) 有机金属铜络合物的铜薄膜的化学汽相淀积制备法
(1010731-0109-0068) 一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法
(1010731-0052-0069) 包含具高表面积颗粒的液晶光电膜及其制作方法
(1010731-0028-0070) 在衬底表面上淀积膜的方法和由该方法制造的衬底
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(1010731-0033-0073) 利用化学蒸汽沉积法形成氧化铝膜的化合物和制备该化合物的方法
(1010731-0073-0074) 采用脉冲激光沉积工艺制备大面积超导薄膜的方法和装置
(1010731-0132-0075) 电子水泡表面低温沉积电容薄膜的制备方法
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(1010731-0086-0080) 电场沉积制备薄膜的方法
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(1010731-0040-0084) 用于化学汽相淀积的有机金属化合物及其制造方法贵金属膜及贵金属化合物膜的化学汽相淀积法
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(1010731-0010-0092) 一种能够大面积制备锂离子固体电解质薄膜的方法
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(1010731-0051-0146) 改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法
(1010731-0018-0147) 一种电化学沉积-热解烧制氧化物薄膜的方法
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(技术说明) 本发明提供一种积层聚酯薄膜，其在聚酯薄膜的至少一面上设置了涂布层，该涂布层含有高分子粘合剂和平均粒径在200～2000nm范围的无机有机复合粒子。该薄膜具有优异的耐磨性、粘接性、透明性和光滑性，可用于光学用易粘接性薄膜。
(1010731-0134-0002) 沉积阴影掩膜保护的多层阴影掩膜结构及其制造和使用方法
(技术说明) 本发明提供了一种多层阴影掩膜及其使用方法。所述多层阴影掩膜包括与沉积掩膜结合的牺牲掩膜。所述牺牲掩膜对沉积掩膜上蒸发物的累积提供保护以防止沉积掩膜变形。
(1010731-0105-0003) 一种微波水热电沉积制备涂层或薄膜的方法及装置
(技术说明) 一种微波水热电沉积制备涂层或薄膜的方法及装置，该装置包括水热釜体以及设置在水热釜体内的与电源相连接的电极水热釜体置于与继电器电连接的微波炉体内，在水热釜体内还设置有与继电器相连接的温度传感器。本发明将阴、阳电极均置于反应釜体内，从而将电沉积与水热技术融为一体；将水热釜体置入微波炉的微波场中，充分利用微波的能量，使制备的薄膜或涂层在较低温度下即可达到所需的结合强度，一般在300℃制备的薄膜或涂层，其结合强度就可以达到10Mpa。
(1010731-0112-0004) 低升华温度高沉积温度金属氧化物准一维纳米结构及其薄膜制备方法
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(1010731-0130-0005) 金属有机化学气相沉积法用原料液以及使用该原料液制备含Hf-Si的复合氧化物膜的方法
(技术说明) 本发明提供具有高成膜速度的MOCVD法用原料液以及使用该原料液制备含Hf-Si的复合氧化物膜的方法。本发明还提供使用与基底的贴合性良好的MOCVD法用原料液制备含Hf-Si的复合氧化物膜的方法。本发明的MOCVD法用原料液的特征在于：将由(R1
(1010731-0056-0006) 电沉积壳聚糖-离子液体-酶复合膜制备修饰电极的方法
(技术说明) 本发明公开了一种电沉积壳聚糖-离子液体-酶复合膜制备修饰电极的方法，其特征在于：制备修饰时将电极作为阴极置入含壳聚糖、离子液体和酶的酸性溶液中，通电进行电沉积，壳聚糖、离子液体和酶附着在阴电极表面，得到修饰电极。本发明电沉积壳聚糖-离子液体-酶复合膜制备修饰电极的方法，条件温和，简便快捷，壳聚糖-离子液体-酶复合膜厚度可控，并可根据需要控制酶固定量。
(1010731-0097-0007) 在水溶液中大面积快速制备一维氧化锌阵列薄膜的方法
(技术说明) 本发明公开了一种在水溶液中大面积快速制备一维ZnO阵列薄膜的方法，依次包括如下步骤：(1)将化学纯的ZnNO3
(1010731-0108-0008) 制备MoO2 粉末的方法、由MoO2 粉末制备的产品、MoO2 薄膜的沉积以及使用这种材料的方法
(技术说明) 本发明涉及在旋转或舟形炉中，通过使用氢作为还原剂，还原钼酸铵或三氧化钼得到的高纯MoO2
(1010731-0083-0009) 阻透性层积膜及其制造方法
(技术说明) 本发明提供一种不必担心因交联而降低透明性的透明性好、高湿度下阻透性好的阻透性层积膜及其制造方法。它提供特征在于：在基材薄膜的至少一面上层积包括乙烯含量为1～19摩尔％的乙烯-乙烯醇共聚物(b1)和(甲基)丙烯酸类共聚物的组合物(b3)的层的阻透层的阻透性层积膜。就基材薄膜而言，在使用薄膜表面形成有无机氧化物蒸镀层的薄膜或在薄膜表面形成有改性丙烯聚合物层的OPP薄膜时，能得到基材粘合性更好的阻透性层积膜。
(1010731-0029-0010) 利用原子层沉积制备薄膜的方法
(技术说明) 本发明提供了一种薄膜制备方法。该方法通过在基片上致密化学吸附第一种反应剂和第二种反应剂，从而利用化学交换形成固态薄膜。根据本发明，由于该第一种反应剂和该第二种反应剂是致密化学吸附的并且通过清洗或抽气完全去除了杂质，故有可能制备膜密度高的精确化学计量薄膜。
(1010731-0104-0011) 薄膜电容元件用组合物、高介电常数绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜积层电容器及薄膜电容元件的制造方法
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