介电材料生产加工工艺制备技术大全
作者：百创科技 能源燃料来源：本站原创 点击数： 更新时间：2024/2/5
(1008656-0145-0001) 蚀刻高介电常数材料和清洗用于高介电常数材料的沉积室的方法
(技术说明) 本发明公开一种用蚀刻和/或清洗应用从基体上除去一种物质的方法。在一个实施方案中，提供一种从基体上除去具有介电常数比二氧化硅大的物质的方法，该方法通过该物质与反应剂反应形成挥发性产物，并从基体上除去该挥发性产物，从而从基体上除去该物质，其中该反应剂包括选**含卤素化合物、含硼化合物、含氢化合物、含氮化合物、螯合物、含碳化合物、氯代硅烷化合物、氢氯化硅烷化合物或有机氯代硅烷化合物所组成之组中的至少一种。
(1008656-0104-0002) 具有巨大介电调谐效应的铁电材料
(技术说明) 本发明公开了一种具有巨大介电调谐效应的铁电材料，该铁电材料的化学式为(Lu1-x
(1008656-0141-0003) 高频陶瓷介质材料、其制备方法及所得的电容器
(技术说明) 本发明公开了一种高频BaNd2
(1008656-0271-0004) 一种高掺镁的钛酸锶铅高介电可调性薄膜材料的制备方法
(技术说明) 本发明公开了一种高掺镁的钛酸锶铅高介电可调性薄膜材料的制备方法。以钛酸丁酯，醋酸铅，碳酸锶和碳酸镁为原料，*甲醚和醋酸为溶剂，配制溶胶先驱体。采用已配制的相关溶胶先驱体作为镀膜溶液，采用浸渍提拉法制备薄膜涂层。得到的涂层经烘干后在高温下快速热处理，然后烧结得到PSMT铁电薄膜。本发明工艺简单，制备的薄膜质量较好，显示了较高的介电可调性(介可调性可达35％到63％)，具有良好的应用前景。
(1008656-0296-0005) 导电性液晶材料、其制造方法、液晶组合物、液晶半导体元件和信息存储介质
(技术说明) 本发明涉及即使在室温范围内，在阈值电压为5V左右的低电压下，也表现出优异的导电性，具有通过施加电压电阻值发生变化、在5V左右的电压附近电流密度急剧升高、电荷迁移率也优异等特性的导电性液晶材料及其制造方法，和用于该导电性液晶材料的液晶组合物，液晶半导体元件，以及信息存储介质。上述导电性液晶材料的特征在于，其是由具有近晶相作为液晶相的两组分以上构成的液晶组合物，其中一组分或两组分以上选自下述通式(1)所示的二苯乙烯衍生物，且该液晶组合物呈由近晶相的相变产生的固体状态。下式中，R1
(1008656-0260-0006) X7R材料的无磁性片式多层陶瓷介质电容器及其制备方法
(技术说明) 本发明公开了一种无磁性片式多层陶瓷电容器及其制备方法。该无磁性片式多层陶瓷电容器包括内电极、介质层以及端电极，其中，介质层、内电极、端电极分别由无磁性的介电陶瓷材料、无磁性的内浆材料、无磁性的端浆材料制成，其均不含有锰、铬、铁、钴、镍和其它有磁性的金属材料；而且在制备该无磁性片式多层陶瓷电容器的混浆、层压、排胶以及端电极烧端等过程中，均使用非磁性的器具。本发明的产品具有不易被外界磁场所磁化的特点。
(1008656-0218-0007) 一种低介电损耗压电陶瓷材料及其制备方法
(技术说明) 一种低介电损耗压电陶瓷材料及其制备方法，属于压电陶瓷领域。其特征在于材料的组成为Pb1-x
(1008656-0288-0008) 改性钛酸铜钙基氧化物介电材料及其应用
(技术说明) 本发明公开了改性钛酸铜钙基氧化物介电材料及其应用。该材料的组分可用化学表达式CaCu3-x
(1008656-0089-0009) 用于抛光低介电材料的化学机械抛光液
(技术说明) 本发明公开了一种用于抛光低介电材料的化学机械抛光液，包含研磨颗粒、腐蚀抑制剂、氧化剂和水，其特征在于还包含至少一种增速剂。本发明的抛光液能在较低的压力下具有较高的低介电材料的去除速率，对其它材料，如金属铜(Cu)、氧化硅(Teos)、金属坦(Ta)/氮化坦(TaN)阻挡层等也有较高的去除速率。
(1008656-0151-0010) 一种对低介电材料表面进行处理形成光学抗反射层的工艺
(技术说明) 本发明为一种对低介电材料表面等离子体处理形成光学抗反射层的工艺。本发明中对低介电材料表面进行2～5次等离子体处理，并通过调节处理时间、温度、压力工艺参数，调节表面介质薄膜的折射率、消光系数，从而形成表面抗反射薄膜，取代工业界常规使用的有机、无机抗反射层，大大简化工艺操作，并节约化学试剂的使用。而且，在低介电材料表面形成的抗反射薄膜层将会在后续刻蚀、化学机械抛光工艺中移除，这样介电常数将不会变化，仍然具有低介电常数的优势。
(1008656-0081-0011) 交联性低介电性高分子材料及使用它的薄膜、基板和电子部件
(1008656-0058-0012) 用于集成电路器件制造的先进介电材料和工艺
(1008656-0125-0013) 片式电容器用介质陶瓷材料及其制备方法
(1008656-0222-0014) 一种高介电常数软性压电陶瓷材料及制备方法
(1008656-0009-0015) 介电陶瓷材料及采用该材料的电介质谐振器
(1008656-0131-0016) 在介电材料上选择性沉积阻挡层
(1008656-0060-0017) 中温烧结多层陶瓷电容器用低介微波介质材料
(1008656-0114-0018) 一种提高玻璃陶瓷介电材料储能密度的内电极结构
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(1008656-0217-0020) 一种温度稳定型超高介电常数电子陶瓷材料及其制备方法
(1008656-0090-0021) 基于终端短路法的介质材料高温复介电常数测量方法
(1008656-0100-0022) 使用激光对热敏介电材料进行精抛光/精密结构化的方法
(1008656-0280-0023) 一种薄层微晶介质材料的光电子特性检测方法及装置
(1008656-0103-0024) 介电材料BCB的移除方法
(1008656-0132-0025) 选择性蚀刻掺杂碳的低介电常数材料的方法
(1008656-0177-0026) 于低介电材料层中形成导电结构的方法
(1008656-0118-0027) 用于低介电基片的表面处理铜箔和包铜层压板和使用这些材料的印刷电路板
(1008656-0007-0028) 一种修复低介电常数材料层的方法
(1008656-0056-0029) 电介质复合材料
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(1008656-0049-0031) 高介电常数、高稳定、低损耗的陶瓷介质材料及制造方法
(1008656-0076-0032) 一种多层电感器用堇青石基微晶玻璃陶瓷介质材料的制备方法
(1008656-0200-0033) 电介质陶瓷粉末的制造方法和复合电介质材料的制造方法
(1008656-0236-0034) 涂料组合物和通过使用该涂料组合物制得的低介电硅质材料
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(1008656-0283-0270) 介电层构成材料的制造方法及由该制造方法获得的介电层构成材料、用介电层构成材料制造电容器电路形成部件的方法及由该制造方法获得的电容器电路形成部件、以及用该介电层构成材料或 /及电容器电路形成部件获得的多层印刷电路板
(1008656-0248-0271) 用于确定介电材料的湿度和密度的方法
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(1008656-0259-0284) 陶瓷介电材料及其制备方法及卑金属积层陶瓷电容器
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(技术说明) 本发明公开一种用蚀刻和/或清洗应用从基体上除去一种物质的方法。在一个实施方案中，提供一种从基体上除去具有介电常数比二氧化硅大的物质的方法，该方法通过该物质与反应剂反应形成挥发性产物，并从基体上除去该挥发性产物，从而从基体上除去该物质，其中该反应剂包括选**含卤素化合物、含硼化合物、含氢化合物、含氮化合物、螯合物、含碳化合物、氯代硅烷化合物、氢氯化硅烷化合物或有机氯代硅烷化合物所组成之组中的至少一种。
(1008656-0104-0002) 具有巨大介电调谐效应的铁电材料
(技术说明) 本发明公开了一种具有巨大介电调谐效应的铁电材料，该铁电材料的化学式为(Lu1-x
(1008656-0141-0003) 高频陶瓷介质材料、其制备方法及所得的电容器
(技术说明) 本发明公开了一种高频BaNd2
(1008656-0271-0004) 一种高掺镁的钛酸锶铅高介电可调性薄膜材料的制备方法
(技术说明) 本发明公开了一种高掺镁的钛酸锶铅高介电可调性薄膜材料的制备方法。以钛酸丁酯，醋酸铅，碳酸锶和碳酸镁为原料，*甲醚和醋酸为溶剂，配制溶胶先驱体。采用已配制的相关溶胶先驱体作为镀膜溶液，采用浸渍提拉法制备薄膜涂层。得到的涂层经烘干后在高温下快速热处理，然后烧结得到PSMT铁电薄膜。本发明工艺简单，制备的薄膜质量较好，显示了较高的介电可调性(介可调性可达35％到63％)，具有良好的应用前景。
(1008656-0296-0005) 导电性液晶材料、其制造方法、液晶组合物、液晶半导体元件和信息存储介质
(技术说明) 本发明涉及即使在室温范围内，在阈值电压为5V左右的低电压下，也表现出优异的导电性，具有通过施加电压电阻值发生变化、在5V左右的电压附近电流密度急剧升高、电荷迁移率也优异等特性的导电性液晶材料及其制造方法，和用于该导电性液晶材料的液晶组合物，液晶半导体元件，以及信息存储介质。上述导电性液晶材料的特征在于，其是由具有近晶相作为液晶相的两组分以上构成的液晶组合物，其中一组分或两组分以上选自下述通式(1)所示的二苯乙烯衍生物，且该液晶组合物呈由近晶相的相变产生的固体状态。下式中，R1
(1008656-0260-0006) X7R材料的无磁性片式多层陶瓷介质电容器及其制备方法
(技术说明) 本发明公开了一种无磁性片式多层陶瓷电容器及其制备方法。该无磁性片式多层陶瓷电容器包括内电极、介质层以及端电极，其中，介质层、内电极、端电极分别由无磁性的介电陶瓷材料、无磁性的内浆材料、无磁性的端浆材料制成，其均不含有锰、铬、铁、钴、镍和其它有磁性的金属材料；而且在制备该无磁性片式多层陶瓷电容器的混浆、层压、排胶以及端电极烧端等过程中，均使用非磁性的器具。本发明的产品具有不易被外界磁场所磁化的特点。
(1008656-0218-0007) 一种低介电损耗压电陶瓷材料及其制备方法
(技术说明) 一种低介电损耗压电陶瓷材料及其制备方法，属于压电陶瓷领域。其特征在于材料的组成为Pb1-x
(1008656-0288-0008) 改性钛酸铜钙基氧化物介电材料及其应用
(技术说明) 本发明公开了改性钛酸铜钙基氧化物介电材料及其应用。该材料的组分可用化学表达式CaCu3-x
(1008656-0089-0009) 用于抛光低介电材料的化学机械抛光液
(技术说明) 本发明公开了一种用于抛光低介电材料的化学机械抛光液，包含研磨颗粒、腐蚀抑制剂、氧化剂和水，其特征在于还包含至少一种增速剂。本发明的抛光液能在较低的压力下具有较高的低介电材料的去除速率，对其它材料，如金属铜(Cu)、氧化硅(Teos)、金属坦(Ta)/氮化坦(TaN)阻挡层等也有较高的去除速率。
(1008656-0151-0010) 一种对低介电材料表面进行处理形成光学抗反射层的工艺
(技术说明) 本发明为一种对低介电材料表面等离子体处理形成光学抗反射层的工艺。本发明中对低介电材料表面进行2～5次等离子体处理，并通过调节处理时间、温度、压力工艺参数，调节表面介质薄膜的折射率、消光系数，从而形成表面抗反射薄膜，取代工业界常规使用的有机、无机抗反射层，大大简化工艺操作，并节约化学试剂的使用。而且，在低介电材料表面形成的抗反射薄膜层将会在后续刻蚀、化学机械抛光工艺中移除，这样介电常数将不会变化，仍然具有低介电常数的优势。
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