半氧工艺技术资料-磷光体和半导体-栅氧化硅-半电池类资料
(16697-0001-0001)计算金属氧化物半导体场效应晶体管门限电压的方法
(16697-0020-0002)检测二氧化氮的半导体传感器气敏元件的制造方法
(16697-0445-0003)一种三维多层平面互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法
(16697-0474-0004)无卤无磷阻燃环氧树脂半固化物及阻燃环氧树脂组成物
(16697-0660-0005)一种制备带环氧基倍半硅氧烷的方法
(16697-0100-0006)聚倍半硅氧烷水乳浊液的制备方法
(16697-0750-0007)具有铁氧体屏蔽结构的半导体封装
(16697-0305-0008)氧化锌系化合物半导体发光元件
(16697-0613-0009)光学半导体元件密封用环氧树脂组合物和使用它的光学半导体装置
(16697-0230-0010)沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
(16697-0354-0011)金属氧化物半导体器件的制造方法
(16697-0732-0012)与标准互补金属氧化物半导体工艺兼容的高压互补金属氧化物半导体双栅氧制备工艺
(16697-0890-0013)金属氧化物半导体元件和半导体结构
(16697-0683-0014)半导体封装用环氧树脂组合物及半导体器件
(16697-0284-0015)双金属栅极互补金属氧化物半导体器件及其加工方法
(16697-0190-0016)具有P＋多晶硅栅极的金属氧化物半导体晶体管的制作方法
(16697-0200-0017)金属间介质半导体制造中氟硅玻璃薄膜的氧氮化硅盖层
(16697-0168-0018)互补金属氧化物半导体集成电路
(16697-0265-0019)补偿型金属氧化物半导体器件结构及其制造方法
(16697-0986-0020)高迁移率功率金属氧化物半导体场效应晶体管
(16697-0848-0021)一种自组装生长的聚倍半硅氧烷纳米管及纳米线的制法
(16697-0988-0022)氧化物半导体、薄膜晶体管以及制造薄膜晶体管的方法
(16697-0566-0023)一种半导体器件含氮双栅氧化硅层的制备方法
(16697-0076-0024)互补金属氧化物半导体器件
(16697-0802-0025)半导体密封用环氧树脂组合物及半导体装置
(16697-0106-0026)用阳极化硅内层的开槽和氧化形成的半导体隔离
(16697-0177-0027)互补金属氧化物半导体静态随机存取存储器件
(16697-1024-0028)金属氧化物半导体电压基准电路
(16697-0069-0029)不含卤素的阻燃性环氧树脂组合物、不含卤素的复合多层板用阻燃性环氧树脂组合物、半固化片、覆铜箔层压板、印刷电路板、附铜箔树脂膜、附载箔树脂膜、复合层压板和复合多层板
(16697-0551-0030)功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法
(16697-0108-0031)互补金属-氧化物-半导体锁住状态的恢复电路
(16697-0700-0032)减少互补式金氧半场效晶体管影像感测器杂讯的结构
(16697-0394-0033)具光源的互补金属氧化物半导体电路模块
(16697-0310-0034)互补式金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法
(16697-0090-0035)制造具有互补金属氧化物半导体结构半导体器件的方法
(16697-0484-0036)金属氧化物半导体晶体管的结构以及其形成方法
(16697-0299-0037)金属氧化物半导体器件的制造方法
(16697-0122-0038)双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺
(16697-0387-0039)半胱氨酸双加氧酶中的多态性
(16697-0584-0040)半导体设备的制造方法以及半导体衬底的氧化方法
(16697-0255-0041)含有烷氧基化的胺中和的烷氧基化的三苯乙烯基*半硫酸酯的表面活性剂的农药制剂
(16697-0248-0042)半导体封装用环氧树脂组合物及使用这种组合物的半导体装置
(16697-0005-0043)超薄绝缘体基外延硅金属氧化物半导体晶体管的阈值电压调节方法
(16697-0734-0044)金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(16697-0262-0045)互补式金属氧化物半导体的制造方法
(16697-0686-0046)多氨基笼型倍半硅氧烷的合成方法
(16697-0924-0047)互补性金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
(16697-0209-0048)封装半导体用环氧树脂组合物和半导体器件
(16697-0842-0049)氧化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法及计算机存储介质
(16697-0187-0050)形成氧化锌薄膜的方法和使用此薄膜制备半导体元件基体和光电元件的方法
(16697-0903-0051)大尺度氧化锌二维周期半球壳点阵的制备方法
(16697-0979-0052)一种半导体组件及金属氧化物半导体场效应晶体管
(16697-0486-0053)硅氧烷基粘合片材、将半导体芯片粘接到芯片连接元件上的方法和半导体器件
(16697-0989-0054)氧化物半导体发光元件
(16697-0214-0055)一种半导体封装用的液体环氧组合物及其用途
(16697-0099-0056)"晶体管—晶体管逻辑到互补型金属-氧化物—半导体"的输入缓冲器
(16697-0443-0057)基于多晶半透明氧化铝的陶瓷材料
(16697-0386-0058)金属氧化物半导体装置
(16697-0812-0059)结合互补金属氧化物半导体集成电路的NMOS和PMOS晶体管使用不同的栅介质
(16697-0992-0060)高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
(16697-0707-0061)含氨基苯基倍半硅氧烷的制备方法
(16697-0816-0062)互补金属氧化物半导体图像传感器
(16697-0743-0063)半定量快速检测氧化低密度脂蛋白的胶体金试纸条及制备方法
(16697-0960-0064)金属氧化物半导体晶体管及其形成方法
(16697-0050-0065)功率金属氧化物半导体晶体管的配置
(16697-0325-0066)金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
(16697-0723-0067)基于电化学氧化L-半胱氨酸的磺基丙氨酸修饰电极的制备方法
(16697-1027-0068)厚栅高压P型金属氧化物半导体管
(16697-0987-0069)多面体倍半硅氧烷纳米线
(16697-0142-0070)光半导体元件包封用环氧树脂组合物
(16697-0046-0071)主动式互补金氧半导体像素装置及其制造方法
(16697-0590-0072)互补金属氧化物半导体及其形成方法
(16697-0879-0073)高纯多面体低聚硅倍半氧烷单体的制备方法
(16697-1015-0074)半动态好氧堆肥发酵装置
(16697-0635-0075)导电和绝缘准氧化锌衬底及垂直结构的半导体发光二极管
(16697-0032-0076)一种苯基和甲基聚倍半硅氧烷预聚体的制备
(16697-0883-0077)快速稳定的互补金属氧化物半导体恒电位仪电路
(16697-0688-0078)具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管
(16697-0314-0079)半导体处理用的氧化方法和装置
(16697-0479-0080)半导体基片的UV增强的氧氮化
(16697-0489-0081)金属氧化物半导体场效应电晶体及其制造方法
(16697-0458-0082)用液相外延法生长氧化锌蓝紫光半导体
(16697-0549-0083)双栅高压N型金属氧化物半导体管
(16697-0275-0084)卤化镁/二氧化硅负载的半茂金属催化剂及其制备与应用
(16697-0147-0085)环氧树脂组合物以及用环氧树脂组合物包封的半导体元件
(16697-0278-0086)双极金属氧化物半导体场效应晶体管器件
(16697-0830-0087)可固化的有机基聚硅氧烷组合物、其固化方法、半导体器件和粘合促进剂
(16697-0120-0088)双极型和互补金属氧化物半导体晶体管
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(16697-0362-0093)测量金属氧化物半导体组件的本征电容的方法
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(16697-0380-0099)治疗与氧化应激有关的疾病和病症的N-乙酰半胱氨酸酰胺（NAC酰胺）
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(16697-0298-0107)半定量检测氧化低密度脂蛋白的胶体硒试纸条
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(16697-0589-0130)半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法
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(16697-0982-0141)互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
(16697-0033-0142)苯基聚倍半硅氧烷预聚体的制备方法
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(16697-0792-0147)降低硅氧烷橡胶硫化产品的表面粘度的方法、用于密封半导体的液体硅氧烷橡胶组合物、硅氧烷橡胶密封的半导体装置和生产半导体装置的方法
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(16697-0416-0149)包含锗的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体器件用间层绝缘膜
(16697-0539-0150)互补金属氧化物半导体图像传感器件的结构及其制造方法
(16697-0170-0151)氧化物半导体热敏电阻及其制造方法
(16697-0390-0152)互补式金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
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(16697-0912-0154)双边扩散型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
(16697-0710-0155)整合具有不同功函数的金属以形成具有高K栅极电介质及相关结构的互补金属氧化物半导体栅极的方法
(16697-0756-0156)互补式金属氧化物半导体图像传感器的布局结构
(16697-0615-0157)光半导体密封用环氧树脂组合物
(16697-0160-0158)互补金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(16697-0415-0159)硅氧烷基树脂及用其制造的半导体的层间绝缘膜
(16697-0290-0160)半导体封装用环氧树脂组合物的制造方法、半导体封装用环氧树脂组合物及半导体装置
(16697-0023-0161)金氧半导体晶体管的制造工艺
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