铟制品技术资料,铟单晶薄膜,铅单晶,单晶氮化
[A27234-0066-0001、金属氧化铟锡复合透明导电薄膜及其制备方法
摘要、本发明涉及的是一种溅射制备氧化铟锡／金属／氧化铟锡多层薄膜结构透明电极的工艺。现有溅射工艺要加热，不适合有机衬底，而且基体温度过高，不利于产品性能的提高。本发明室温条件下溅射制备氧化铟锡／金属／氧化铟锡复合透明导电薄膜电极，该工艺的优点是：基片不需要加热电极导电性好有较好的透光性有优良的表面平整度，薄膜电气性能稳定。$该工艺适用于各种有机薄膜发光器件和其他高温耐受性较差的薄膜发光器件的透明电极制备。
[A27234-0048-0002、生产中子吸收元件的含有铟与镉的银基合金及其应用
摘要、该合金含有９—１２原子％的铟和４—５．３５原子％的镉，除极少量不可避免的杂质外，其余由银组成。该合金优选含有９—１０原子％的铟和４．３５—５．３５原子％的镉。该合金能够以安放在管状外壳内的块状或棒状形式使用，以便构成用于控制压水核反应堆反应性的棒束的中子吸收元件。
[A27234-0016-0003、铟系金属微粒及其制造方法、含铟系金属微粒的涂布液、带覆膜的基材及显示装置，本发明提供能用于形成防带电性和电磁屏蔽性优良，且制造可靠性和成本也非常理想的透明导电性覆膜的铟系金属微粒及其分散溶胶。该铟系金属微粒的特征是，平均粒径在2～200nm的范围内。上述铟系金属微粒可以只含有铟金属，也可以含有铟金属和选自Sb、Sn、Ag、Au、Zn、Cu、Bi、Cd的1种以上的金属成分。上述铟系金属微粒分散到水及，或有机溶剂而形成铟系金属微粒分散溶胶。该铟系金属微粒的制造方法的特征是，在含铟化合物及有机稳定剂、且溶剂中的醇含量在40重量％以上的混合醇溶液中加入还原剂。
[A27234-0067-0004、铟锡氧化物薄膜溶胶－凝胶制备方法
摘要、铟锡氧化物薄膜溶胶一凝胶制备方法是一种用化学溶液在玻璃、陶瓷、聚合物等基底上制备透明导电薄膜的方法。属于材料表面化学镀膜技术。采用铟醇盐和锡醇盐为原料，用一元醇作为溶剂混合均匀。加入稳定剂调整反应活性，加入水使之产生水解反应。得到的混合液在４０～８０℃陈化４～８小时后即成为可用于镀膜的溶胶。将经过清洁处理的基片浸入溶胶，再以１～２０ｃｍ／ｍｉｎ的速度平稳提拉出液面，得到透明导电的铟锡氧化物薄膜产品。
[A27234-0082-0005、铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法
摘要、一种铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法，其是在氮化镓，蓝宝石复合衬底上、或在其它形式的氮化镓基化合物复合衬底上，用快速填埋方法生长铟镓氮薄膜，其特征在于，快速填埋方法是：采用较大的有机源流量将铟埋入正在生长的氮化镓薄膜中，以阻止铟的聚集和逃逸，并形成铟组份调制的量子点；同时通过生长温度、有机源流量和环境气氛来控制铟镓氮组份比例。
[A27234-0100-0006、分离锌焙砂酸性浸出液中铟的方法
摘要、本分离锌焙砂酸性浸出液中铟的方法，包括浸出液前处理和离子交换纤维柱分离两部分内容。本发明的分离锌焙砂酸性浸出液中铟的方法，工艺步骤简单、易掌握，能耗低，对环境污染小，铟的分离效果好，铟的收率可以达到92％以上，离子交换纤维再生后可重复使用。
[A27234-0092-0007、一种铟生产废水的处理方法
摘要、一种铟生产废水的处理方法，包括以下步骤：(1)在铟生产废水中和液中加*，控制溶液的pH值为8.0-8.5，溶液的温度维持在20℃-40℃，搅拌时间为25-35分钟；*的加入量为1g，l-5g，l；(2)加聚合硫酸铁，控制溶液的pH值为7.5-8.0，溶液的温度维持在40℃~50℃，搅拌时间为50-70分钟(优选60分钟)；硫酸铁的加入量为1g，l-5g，l；(3)过滤，滤液放入沉清池，沉清≥24小时。本发明工艺流程简短，易于操作，成本低，投资少。本发明处理后的溶液完全能够达到国家工业废水排放标准，解决了铟生产企业的环境保护问题。
[A27234-0106-0008、铟镓*，铟铝*耦合量子点红外探测器及其制备方法
摘要、一种铟镓*，铟铝*耦合量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一n+GaAs下接触层生长在GaAs衬底上，该n+GaAs下接触层中重掺杂施主Si原子；一多周期光电流产生区生长在n+GaAs下接触层上，其作用是吸收红外辐射并产生光电子；一n+GaAs上接触层生长在多周期光电流产生区上，保护多周期光电流产生区；该n+GaAs上接触层中重掺杂Si原子；一上电极制作在n+GaAs上接触层上，收集并输出多周期光电流产生区产生的光电流信号；一下电极制作在n+GaAs下接触层上形成的台阶的一侧，和上电极一起给多周期光电流产生区施加偏压。
[A27234-0028-0009、铟锡氧化物透明导电膜生产工艺
摘要、一种铟锡氧化物透明导电膜的生产工艺。本发明涉及优质铟锡氧化物透明导电膜的制备及大规模工业性生产工艺。该生产工艺技术参数采用的组合方式，能在低温基片上快速直接莸得ＩＴＯ透明导电膜；采用曲线控制蒸发过程使工艺和性能的重现性达到或接近１００％；采用多舟并联择优分布法以莸得大面积均匀的优质ＩＴＯ膜。
[A27234-0052-0010、基于碱土金属、硫和铝、镓或铟的化合物，其制备方法及其作为发光材料的使用
摘要、本发明涉及一种基于碱土金属、硫和铝、镓或铟的化合物，涉及其制备方法及其作为发光体的使用。本发明的化合物对应于式AB2S4，其中，A表示一种碱土金属，B表示铝、镓或铟，其特征在于它是以粉末形式提供的，残余氧含量不大于1．5％，由平均尺寸不大于10μm的颗粒组成。该化合物通过包括下列步骤的方法获得：形成一种含有元素A和B的盐的溶液或悬浮体，通过喷雾干燥该溶液或悬浮体，使在前面的步骤中所得的产物与二硫化碳或者硫化氢和二硫化碳的混合物反应。本发明的化合物可以用作一种发光体，尤其是在阴极发光中。
[A27234-0221-0011、在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法
[A27234-0290-0012、共振隧穿增强铟镓*，镓*量子阱红外探测器
[A27234-0200-0013、采用中频反应磁控溅射铟锡合金靶制备ITO膜的方法及系统
[A27234-0020-0014、铟镓*光电探测器制造的开管锌扩散方法
[A27234-0431-0015、从含有铟和氯化铁的蚀刻废液回收铟的方法及其装置
[A27234-0442-0016、一种铟钼金属镶嵌靶，[A27234-0416-0017、含*铟锗低品位物料的硫化及还原氧化富集方法
[A27234-0011-0018、压敏粘结剂在焦平面器件铟珠制备中剥离多余铟层的用途
[A27234-0333-0019、一种用于红外焦平面器件的复合铟柱及制备方法
[A27234-0273-0020、具有铟掺杂子区域的栅隔离区的半导体结构
[A27234-0335-0021、高可见光活性氮、铟共掺杂纳米二氧化钛光催化剂的制备方法
[A27234-0151-0022、由富铟渣制备海绵铟的方法
[A27234-0171-0023、高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法
[A27234-0043-0024、制造氧化铟，氧化锡烧结体的方法和用其制造的制品
[A27234-0185-0025、铝镓铟*多量子阱超辐射发光二极管
[A27234-0217-0026、稀散金属氯化铟，氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液
[A27234-0241-0027、铟矿试样纳米TiO2分离富集铟预处理方法
[A27234-0168-0028、一种p型导电的掺铟氧化锡薄膜
[A27234-0381-0029、铟锡氧化物层的涂布方法
[A27234-0186-0030、自组织*化铟，*化镓盘状量子点材料的15542181913
[A27234-0457-0031、一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层均匀硒化装置
[A27234-0312-0032、掩埋结构铝铟镓*分布反馈激光器的15542181913
[A27234-0276-0033、偏镓*(100)衬底双模尺寸分布铟*量子点及15542181913
[A27234-0176-0034、高温金属舟及其镀制掺锡氧化铟透明导电膜的方法
[A27234-0353-0035、磷化铟荧光量子点的合成方法
[A27234-0269-0036、氧化铟-氧化铈类溅射靶及透明导电膜以及透明导电膜的制造方法，[A27234-0191-0037、电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法
[A27234-0310-0038、改进的用于精密切割和对齐液晶显示器(LCD)面板的氧化铟锡(ITO)的制定图案
[A27234-0397-0039、一种生产高纯铟珠的方法及装置
[A27234-0251-0040、碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物及其单晶材料和薄膜材料
[A27234-0247-0041、制备长波长大应变铟镓*，铟镓*磷量子阱激光器的方法
[A27234-0135-0042、有机电致发光显示面板铟锡氧化物电极的电化学蚀刻平坦化装置
[A27234-0017-0043、磷化铟基磷化铟，铟镓*锑，磷化铟双异质结双极晶体管
[A27234-0256-0044、双色铟镓*红外探测器及其制备方法和应用
[A27234-0454-0045、一种生产高纯铟珠的装置
[A27234-0108-0046、一种制备铜铟氧化物纳米粉体的方法
[A27234-0230-0047、磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法
[A27234-0071-0048、掺铟钛酸锶材料及其制备方法
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[A27234-0099-0050、包括铟和钠的卤化物的低压气体放电灯
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[A27234-0334-0191、氧化铟-氧化锌-氧化镁类溅射靶及透明导电膜
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[A27234-0155-0193、含铟铅锑冶炼水淬渣综合处理新工艺
[A27234-0225-0194、铟测定液及其比色测定管
[A27234-0237-0195、粗铟与活性氧化锌联产工艺
[A27234-0324-0196、一种从废旧无汞碱性锌锰电池中回收铟的方法，[A27234-0060-0197、生产有机氯化铟的方法
[A27234-0018-0198、铟锡氧化物靶材的制备方法
[A27234-0286-0199、锶铟钛固溶红色荧光粉及其制备方法
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[A27234-0130-0201、一种涂铟复合轧辊
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[A27234-0375-0288、采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法
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[A27234-0107-0292、*化铟和*化镓的纳米结构及其15542181913
[A27234-0021-0293、″′铟－博莱霉素复合物药盒的制备
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[A27234-0250-0295、铟镓*焦平面探测器的列阵微台面的制备方法
[A27234-0083-0296、铟锡氧化物溅射靶，[A27234-0079-0297、氮化铟镓发光二极管
[A27234-0425-0298、控制自组织铟镓*量子点成核的生长方法
[A27234-0332-0299、晶型可控的氧化铟粉末的制备方法
[A27234-0093-0300、一种铝锌铟系牺牲阳极材料
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摘要、本发明涉及的是一种溅射制备氧化铟锡／金属／氧化铟锡多层薄膜结构透明电极的工艺。现有溅射工艺要加热，不适合有机衬底，而且基体温度过高，不利于产品性能的提高。本发明室温条件下溅射制备氧化铟锡／金属／氧化铟锡复合透明导电薄膜电极，该工艺的优点是：基片不需要加热电极导电性好有较好的透光性有优良的表面平整度，薄膜电气性能稳定。$该工艺适用于各种有机薄膜发光器件和其他高温耐受性较差的薄膜发光器件的透明电极制备。
[A27234-0048-0002、生产中子吸收元件的含有铟与镉的银基合金及其应用
摘要、该合金含有９—１２原子％的铟和４—５．３５原子％的镉，除极少量不可避免的杂质外，其余由银组成。该合金优选含有９—１０原子％的铟和４．３５—５．３５原子％的镉。该合金能够以安放在管状外壳内的块状或棒状形式使用，以便构成用于控制压水核反应堆反应性的棒束的中子吸收元件。
[A27234-0016-0003、铟系金属微粒及其制造方法、含铟系金属微粒的涂布液、带覆膜的基材及显示装置，本发明提供能用于形成防带电性和电磁屏蔽性优良，且制造可靠性和成本也非常理想的透明导电性覆膜的铟系金属微粒及其分散溶胶。该铟系金属微粒的特征是，平均粒径在2～200nm的范围内。上述铟系金属微粒可以只含有铟金属，也可以含有铟金属和选自Sb、Sn、Ag、Au、Zn、Cu、Bi、Cd的1种以上的金属成分。上述铟系金属微粒分散到水及，或有机溶剂而形成铟系金属微粒分散溶胶。该铟系金属微粒的制造方法的特征是，在含铟化合物及有机稳定剂、且溶剂中的醇含量在40重量％以上的混合醇溶液中加入还原剂。
[A27234-0067-0004、铟锡氧化物薄膜溶胶－凝胶制备方法
摘要、铟锡氧化物薄膜溶胶一凝胶制备方法是一种用化学溶液在玻璃、陶瓷、聚合物等基底上制备透明导电薄膜的方法。属于材料表面化学镀膜技术。采用铟醇盐和锡醇盐为原料，用一元醇作为溶剂混合均匀。加入稳定剂调整反应活性，加入水使之产生水解反应。得到的混合液在４０～８０℃陈化４～８小时后即成为可用于镀膜的溶胶。将经过清洁处理的基片浸入溶胶，再以１～２０ｃｍ／ｍｉｎ的速度平稳提拉出液面，得到透明导电的铟锡氧化物薄膜产品。
[A27234-0082-0005、铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法
摘要、一种铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法，其是在氮化镓，蓝宝石复合衬底上、或在其它形式的氮化镓基化合物复合衬底上，用快速填埋方法生长铟镓氮薄膜，其特征在于，快速填埋方法是：采用较大的有机源流量将铟埋入正在生长的氮化镓薄膜中，以阻止铟的聚集和逃逸，并形成铟组份调制的量子点；同时通过生长温度、有机源流量和环境气氛来控制铟镓氮组份比例。
[A27234-0100-0006、分离锌焙砂酸性浸出液中铟的方法
摘要、本分离锌焙砂酸性浸出液中铟的方法，包括浸出液前处理和离子交换纤维柱分离两部分内容。本发明的分离锌焙砂酸性浸出液中铟的方法，工艺步骤简单、易掌握，能耗低，对环境污染小，铟的分离效果好，铟的收率可以达到92％以上，离子交换纤维再生后可重复使用。
[A27234-0092-0007、一种铟生产废水的处理方法
摘要、一种铟生产废水的处理方法，包括以下步骤：(1)在铟生产废水中和液中加*，控制溶液的pH值为8.0-8.5，溶液的温度维持在20℃-40℃，搅拌时间为25-35分钟；*的加入量为1g，l-5g，l；(2)加聚合硫酸铁，控制溶液的pH值为7.5-8.0，溶液的温度维持在40℃~50℃，搅拌时间为50-70分钟(优选60分钟)；硫酸铁的加入量为1g，l-5g，l；(3)过滤，滤液放入沉清池，沉清≥24小时。本发明工艺流程简短，易于操作，成本低，投资少。本发明处理后的溶液完全能够达到国家工业废水排放标准，解决了铟生产企业的环境保护问题。
[A27234-0106-0008、铟镓*，铟铝*耦合量子点红外探测器及其制备方法
摘要、一种铟镓*，铟铝*耦合量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一n+GaAs下接触层生长在GaAs衬底上，该n+GaAs下接触层中重掺杂施主Si原子；一多周期光电流产生区生长在n+GaAs下接触层上，其作用是吸收红外辐射并产生光电子；一n+GaAs上接触层生长在多周期光电流产生区上，保护多周期光电流产生区；该n+GaAs上接触层中重掺杂Si原子；一上电极制作在n+GaAs上接触层上，收集并输出多周期光电流产生区产生的光电流信号；一下电极制作在n+GaAs下接触层上形成的台阶的一侧，和上电极一起给多周期光电流产生区施加偏压。
[A27234-0028-0009、铟锡氧化物透明导电膜生产工艺
摘要、一种铟锡氧化物透明导电膜的生产工艺。本发明涉及优质铟锡氧化物透明导电膜的制备及大规模工业性生产工艺。该生产工艺技术参数采用的组合方式，能在低温基片上快速直接莸得ＩＴＯ透明导电膜；采用曲线控制蒸发过程使工艺和性能的重现性达到或接近１００％；采用多舟并联择优分布法以莸得大面积均匀的优质ＩＴＯ膜。
[A27234-0052-0010、基于碱土金属、硫和铝、镓或铟的化合物，其制备方法及其作为发光材料的使用
摘要、本发明涉及一种基于碱土金属、硫和铝、镓或铟的化合物，涉及其制备方法及其作为发光体的使用。本发明的化合物对应于式AB2S4，其中，A表示一种碱土金属，B表示铝、镓或铟，其特征在于它是以粉末形式提供的，残余氧含量不大于1．5％，由平均尺寸不大于10μm的颗粒组成。该化合物通过包括下列步骤的方法获得：形成一种含有元素A和B的盐的溶液或悬浮体，通过喷雾干燥该溶液或悬浮体，使在前面的步骤中所得的产物与二硫化碳或者硫化氢和二硫化碳的混合物反应。本发明的化合物可以用作一种发光体，尤其是在阴极发光中。
[A27234-0221-0011、在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法
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