多晶半导体工艺技术及制造方法
(18927-0040-0001)闪存装置制造中用于多晶硅-1定义非临界互补掩膜方法
(18927-0101-0002)一种多晶锗硅薄膜的制备方法
(18927-0096-0003)化学机械抛光用于接合多晶硅插拴制造方法及其结构
(18927-0032-0004)多晶半导体薄膜衬底及其制造方法、半导体器件和电子器件
(18927-0121-0005)具有发射极多晶硅源/漏区的EEPROM单元的制造
(18927-0029-0006)一种非结晶与多晶结构的氮化镓系化合物半导体的成长方法
(18927-0128-0007)多晶硅控制的回蚀刻显示器
(18927-0002-0008)蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法
(18927-0037-0009)多晶收集区倒置结构SiGe异质结晶体管
(18927-0104-0010)多晶硅化学机械研磨法来增进栅极微影能力的方法
(18927-0132-0011)采用多晶填充的沟槽的半导体器件
(18927-0116-0012)一种多晶硅存储元件及其制备方法
(18927-0031-0013)多晶片集成电路封装结构
(18927-0023-0014)具有P＋多晶硅栅极的金属氧化物半导体晶体管的制作方法
(18927-0079-0015)用于动态阈值电压控制的多晶硅背栅SOI MOSFET
(18927-0005-0016)利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法
(18927-0064-0017)半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法
(18927-0045-0018)一种改进型栅极多晶硅掩膜层去除方法
(18927-0035-0019)具有单多晶结构的闪存器件及其制造方法
(18927-0062-0020)半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
(18927-0102-0021)改善栅极多晶硅层电阻值的方法
(18927-0014-0022)注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法
(18927-0127-0023)多晶硅图案形成方法、多层交叉点电阻存储器及制造方法
(18927-0125-0024)用单层多晶硅工艺形成高薄层电阻量电阻器和高电容量电容器
(18927-0056-0025)多晶片封装组件
(18927-0109-0026)用于减小多晶硅高度的SOI底部预掺杂合并e-SiGe
(18927-0141-0027)应变硅晶体管的锗硅和多晶硅栅极结构
(18927-0046-0028)多晶硅栅层的沉积方法
(18927-0049-0029)一种多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法
(18927-0007-0030)改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
(18927-0050-0031)具有多晶硅多层绝缘结构的非易失性存储单元
(18927-0061-0032)多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件
(18927-0078-0033)采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片
(18927-0055-0034)在线淀积LPCVD多晶硅石英系统保护层装置
(18927-0012-0035)形成多晶硅连接的深沟动态随机存取存储器单元的方法
(18927-0131-0036)具有多晶硅电极的半导体器件
(18927-0108-0037)一种多晶硅振动膜硅微电容传声器芯片及其制备方法
(18927-0028-0038)制作多晶硅－多晶硅/MOS叠层电容器的方法
(18927-0038-0039)多晶硅硅化物电熔丝器件
(18927-0083-0040)内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路
(18927-0117-0041)多晶硅层、制造其的方法和平板显示器
(18927-0008-0042)降低多晶硅层洞缺陷的方法
(18927-0066-0043)在半导体制程中避免多晶硅纵樑形成的半导体结构
(18927-0090-0044)光电二极管上设有多晶硅层的图像传感器及像素
(18927-0088-0045)减少在氮离子注入时产生多晶硅化金属空洞的方法
(18927-0020-0046)双层多晶CMOS数模混合集成电路及其制造方法
(18927-0026-0047)多晶片半导体封装结构及制法
(18927-0107-0048)一种多晶硅刻蚀工艺中的颗粒控制方法
(18927-0016-0049)一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭工艺
(18927-0060-0050)底栅控制型多晶硅薄膜晶体管的制造方法
(18927-0087-0051)具厚膜多晶硅的静电放电防护元件、电子装置及制造方法
(18927-0073-0052)半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法
(18927-0044-0053)用高密度等离子氧化层作为多晶硅层间绝缘层的分隔栅的构成
(18927-0013-0054)制作多晶硅薄膜的方法
(18927-0017-0055)绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法
(18927-0051-0056)一种多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法
(18927-0118-0057)多晶硅层、使用其的平板显示器及其制造方法
(18927-0019-0058)具有多晶硅薄膜的半导体器件
(18927-0041-0059)多晶硅自对准插塞的制作方法
(18927-0120-0060)表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法
(18927-0123-0061)多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
(18927-0106-0062)室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
(18927-0067-0063)具有电压维持区域并从相反掺杂的多晶硅区域扩散的高电压功率MOSFET
(18927-0081-0064)多晶硅自行对准接触插塞与多晶硅共享源极线及制作方法
(18927-0138-0065)浮法冶金熔融析出杂质提纯生产太阳能多晶带硅
(18927-0085-0066)制备多晶硅的方法
(18927-0059-0067)具有多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器及其制造方法
(18927-0024-0068)制造多晶半导体的方法和装置
(18927-0099-0069)多晶硅细脉熔丝
(18927-0021-0070)具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法
(18927-0054-0071)匀热式多晶片电子元件封装组件
(18927-0114-0072)多晶硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
(18927-0042-0073)半导体器件的着片多晶硅接触结构及栅极结构的制造方法
(18927-0072-0074)具复合多晶硅层的半导体结构及其应用的显示面板
(18927-0022-0075)生产多晶半导体晶锭的工艺和设备
(18927-0122-0076)通过自对准形成多晶硅浮栅结构的方法
(18927-0135-0077)多晶硅薄膜的制备方法
(18927-0015-0078)利用氧化物与多晶硅隔离垫制造高密度集成电路的方法
(18927-0043-0079)包括低温多晶硅薄膜晶体管的影像显示系统及其制造方法
(18927-0130-0080)具有多晶粒并排配置的半导体组件封装结构及其方法
(18927-0084-0081)具多晶硅射极双极性晶体管的制造方法
(18927-0111-0082)多晶硅薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法
(18927-0036-0083)制备三氯氢硅和多晶硅的改进方法和装置
(18927-0115-0084)使用固体激光器退火的多晶硅薄膜制备半导体器件的方法
(18927-0009-0085)多晶硅界定阶跃恢复器件
(18927-0025-0086)多晶硅二极管的静电放电保护装置
(18927-0033-0087)多晶半导体层的制造方法及激光退火装置
(18927-0034-0088)薄膜多晶太阳能电池及其形成方法
(18927-0065-0089)具有多晶硅熔丝的半导体器件及其微调方法
(18927-0100-0090)一种制备多晶硅的方法
(18927-0134-0091)修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法及栅极的制造方法
(18927-0080-0092)用于多晶化的掩模和用其制造薄膜晶体管的方法
(18927-0105-0093)溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用
(18927-0086-0094)多晶硅的定向生长方法
(18927-0076-0095)多晶半导体膜制造方法及其装置和图像显示面板
(18927-0124-0096)一种单层多晶硅、多位的非易失性存储元件及其制造方法
(18927-0001-0097)在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法
(18927-0052-0098)多晶硅的等离子生产方法及其装置
(18927-0113-0099)多晶硅/体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
(18927-0142-0100)一种化合物半导体材料多晶合成的装置
(18927-0091-0101)一种多晶锗硅薄膜的制备方法
(18927-0092-0102)具有高性能集成电路多晶硅凝集熔消组件的互补金属氧化物半导体的工艺
(18927-0089-0103)由P+或者N+掺杂多晶硅形成其传输门电路的图像传感器像素
(18927-0137-0104)单晶与多晶硅线切割用砂浆回收技术
(18927-0010-0105)使用具有多晶半导体层的晶体管的图象显示装置及其制造方法
(18927-0110-0106)一种太阳能电池用高纯多晶硅的制备方法和装置
(18927-0097-0107)在半导体装置中形成多晶硅层的方法
(18927-0053-0108)多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法
(18927-0112-0109)一种硒化锌多晶纳米薄膜的制备方法
(18927-0018-0110)一种多晶硅自对准双极器件及其制造工艺
(18927-0011-0111)多晶片封装
(18927-0093-0112)利用双镶嵌工艺来制造T型多晶硅栅极的方法
(18927-0070-0113)一种无液封合成*化镓多晶材料的工艺方法
(18927-0074-0114)多晶栅导电层构成的集成微机电系统器件及其制备方法
(18927-0063-0115)多晶硅层的处理方法
(18927-0139-0116)与CMOS兼容的单层多晶硅非易失性存储器
(18927-0030-0117)具有基片触点和多晶硅桥接单元的半导体只读存储装置
(18927-0140-0118)一种调节多晶Fe3O4薄膜材料电阻率的方法
(18927-0006-0119)多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法
(18927-0075-0120)用于制造垂直DRAM中的钨/多晶硅字线结构的方法及由此制造的器件
(18927-0039-0121)气体分布控制系统及多晶硅栅极刻蚀与硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
(18927-0058-0122)半导体电路制造的多层多晶硅瓦片结构
(18927-0057-0123)用等离子方法生产多晶硅的装置
(18927-0068-0124)制作低温多晶硅薄膜的方法
(18927-0129-0125)多晶碘化汞薄膜室温核辐射探测器的制备方法
(18927-0103-0126)激光退火多晶硅薄膜晶体管栅绝缘层的制备方法
(18927-0003-0127)纳米多晶生物薄膜光电池及其制作方法
(18927-0048-0128)包含多晶硅的半导体器件及其制造方法
(18927-0082-0129)低温多晶矽薄膜电晶体液晶显示器的制造方法
(18927-0027-0130)用多晶硅掩模和化学机械抛光制造不同栅介质厚度的工艺
(18927-0047-0131)一种多晶硅刻蚀腔室中阳极氧化零件表面的清洗方法
(18927-0119-0132)具有金属和多晶硅栅电极的高性能电路及其制造方法
(18927-0071-0133)利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法
(18927-0069-0134)超小粒径多晶硅的结构和方法
(18927-0098-0135)制备多晶硅薄膜的方法以及用其制备半导体器件的方法
(18927-0095-0136)形成T型多晶硅栅极的方法
(18927-0004-0137)多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置
(18927-0126-0138)铜铁矿结构的铝酸亚铜多晶材料的制备方法及其制备的材料
(18927-0136-0139)多晶硅的刻蚀方法
(18927-0077-0140)制备具有W/WN/多晶硅分层薄膜的半导体器件的方法
(18927-0143-0141)多晶硅薄膜晶体管离子注入机
(18927-0133-0142)多晶硅薄膜的制备方法
(18927-0094-0143)利用双镶嵌工艺来形成T型多晶硅栅极的方法
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(18927-0101-0002)一种多晶锗硅薄膜的制备方法
(18927-0096-0003)化学机械抛光用于接合多晶硅插拴制造方法及其结构
(18927-0032-0004)多晶半导体薄膜衬底及其制造方法、半导体器件和电子器件
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(18927-0128-0007)多晶硅控制的回蚀刻显示器
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(18927-0037-0009)多晶收集区倒置结构SiGe异质结晶体管
(18927-0104-0010)多晶硅化学机械研磨法来增进栅极微影能力的方法
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(18927-0116-0012)一种多晶硅存储元件及其制备方法
(18927-0031-0013)多晶片集成电路封装结构
(18927-0023-0014)具有P＋多晶硅栅极的金属氧化物半导体晶体管的制作方法
(18927-0079-0015)用于动态阈值电压控制的多晶硅背栅SOI MOSFET
(18927-0005-0016)利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法
(18927-0064-0017)半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法
(18927-0045-0018)一种改进型栅极多晶硅掩膜层去除方法
(18927-0035-0019)具有单多晶结构的闪存器件及其制造方法
(18927-0062-0020)半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
(18927-0102-0021)改善栅极多晶硅层电阻值的方法
(18927-0014-0022)注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法
(18927-0127-0023)多晶硅图案形成方法、多层交叉点电阻存储器及制造方法
(18927-0125-0024)用单层多晶硅工艺形成高薄层电阻量电阻器和高电容量电容器
(18927-0056-0025)多晶片封装组件
(18927-0109-0026)用于减小多晶硅高度的SOI底部预掺杂合并e-SiGe
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(18927-0046-0028)多晶硅栅层的沉积方法
(18927-0049-0029)一种多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法
(18927-0007-0030)改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
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(18927-0012-0035)形成多晶硅连接的深沟动态随机存取存储器单元的方法
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(18927-0028-0038)制作多晶硅－多晶硅/MOS叠层电容器的方法
(18927-0038-0039)多晶硅硅化物电熔丝器件
(18927-0083-0040)内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路
(18927-0117-0041)多晶硅层、制造其的方法和平板显示器
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(18927-0090-0044)光电二极管上设有多晶硅层的图像传感器及像素
(18927-0088-0045)减少在氮离子注入时产生多晶硅化金属空洞的方法
(18927-0020-0046)双层多晶CMOS数模混合集成电路及其制造方法
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(18927-0013-0054)制作多晶硅薄膜的方法
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(18927-0041-0059)多晶硅自对准插塞的制作方法
(18927-0120-0060)表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法
(18927-0123-0061)多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
(18927-0106-0062)室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
(18927-0067-0063)具有电压维持区域并从相反掺杂的多晶硅区域扩散的高电压功率MOSFET
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(18927-0085-0066)制备多晶硅的方法
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(18927-0024-0068)制造多晶半导体的方法和装置
(18927-0099-0069)多晶硅细脉熔丝
(18927-0021-0070)具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法
(18927-0054-0071)匀热式多晶片电子元件封装组件
(18927-0114-0072)多晶硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
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(18927-0065-0089)具有多晶硅熔丝的半导体器件及其微调方法
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(18927-0134-0091)修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法及栅极的制造方法
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(18927-0105-0093)溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用
(18927-0086-0094)多晶硅的定向生长方法
(18927-0076-0095)多晶半导体膜制造方法及其装置和图像显示面板
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