基片技术资料,膜基片,金属基片
[A26166-0299-0501、使处于一共同基片上的产品沿切割线互相分离的方法和装置
摘要、本发明涉及一种使处于一共同基片上的产品沿切割线互相分离的方法和装置。该产品包括一个以上的在所述基片上的芯片和与其连接的连接装置，远离芯片的连接端上设有与其结合的焊球。该产品通过使用低于大气的压力吸附在一支承件的下面，该支承件和一转动的切割盘沿着指定的切割线相对移动，以便切割基片。在基片任一侧的所述切割线所在位置提供液体。
[A26166-0644-0502、用放置装置将部件放置在基片保持器上所需位置的方法和适于实施该方法的装置
摘要、一种使用放置装置(1)将部件(2)放置在基片(3)上的所需位置的方法和装置。所述部件被输送至在所需位置上方的中间位置处，并且使用照相机(12)和处理器确定部件中间位置与所需位置之间的位置差异。然后，利用这一位置差异，所述部件被输送至基片上的所需位置处。设置在相对于部件朝向所述基片一侧的照相机可以获得包括所需位置的基片和所述放置装置(1；5，6，7)的至少那部分的图像。
[A26166-0046-0503、光学封装基片、光学器件、光学模块和模制光学封装基片的方法，本发明提供了一种光学封装基片、光学器件、光学模块和模制光学封装基片的方法。尽管按压成型是一种能够以低成本来大规模制造具有相同形状的部件的方法，但传统的使用微磨床的模具加工却因为其仅能模制用于导引光纤的V槽，所以具有较差的可应用性。利用微放电机械加工来制得用微磨床的研磨加工很难得到的模具，且利用这种模具借助于按压成型来制造光学封装基片。从而，光纤、光波导、透镜、隔离器、滤光器和光接收，发射元件都可在安装时静态地对准，由此就可以以低成本来大规模制造具有多种功能的光学器件和光学模块。
[A26166-0260-0504、用于电子显示应用的塑料基片
摘要、揭示某种聚戊二酰亚胺作为塑料片材用于电子显示应用的用途。这些片材具有对于塑料相当高的Ｔg值，良好的光学透明性和平整度，低收缩率和低双折射率。还揭示了用这种聚戊二酰亚胺基片制造的电子显示元件。
[A26166-0736-0505、氧化物陶瓷材料、陶瓷基片、陶瓷层压设备和功率放大器模块
摘要、提供了一种氧化物陶瓷材料，其含有氧化铝作为主要组分，并且含有下面所示的A和B中的至少一种作为辅助组分：A：氧化铌和氧化铜，B：氧化铜、氧化钛和氧化银。由此可以提供一种在低温下具有可烧结性并具有高的导热率的氧化物陶瓷材料，本发明还提供了使用该氧化物陶瓷材料的陶瓷基片、陶瓷层压设备和功率放大器模块。
[A26166-0242-0506、粉状色剂象从转印件转移到基片上的方法
摘要、色剂象（５００）被加热至足以降低色剂粘度到低于５０Ｐa.s的温度。载有色剂象（５００）的转印件（５９４）被推向与基片（５４１）接触。强迫冷却转印件（５９４）至低于色剂玻璃态转变温度Ｔg的温度，同时转印件（５９４）保持与基片（５４１）接触。此后转印件（５９４）从基片（５４１）分离。
[A26166-0027-0507、基片表面洗净液及洗净方法
摘要、提供在半导体器件或显示器件等制造过程中，与现有技术相比，能够高效率地对器件用基片去除微小微粒子污染的洗净液及洗净方法。以至少含有以下的(A)、(B)、(C)、(D)，pH是9以上，(C)的含量是0.01重量％以上4重量％以下为特征的基片表面洗净液。(A)是在同一分子结构内具有可以有取代基的烃基和聚氧亚乙基*加成型表面活性剂，是以包含在该烃基中的碳原子数(m)和聚氧亚乙基中的氧亚乙基的数(n)的比率是m，n≤1.5为特征的表面活性剂(B)碱成分(C)*(D)水。
[A26166-0102-0508、在基片上溅射沉积的设备
摘要、一种溅射设备，包括：一由可沉积到基件上的材料制成的溅射靶子，它有一溅射表面；一用来安置一基片的基片架；其上有用来提供沉积到该基片上的溅射材料的一溅射面的一靶子、一用来产生一与该溅射表面大致正交的电场的电源以及在溅射表面边缘处产生一与该溅射表面平行的磁场的磁组件。该磁组件包括许多这样布置在该表面圆周上的磁铁：每一磁铁的一磁极指向该靶子而其另一磁铁的指向相反，且指向靶子的相邻磁极的极性相反。
[A26166-0489-0509、基片接口处的电连接器应力释放结构
摘要、一种电连接器包括具有柔性构件的基片，该柔性构件可以使所述基片扩展或收缩来响应PCB上的焊垫的移动。当连接器连接的PCB例如在正常使用的过程中被加热时，它可能扩展，这将导致与PCB连接处的焊球向外移动。所述基片上的柔性构件可以使基片同样扩展因此它不会妨碍连接处焊球的移动而不会导致与所述PCB连接处的受到应力。
[A26166-0313-0510、屏蔽薄膜及其制造方法、使用该薄膜的电路基片制造方法
摘要、一种屏蔽薄膜及其制造方法，以及使用该薄膜的电路基片的制造方法。可确保屏蔽薄膜与预成型薄片之间的最佳粘接强度，可防止屏蔽薄膜与预成型薄片剥离。还可防止因形成贯通孔时产生的热量而使屏蔽薄膜与预成型薄片热粘着，可获得优质的电路基片。屏蔽薄膜具有基体部件、设置在上述基体部件上的脱模层和非脱模部。
[A26166-0587-0511、传送液晶显示器基片的装置
[A26166-0498-0512、基片支架组件
[A26166-0744-0513、基片抛光机
[A26166-0697-0514、制造抗反射涂层基片的方法
[A26166-0281-0515、氧化物陶瓷材料及其多层基片
[A26166-0614-0516、曝光装置、基片处理系统和器件制造方法，[A26166-0207-0517、设定玻璃基片间间隙的装置
[A26166-0286-0518、基片清洗方法及装置
[A26166-0235-0519、磁盘基片半成品及其制造方法与磨削加工装置
[A26166-0410-0520、表面声波器件和用于它的压电基片
[A26166-0459-0521、不被吸收的基片和，或不被吸收的载体材料的预处理和，或预涂布
[A26166-0669-0522、评估核基片上系统的方法
[A26166-0225-0523、清洗金属污染的晶片基片同时保持晶片的光滑性的方法
[A26166-0239-0524、基片定位装置
[A26166-0379-0525、用于基片电镀铜的方法
[A26166-0539-0526、用于氮化铝基片上的厚膜导体组合物
[A26166-0453-0527、具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法
[A26166-0118-0528、氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件
[A26166-0342-0529、将已成形的基片与压印模具分开的设备与方法
[A26166-0631-0530、圆盘状基片的制造方法以及光盘制造方法与光盘制造装置
[A26166-0161-0531、制造近似圆顶形的、在内侧和／或外侧表面有电介质和／或金属涂层系统的基片的PCVD方法
[A26166-0444-0532、生长GaN晶体基片的方法和GaN晶体基片
[A26166-0345-0533、研磨剂、基片的研磨法和半导体装置的制造方法
[A26166-0197-0534、α-三唑基片呐酮的制备方法
[A26166-0668-0535、基于基片的未模制封装
[A26166-0021-0536、布线基片、半导体器件和布线基片的制造方法，[A26166-0036-0537、打印头基片、打印头、打印头盒、及其打印机
[A26166-0002-0538、用硅绝缘体(SOI)基片上的应变Si，SiGe层的迁移率增强的NMOS和PMOS晶体管
[A26166-0090-0539、防反射薄膜以及带防反射层塑料基片
[A26166-0649-0540、检测装置和DNA芯片以及其它生物催化剂基片
[A26166-0546-0541、用于低介电基片的表面处理铜箔和包铜层压板和使用这些材料的印刷电路板
[A26166-0651-0542、磁记录介质及磁记录介质基片
[A26166-0325-0543、树脂表面硬化方法、表面硬化树脂及生产设备和树脂基片
[A26166-0522-0544、基片检验装置
[A26166-0512-0545、电蚊香基片成型机
[A26166-0720-0546、基片、制备和用途
[A26166-0017-0547、金属化陶瓷散热基片的制造工艺
[A26166-0068-0548、半导体装置及其制造方法、电路基片和电子仪器
[A26166-0696-0549、垂直双基片制备自组装胶体晶体的方法
[A26166-0318-0550、声表面波器件及其基片
[A26166-0547-0551、硅绝缘体基片、半导体基片及它们的制造方法
[A26166-0424-0552、灯泡退火装置和显示元件用基片
[A26166-0201-0553、对有预定质量标准的基片进行测试的方法和装置
[A26166-0683-0554、诸如晶片的基片的定量质量检验的方法和装置
[A26166-0713-0555、在基片上形成催化敷层的方法
[A26166-0262-0556、基片的加工设备、支撑设备、加工及制造方法，[A26166-0676-0557、电化学处理半导体基片的方法和形成电容器结构的方法
[A26166-0731-0558、用于流体喷射装置的基片和形成基片的方法
[A26166-0190-0559、一种吸附型电热蚊香基片及其15542181913
[A26166-0336-0560、优化切割的石英基片上的低损耗表面声波滤波器
[A26166-0652-0561、将基片传递给用于盘形基片的薄膜形成装置的方法，在该方法中使用的基片传递机构和基片托架，以及使用该方法的盘形记录媒体制造方法
[A26166-0076-0562、低阻抗聚合物基片的熔断装置和方法
[A26166-0658-0563、用于探测基片的斜角传感器
[A26166-0465-0564、基片座组件装置
[A26166-0100-0565、用于悬浮式磁头的非磁性基片材料和滑块组件
[A26166-0415-0566、耐高温金属氮化物制成的电容器基片
[A26166-0401-0567、基片检验装置
[A26166-0054-0568、弹性表面波装置用的压电基片和弹性表面波装置
[A26166-0564-0569、激光诱导等离子体法在石英基片上制作微型通道的技术
[A26166-0029-0570、具有硅基片和，或溶胶-凝胶衍生的负载结构的燃料电池
[A26166-0599-0571、用于向一种基片涂敷涂料的真空模块(及其变体)和模块系统
[A26166-0656-0572、包含光催化TiO2层的基片
[A26166-0272-0573、半导体基片中的小型接头及其15542181913
[A26166-0659-0574、高速载入器相对于基片传送系统的校准
[A26166-0064-0575、改善易碎基片涂胶工艺的方法
[A26166-0715-0576、基片传送装置、取出基片的方法和容纳基片的方法，[A26166-0238-0577、电子源基片和电子源以及成像装置及其制造方法
[A26166-0204-0578、在超柔基片上丝焊集成电路的方法
[A26166-0531-0579、陶瓷基片结晶硅薄膜太阳能电池
[A26166-0097-0580、玻璃和使用该玻璃的陶瓷基片
[A26166-0447-0581、以倒装片形式在基片上安装半导体芯片的装置
[A26166-0330-0582、皮肤贴附药片及其基片的制造方法
[A26166-0277-0583、分离试样的方法和设备，以及基片制造方法
[A26166-0457-0584、去除半导体基片上的残余物的方法和设备
[A26166-0686-0585、传送贮藏箱中掩模或基片的方法和所用设备及其制造方法
[A26166-0165-0586、在顺序多层基片中集成淀积垂直电阻
[A26166-0477-0587、基片集成波导双模椭圆响应滤波器
[A26166-0282-0588、组合基片只读存储器及其制造方法
[A26166-0413-0589、对半导体基片进行电镀和抛光的方法及装置
[A26166-0750-0590、制造镀镍的铜基片的方法以及含有此基片的薄膜复合材料
[A26166-0680-0591、玻璃布及用其制造的薄膜基片
[A26166-0353-0592、一种用于磨削和刨削基片的组合机床
[A26166-0381-0593、电路基片的制造方法及其制造装置
[A26166-0119-0594、信息记录媒体及其基片片材的生产方法和设备
[A26166-0395-0595、基片清洗装置
[A26166-0491-0596、一种生物芯片基片及其制备方法，[A26166-0605-0597、对基片制造方法的改进
[A26166-0437-0598、在沿，1100，方向切割的基片上生长的碳化硅外延层
[A26166-0155-0599、液晶器件基片的制备方法
[A26166-0267-0600、在基片上安装电气插座的方法
[A26166-0279-0601、信息记录介质基片用玻璃及玻璃基片
[A26166-0247-0602、电路基片、形成电路的支承基片及其生产方法
[A26166-0332-0603、电磁屏蔽罩和配备这种罩的电路支承基片
[A26166-0673-0604、用于证券的加强的基片
[A26166-0751-0605、钽酸锂基片及其制备方法
[A26166-0126-0606、用于处理含硅基片的混合物
[A26166-0579-0607、制造有机场致发光器件基片的方法
[A26166-0726-0608、在固体基片上连续形成染料升华图像的方法和设备
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[A26166-0217-0610、用作信息记录盘基片的结晶玻璃
[A26166-0249-0611、金属-陶瓷组合物基片及其生产方法和用于这种方法的钎焊料，[A26166-0662-0653、掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法
[A26166-0230-0654、发光显示元件和往电布线基片上连接的方法、及制造方法
[A26166-0145-0655、直接可焊的柔韧的并能直接粘合到基片上的导电胶料
[A26166-0611-0656、使用基片中的通路作为辐射元件而构造天线的设备和方法，[A26166-0622-0657、粘合基片及其制造方法、以及其中使用的晶片外周加压用夹具类
[A26166-0327-0658、在基片测试系统中用于连接测试头和探针板的装置
[A26166-0417-0659、叶片式基片清洗方法及其装置
[A26166-0708-0660、用于废气净化的基片及其制造方法
[A26166-0049-0661、半导体器件的制造方法以及使用SOI基片的半导体芯片
[A26166-0674-0662、具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法
[A26166-0362-0663、阵列印刷用基片
[A26166-0289-0664、多层基片及其制造方法
[A26166-0317-0665、高刚性玻璃陶瓷基片
[A26166-0248-0666、一种用于二次电池基片的接地板、一种二次电池电极基片、其生产方法、及由此生产的一种电极和一种电池
[A26166-0361-0667、在印刷电路板和金属基片之间提供电气接地连接的方法
[A26166-0110-0668、感光性树脂组合物及其用于涂膜、抗蚀印色、抗蚀保护膜、焊料抗蚀保护膜和印刷电路基片
[A26166-0222-0669、具有IC芯片和支座安装的金属基片
[A26166-0357-0670、利用导电的互连接在基片的上下侧之间制造接线的方法和具有该互连接的接线
[A26166-0612-0671、联苄类化合物1313’-O-异丙叉基片叶苔素D及其提取分离方法与应用
[A26166-0188-0672、压电元件安装到基片上的方法
[A26166-0180-0673、金属基片和使用金属基片的电子组件
[A26166-0482-0674、用于在基片上进行印制的方法、装置和系统
[A26166-0298-0675、其表面垂直方向上具有单向导电性的基片、包括这类基片的装置和制造这类基片的方法
[A26166-0346-0676、无机微粒的应用及标记和识别基片或制品的方法，[A26166-0178-0677、给半导体产品的基片涂膜的装置
[A26166-0609-0678、基片的电镀装置和电镀方法以及电解处理方法及其装置
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[A26166-0706-0680、用于输送基片载架的系统
[A26166-0690-0681、制造含有粘接于-目标基片上的-薄层的-叠置结构的方法
[A26166-0428-0682、通过在基片支撑网上同步光刻曝光进行辊对辊显示器制作的方法
[A26166-0195-0683、制造带有基片上形成元件的磁头及带有磁头的基片的方法
[A26166-0574-0684、测试基片上电路
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[A26166-0237-0686、用于半导体芯片封装的柔韧带基片和制造这种封装的方法
[A26166-0494-0687、用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
[A26166-0632-0688、圆盘状基片的制造方法以及光盘制造方法与光盘制造装置
[A26166-0366-0689、在两种不同颜色之间有色位移的光可变颜料、含有该颜料的涂料组合物、生产该颜料的方法以及用该涂料组合物涂布的基片
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[A26166-0105-0692、化学处理基片的方法和装置
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[A26166-0714-0694、基片容纳托盘
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[A26166-0446-0743、电路基片及其制造方法以及使用它的电子仪器
[A26166-0072-0744、抛光剂及基片的抛光方法
[A26166-0721-0745、包含冷却基片的电子模块及相关方法
[A26166-0699-0746、多层布线基片及其制造方法
[A26166-0275-0747、基片处理装置
[A26166-0007-0748、半导体基片制造方法、半导体基片、电光学装置及电子设备
[A26166-0705-0749、一种生产含稀贵金属铜基片状超细粉体的方法
[A26166-0385-0750、用含间同立构乙烯基芳族聚合物的基片制备微复制制品的方法
[A26166-0740-0751、装备有电极的透明基片
[A26166-0245-0752、电光器件基片电光器件电子器件和投影显示设备
[A26166-0138-0753、磁盘用微晶玻璃基片
[A26166-0069-0754、多孔性陶瓷及其制造方法，以及微波传输带基片
[A26166-0043-0755、电路基片的制造方法及电路基片和其电力转换模块
[A26166-0665-0756、半导体装置及其制造方法、半导体模块装置以及布线基片，[A26166-0176-0757、半导体基片的15542181913
[A26166-0535-0758、一种基片带立体纹路的指甲锉
[A26166-0241-0759、具有防止基片在粘合部分分离的结构的电子元件
[A26166-0760-0760、相对于支撑台定位基片的方法与设备
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摘要、本发明涉及一种使处于一共同基片上的产品沿切割线互相分离的方法和装置。该产品包括一个以上的在所述基片上的芯片和与其连接的连接装置，远离芯片的连接端上设有与其结合的焊球。该产品通过使用低于大气的压力吸附在一支承件的下面，该支承件和一转动的切割盘沿着指定的切割线相对移动，以便切割基片。在基片任一侧的所述切割线所在位置提供液体。
[A26166-0644-0502、用放置装置将部件放置在基片保持器上所需位置的方法和适于实施该方法的装置
摘要、一种使用放置装置(1)将部件(2)放置在基片(3)上的所需位置的方法和装置。所述部件被输送至在所需位置上方的中间位置处，并且使用照相机(12)和处理器确定部件中间位置与所需位置之间的位置差异。然后，利用这一位置差异，所述部件被输送至基片上的所需位置处。设置在相对于部件朝向所述基片一侧的照相机可以获得包括所需位置的基片和所述放置装置(1；5，6，7)的至少那部分的图像。
[A26166-0046-0503、光学封装基片、光学器件、光学模块和模制光学封装基片的方法，本发明提供了一种光学封装基片、光学器件、光学模块和模制光学封装基片的方法。尽管按压成型是一种能够以低成本来大规模制造具有相同形状的部件的方法，但传统的使用微磨床的模具加工却因为其仅能模制用于导引光纤的V槽，所以具有较差的可应用性。利用微放电机械加工来制得用微磨床的研磨加工很难得到的模具，且利用这种模具借助于按压成型来制造光学封装基片。从而，光纤、光波导、透镜、隔离器、滤光器和光接收，发射元件都可在安装时静态地对准，由此就可以以低成本来大规模制造具有多种功能的光学器件和光学模块。
[A26166-0260-0504、用于电子显示应用的塑料基片
摘要、揭示某种聚戊二酰亚胺作为塑料片材用于电子显示应用的用途。这些片材具有对于塑料相当高的Ｔg值，良好的光学透明性和平整度，低收缩率和低双折射率。还揭示了用这种聚戊二酰亚胺基片制造的电子显示元件。
[A26166-0736-0505、氧化物陶瓷材料、陶瓷基片、陶瓷层压设备和功率放大器模块
摘要、提供了一种氧化物陶瓷材料，其含有氧化铝作为主要组分，并且含有下面所示的A和B中的至少一种作为辅助组分：A：氧化铌和氧化铜，B：氧化铜、氧化钛和氧化银。由此可以提供一种在低温下具有可烧结性并具有高的导热率的氧化物陶瓷材料，本发明还提供了使用该氧化物陶瓷材料的陶瓷基片、陶瓷层压设备和功率放大器模块。
[A26166-0242-0506、粉状色剂象从转印件转移到基片上的方法
摘要、色剂象（５００）被加热至足以降低色剂粘度到低于５０Ｐa.s的温度。载有色剂象（５００）的转印件（５９４）被推向与基片（５４１）接触。强迫冷却转印件（５９４）至低于色剂玻璃态转变温度Ｔg的温度，同时转印件（５９４）保持与基片（５４１）接触。此后转印件（５９４）从基片（５４１）分离。
[A26166-0027-0507、基片表面洗净液及洗净方法
摘要、提供在半导体器件或显示器件等制造过程中，与现有技术相比，能够高效率地对器件用基片去除微小微粒子污染的洗净液及洗净方法。以至少含有以下的(A)、(B)、(C)、(D)，pH是9以上，(C)的含量是0.01重量％以上4重量％以下为特征的基片表面洗净液。(A)是在同一分子结构内具有可以有取代基的烃基和聚氧亚乙基*加成型表面活性剂，是以包含在该烃基中的碳原子数(m)和聚氧亚乙基中的氧亚乙基的数(n)的比率是m，n≤1.5为特征的表面活性剂(B)碱成分(C)*(D)水。
[A26166-0102-0508、在基片上溅射沉积的设备
摘要、一种溅射设备，包括：一由可沉积到基件上的材料制成的溅射靶子，它有一溅射表面；一用来安置一基片的基片架；其上有用来提供沉积到该基片上的溅射材料的一溅射面的一靶子、一用来产生一与该溅射表面大致正交的电场的电源以及在溅射表面边缘处产生一与该溅射表面平行的磁场的磁组件。该磁组件包括许多这样布置在该表面圆周上的磁铁：每一磁铁的一磁极指向该靶子而其另一磁铁的指向相反，且指向靶子的相邻磁极的极性相反。
[A26166-0489-0509、基片接口处的电连接器应力释放结构
摘要、一种电连接器包括具有柔性构件的基片，该柔性构件可以使所述基片扩展或收缩来响应PCB上的焊垫的移动。当连接器连接的PCB例如在正常使用的过程中被加热时，它可能扩展，这将导致与PCB连接处的焊球向外移动。所述基片上的柔性构件可以使基片同样扩展因此它不会妨碍连接处焊球的移动而不会导致与所述PCB连接处的受到应力。
[A26166-0313-0510、屏蔽薄膜及其制造方法、使用该薄膜的电路基片制造方法
摘要、一种屏蔽薄膜及其制造方法，以及使用该薄膜的电路基片的制造方法。可确保屏蔽薄膜与预成型薄片之间的最佳粘接强度，可防止屏蔽薄膜与预成型薄片剥离。还可防止因形成贯通孔时产生的热量而使屏蔽薄膜与预成型薄片热粘着，可获得优质的电路基片。屏蔽薄膜具有基体部件、设置在上述基体部件上的脱模层和非脱模部。
[A26166-0587-0511、传送液晶显示器基片的装置
[A26166-0498-0512、基片支架组件
[A26166-0744-0513、基片抛光机
[A26166-0697-0514、制造抗反射涂层基片的方法
[A26166-0281-0515、氧化物陶瓷材料及其多层基片
[A26166-0614-0516、曝光装置、基片处理系统和器件制造方法，[A26166-0207-0517、设定玻璃基片间间隙的装置
[A26166-0286-0518、基片清洗方法及装置
[A26166-0235-0519、磁盘基片半成品及其制造方法与磨削加工装置
[A26166-0410-0520、表面声波器件和用于它的压电基片
[A26166-0459-0521、不被吸收的基片和，或不被吸收的载体材料的预处理和，或预涂布
[A26166-0669-0522、评估核基片上系统的方法
[A26166-0225-0523、清洗金属污染的晶片基片同时保持晶片的光滑性的方法
[A26166-0239-0524、基片定位装置
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[A26166-0539-0526、用于氮化铝基片上的厚膜导体组合物
[A26166-0453-0527、具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法
[A26166-0118-0528、氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件
[A26166-0342-0529、将已成形的基片与压印模具分开的设备与方法
[A26166-0631-0530、圆盘状基片的制造方法以及光盘制造方法与光盘制造装置
[A26166-0161-0531、制造近似圆顶形的、在内侧和／或外侧表面有电介质和／或金属涂层系统的基片的PCVD方法
[A26166-0444-0532、生长GaN晶体基片的方法和GaN晶体基片
[A26166-0345-0533、研磨剂、基片的研磨法和半导体装置的制造方法
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