(1009609-0002-0001) 基于碘化铯的闪烁材料及其制备方法
(技术说明) 本发明涉及基于碘化铯的闪烁物料它具有低余辉和高辐射强度；以及其制备方法。由碘化铊掺杂的碘化铯基的闪烁物料含有具有通式Ｍｅｘ
(1009609-0003-0002) 非真空下降法生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术
(技术说明) 本发明为改进后的非真空下降法生长大尺寸掺铊碘化铯晶体，属于碘化铯晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服ＣｓＩ（Ｔ１）晶体生长中内应力问题以及适合工业化生产。Ｔ１的掺杂量每百克ＣｓＩ为４００～８００ｐｐｍ，脱氧剂加入量每百克ＣＳＩ为１０—５００ｐｐｍ，使用铂坩埚生长，坩埚的形状和大小随生长晶体而异，可同炉生长５—２０根晶体。脱氧反应温度为高于熔点５０—２００℃，反应时间６—８小时。引下装置中冷却棒用通水冷却以便调节结晶潜热和控制固－液界面。
(1009609-0006-0003) 以单质粉末为脱氧剂的掺铊碘化铯晶体生长技术
(技术说明) 本发明以高纯碳、硅或锗单质粉末为脱氧剂，和CsI多晶粉末或CsI(Tl)碎晶块作为生长原料，烘干和充分混合均匀后，密封在铂金或石英坩埚中。采用Bridgman方法进行晶体生长。在特殊设计的下降驱动系统中，坩埚的下降速度控制在0.4-3.4mm/h。生长界面温度梯度为20-40℃/mm。本发明实现了在非真空条件下生长出具有高透明度和高光输出CsI(Tl)晶体的效果，属于晶体生长技术领域。
(1009609-0001-0004) 下降法生长大尺寸碘化铯(CSI)晶体新技术
(技术说明) 本发明关于坩埚下降法生长优质碘化铯晶体，属于晶体生长领域。用通常石英坩埚下降法生长大尺寸ＣｓＩ晶体的主要问题是石英坩埚容易开裂，晶体应力大多晶严重，容易开裂，性能也差。本发明的核心是减少大尺寸晶体应力及定向生长，主要技术包括正确选用铂坩埚，选好晶体生长方向及包种接种技术有一整套减少生长缺陷和Ｉ－空位的措施。完整的工业化生长大尺寸ＣｓＩ晶体的工艺技术。按本发明生长出来的大尺寸纯ＣｓＩ晶体能量分辨率与光产额高。
(1009609-0005-0005) 钴60γ射线源－碘化铯或钨酸镉探测器集装箱检测设备
(技术说明)
(1009609-0004-0006) 钴60γ射线源－碘化铯或钨酸镉探测器集装箱检测设备
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