薄膜太阳电池技术资料,薄膜太阳电池模块,太阳电池组件
[A26109-0104-0001、一种纳米硅太阳能薄膜电池
摘要、本实用新型公开了一种纳米硅太阳能薄膜电池，它由玻璃和单晶硅底层、依次设置在底层上的导电膜、非晶硅薄膜、N型纳米硅薄膜和透明金属电极及梳状电极等组成，其主要特征是非晶硅薄膜层与N型纳米硅薄膜层间增设有变能隙纳米层。透明金属电极及梳状电极与N型纳米硅薄膜层间增设有非晶硅薄膜层。本实用新型生产成本低廉，可有效克服非晶硅薄膜太阳能电池工作时难以克服的不稳定性，提高转换效率η值。
[A26109-0159-0002、以锂电池和太阳能电池为供能装置的可见光响应型光催化反应器
摘要、本发明公开了一种全新的完全以太阳光中的可见光为能源，实现全天候工作的光催化反应器。该反应器主要由锂蓄电池和太阳能电池组成的供能装置和可见光催化反应器两大部分组成。其中的太阳能电池为光电转化效率高的组分渐变薄膜型太阳能电池，可将太阳能转化为电能在锂蓄电池中储存起来。而光催化反应器则采用能够高效利用太阳光的嵌有金属纳米团簇的组分渐变薄膜为光催化材料，在有太阳光时直接利用太阳光进行光催化反应，在无太阳光或者黑夜则由供能装置向光催化反应器供电保证其正常运转，从而实现光催化反应器的全天候工作。该反应器适合用来处理含天然或者人工合成难降解有机污染物废水或者进行饮用水的深度处理。
[A26109-0123-0003、太阳能电池组件和其生产方法，提供一种高品质的薄膜单晶太阳能电池组件，亦即耐久性和挠性优良的薄膜单晶太阳能电池组件和其生产方法。该薄膜单晶从衬底上的剥离是按照使根据薄膜单晶最容易劈裂的那些平面比如{111}的表象形成在薄膜单晶的表面的所有直线的方向，均不同于已剥离单晶前方线的方向的方式进行的。该薄膜单晶可用来生产太阳能电池和图象显示部件的驱动电路器件。具有挠性且包含有以薄膜单晶作为其至少一部分的光电元件的太阳能电池组件，是按照使组件固有的容易弯曲的方向不同于薄膜单晶最容易劈裂的方向的方式制造的。
[A26109-0233-0004、白色聚酯太阳能电池背膜及其制备方法
摘要、本发明涉及一种白色聚酯太阳能电池背膜及其制备方法，属于聚酯薄膜领域。该白色聚酯太阳能电池背膜由聚酯切片和白色聚酯母料组成，按重量份数比聚酯切片与白色聚酯母料比为1.0-9.0∶1，其中，所述的白色聚酯母料含有以下组分，按重量百分比，35％-89.4％的聚酯切片、0.5％-10％的二氧化硅、10％-50％的二氧化钛和0.1-5％的紫外光吸收剂，二氧化硅是经过有机化表面处理、且粒径在10-100nm，二氧化钛是经过有机化表面处理、且粒径在100-1000nm。本发明具有不透光，绝缘性、抗老化性、阻隔性好的特点。
[A26109-0263-0005、一种基于熔铸法的金属硅太阳能电池衬底制备工艺
摘要、本发明公开了一种基于熔铸法的金属硅太阳能电池衬底制备工艺。将3N及以下的金属硅粉在1600℃温度下通过高温熔铸方法制成硅棒，而后将硅棒切割成薄膜太阳能电池用薄片衬底。该工艺制备之衬底经特殊杂质外扩阻挡层处理后，可用作直接生长大晶粒高质量多晶硅、非晶硅薄膜的衬底。衬底和薄膜的热膨胀系数匹配，避免了高温或冷却过程中薄膜开裂和剥落，更重要的是原料成本低、工艺简单并便于大规模工业生产。它的开发成功为薄膜太阳能电池工业化打下了坚实基础。
[A26109-0421-0006、多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法
摘要、多晶硅薄膜太阳能电池制造方法，包括3N级纯度多晶硅片、尤其是3N级纯度高掺杂的具有大晶粒柱状晶的多晶硅片衬底的处理和在衬底上外延形成第一半导体层和第二半导体层步骤、形成接触电极步骤和在第二半导体层上形成一层减反射膜步骤。本发明方法工艺简单、成本低、易于产业化，制造的太阳能电池效率高。
[A26109-0114-0007、硅薄膜太阳能电池的制造方法
摘要、为了在大面积的基板上均匀地形成具有由结晶性硅形成的i层(94)的、用于太阳能电池的硅薄膜以提供高功率太阳能电池，在硅薄膜太阳能电池的制造方法中，具有i层(94)被夹在p层(93)和n层(95)之间的结构的硅薄膜利用高频等离子体CVD方法形成在基板上，其中所述i层(94)使用经过脉冲调制的高频功率的等离子体由结晶性硅形成，一个脉冲调制周期包括输出高频功率的接通状态和不输出的关闭状态，输出波形被调制成矩形，接通状态时间为1-100微秒，且所述关闭状态时间为5微秒以上。
[A26109-0129-0008、单室沉积非晶硅叠层太阳能电池及制造方法
摘要、本发明涉及单室沉积非晶硅叠层太阳能电池制造，属于叠层薄膜电池技术。目的是利用单室沉积技术，创造一种低成本大规模生产非晶硅双结叠层太阳能电池。技术特征在单室中充入I层非晶硅工作气体压力80Pa，温度230℃，放电功率120W，沉积膜厚700～800的I层非晶硅膜；分子泵抽真空度6.0～9.0×10-3Pa时，在顶电池I层非晶硅膜表面，及顶电池N层微晶硅膜表面分别制作一层40～50氧化物阻挡层，氩离子轰击和氩气冲洗，减少膜层污染。
[A26109-0217-0009、一种聚合物太阳能电池的制备方法
摘要、本发明属于一种聚合物太阳能电池的制备方法。通过混合溶剂的方法大大提高了P3HT在P3HT与C60富勒烯或其衍生物PCBM共混薄膜中的结晶度，并且共混薄膜中P3HT的长达微米级的晶须均匀分散于整个薄膜，相分离尺度均在纳米数量级。利用本方法所制得的未经任何后处理的聚合物太阳能电池转换效率达到了3.9％，而通过热退火处理仅得到3.7％的转换效率，表明了通过本方法可以“一步”实现高性能“免退火”聚合物太阳能电池。
[A26109-0311-0010、高效率TiO2纳米管基的染料敏化太阳能电池及其制备方法
摘要、本发明提供一种高效率TiO2纳米管基的染料敏化太阳能电池及其制备方法；该太阳能电池为三明治结构的染料敏化太阳能电池；制备步骤为：使用水热合成法合成钛酸盐纳米管，经过处理和烧结形成锐钛矿型的TiO2纳米管；将锐钛矿型的TiO2纳米管浸渍到N719染料溶液中3-5天后取出电极薄膜的颜色由白色变为深红色，再把它与对电极和注入液态电解质溶液组装在一起，形成三明治结构的染料敏化太阳能电池。本发明该制备方法简单，成本降低电池光电转化率高，具有优异的经济效益。
[A26109-0261-0011、薄膜太阳能电池及其制造方法
[A26109-0047-0012、单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
[A26109-0196-0013、一种提高聚合物薄膜太阳能电池效率的溶剂处理方法
[A26109-0374-0014、有机染料分子敏化非晶硅，微晶硅太阳电池的制备方法
[A26109-0071-0015、多结太阳能电池及其形成方法和设备
[A26109-0255-0016、柔性非晶硅太阳电池制造工艺[A26109-0201-0017、非晶硅－晶体硅异质结太阳电池
[A26109-0099-0018、大幅面激光标刻太阳能电池的装置
[A26109-0411-0019、薄膜太阳能电池和薄膜太阳能电池的制造方法
[A26109-0507-0020、一种背点接触异质结太阳能电池
[A26109-0512-0021、提高太阳能电池工作稳定性的处理装置
[A26109-0495-0022、一种可自动调节角度太阳能电池板装置及采用该电池板的电站
[A26109-0029-0023、薄膜多晶太阳能电池及其形成方法
[A26109-0378-0024、用于改进薄膜太阳能电池互连的系统和方法
[A26109-0313-0025、多晶硅—碳化硅叠层薄膜太阳能电池
[A26109-0383-0026、一种具有多能阶的硅基薄膜太阳能电池
[A26109-0176-0027、黄铜矿型薄膜太阳能电池的制造方法
[A26109-0299-0028、具有上转换材料的太阳电池及其制备方法
[A26109-0291-0029、一种染料敏化太阳能电池光阳极及其制备方法
[A26109-0466-0030、具有浓硼浓磷扩散结构的太阳能电池
[A26109-0500-0031、一种薄膜太阳电池的测试装置
[A26109-0014-0032、生产串联连接的薄膜太阳电池阵列的方法
[A26109-0448-0033、喷墨打印活性层的柔性聚合物太阳能电池制备方法
[A26109-0170-0034、薄膜太阳能电池组件及其制造方法
[A26109-0315-0035、太阳能电池
[A26109-0243-0036、超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池，[A26109-0092-0037、宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池
[A26109-0432-0038、太阳能电池板的清洁方法及装置
[A26109-0459-0039、用于非晶硅薄膜太阳电池制作的PECVD装置
[A26109-0139-0040、染料敏化纳晶薄膜太阳能电池对电极
[A26109-0426-0041、具有改进的表面钝化的晶体硅太阳能电池的制造方法
[A26109-0474-0042、一种染料敏化太阳能电池
[A26109-0089-0043、用于太阳能电池的优化透光率的镀膜玻璃制品及其制造方法
[A26109-0188-0044、一种纳米晶薄膜的染料敏化太阳能电池及其制备方法
[A26109-0387-0045、基于染料敏化太阳能电池的光电一体化建筑材料
[A26109-0024-0046、半导体基材的制造方法和太阳能电池的制造方法
[A26109-0402-0047、薄膜型太阳能电池及其制造方法
[A26109-0264-0048、太阳电池的封装制备装置和封装太阳电池的方法
[A26109-0033-0049、柔性染料敏化太阳能电池光阳极的制备方法及设备
[A26109-0240-0050、单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
[A26109-0228-0051、硅基薄膜太阳电池用窗口材料及其制备方法
[A26109-0006-0052、染料敏化纳米薄膜太阳电池用电解质溶液
[A26109-0321-0053、有机化合物及使用了它的半导体薄膜电极、光电转换元件、光电化学太阳能电池
[A26109-0478-0054、一种具有多堆栈的硅基薄膜太阳能电池
[A26109-0320-0055、非晶硅薄膜太阳能电池刻蚀偏差的修正方法
[A26109-0356-0056、非晶硅薄膜太阳能电池激光刻划系统及刻划方法，[A26109-0113-0057、一种多吸收层太阳能电池及制造方法
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[A26109-0091-0061、柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其制备方法
[A26109-0064-0062、大幅面激光标刻太阳能电池
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[A26109-0151-0066、太阳能电池纳米晶硅薄膜的物理气相沉积装置及其方法
[A26109-0116-0067、染料敏化太阳能电池及其电池组
[A26109-0223-0068、一种用于空间的双结柔性叠层薄膜太阳能电池
[A26109-0385-0069、一种多晶硅太阳能电池15542181913
[A26109-0037-0070、太阳能电池元件的捆包方法及太阳能电池元件的捆包体
[A26109-0236-0071、一种染料敏化太阳能电池阳极及其制备方法
[A26109-0121-0072、全固态纳米晶太阳能电池及其制法
[A26109-0207-0073、碲化镉薄膜太阳能电池腐蚀液及腐蚀方法
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[A26109-0381-0075、透光型薄膜太阳能电池模块及其制造方法
[A26109-0169-0076、薄膜太阳能电池元件及其制造方法，[A26109-0186-0077、CIS化合物半导体薄膜太阳能电池以及形成该太阳能电池的光吸收层的方法
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[A26109-0154-0087、染料敏化纳米薄膜太阳电池的外连接方法及装置
[A26109-0369-0088、直连式薄膜太阳能电池模块及其制造方法
[A26109-0461-0089、一种可见光响应型的太阳能电池
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[A26109-0301-0091、一种用于染料敏化太阳能电池的封装方法
[A26109-0446-0092、具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池
[A26109-0434-0093、太阳能电池及其制造方法
[A26109-0076-0094、透光型薄膜太阳能电池模块及其制造方法
[A26109-0110-0095、一种太阳能电池
[A26109-0141-0096、薄膜太阳能电池大规模生产的制造装置与方法，[A26109-0059-0097、一种硅薄膜光电池的电极图案及蚀刻方法
[A26109-0295-0098、一种硅薄膜太阳能电池的15542181913
[A26109-0463-0099、太阳能电池激光标刻装置
[A26109-0364-0100、铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法
[A26109-0218-0101、用于不使用CdCl2大规模生产CdTe，CdS薄膜太阳能电池的方法
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[A26109-0069-0103、太阳能电池激光标刻设备
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[A26109-0085-0106、薄膜硅太阳能电池的背接触层
[A26109-0219-0107、一种太阳能电池及制造方法
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[A26109-0391-0111、导电性粘结薄膜和太阳能电池模块
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[A26109-0161-0113、太阳能电池及其制备方法
[A26109-0244-0114、一种可用于太阳能电池光阳极的材料、其制备方法及应用
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[A26109-0028-0122、一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
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[A26109-0077-0124、薄膜硅太阳能电池的背接触层
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[A26109-0362-0204、纳米级黄铜矿结构粉体及高分子薄膜太阳能电池的制造方法
[A26109-0008-0205、染料敏化纳米薄膜太阳电池的密封方法
[A26109-0332-0206、带有图案显示功能的CIS系薄膜太阳能电池模块及其制造方法
[A26109-0403-0207、一种聚合物太阳能电池的制备方法
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[A26109-0354-0211、染料敏化太阳能电池电极及其制备方法
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[A26109-0479-0287、一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池
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[A26109-0427-0289、一种具有超晶格P型半导体层的硅薄膜太阳能电池
[A26109-0136-0290、柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法
[A26109-0286-0291、一种染料敏化太阳能电池光阳极的制备方法
[A26109-0212-0292、太阳能电池用光吸收层及其制备方法
[A26109-0054-0293、染料敏化太阳能电池
[A26109-0410-0294、一种高效薄膜太阳能电池光吸收层的制备方法
[A26109-0444-0295、薄膜太阳能电池应用在救生衣上的求援装置
[A26109-0101-0296、柔性非晶硅薄膜太阳电池，[A26109-0404-0297、一种用于薄膜太阳电池的陷光结构
[A26109-0457-0298、用于柔性太阳电池制备的衬底支撑装置
[A26109-0050-0299、薄膜太阳电池应用在光伏大盖帽上的照明装置
[A26109-0156-0300、在硅太阳能电池表面制备复合波长变换-减反射膜的方法
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摘要、本实用新型公开了一种纳米硅太阳能薄膜电池，它由玻璃和单晶硅底层、依次设置在底层上的导电膜、非晶硅薄膜、N型纳米硅薄膜和透明金属电极及梳状电极等组成，其主要特征是非晶硅薄膜层与N型纳米硅薄膜层间增设有变能隙纳米层。透明金属电极及梳状电极与N型纳米硅薄膜层间增设有非晶硅薄膜层。本实用新型生产成本低廉，可有效克服非晶硅薄膜太阳能电池工作时难以克服的不稳定性，提高转换效率η值。
[A26109-0159-0002、以锂电池和太阳能电池为供能装置的可见光响应型光催化反应器
摘要、本发明公开了一种全新的完全以太阳光中的可见光为能源，实现全天候工作的光催化反应器。该反应器主要由锂蓄电池和太阳能电池组成的供能装置和可见光催化反应器两大部分组成。其中的太阳能电池为光电转化效率高的组分渐变薄膜型太阳能电池，可将太阳能转化为电能在锂蓄电池中储存起来。而光催化反应器则采用能够高效利用太阳光的嵌有金属纳米团簇的组分渐变薄膜为光催化材料，在有太阳光时直接利用太阳光进行光催化反应，在无太阳光或者黑夜则由供能装置向光催化反应器供电保证其正常运转，从而实现光催化反应器的全天候工作。该反应器适合用来处理含天然或者人工合成难降解有机污染物废水或者进行饮用水的深度处理。
[A26109-0123-0003、太阳能电池组件和其生产方法，提供一种高品质的薄膜单晶太阳能电池组件，亦即耐久性和挠性优良的薄膜单晶太阳能电池组件和其生产方法。该薄膜单晶从衬底上的剥离是按照使根据薄膜单晶最容易劈裂的那些平面比如{111}的表象形成在薄膜单晶的表面的所有直线的方向，均不同于已剥离单晶前方线的方向的方式进行的。该薄膜单晶可用来生产太阳能电池和图象显示部件的驱动电路器件。具有挠性且包含有以薄膜单晶作为其至少一部分的光电元件的太阳能电池组件，是按照使组件固有的容易弯曲的方向不同于薄膜单晶最容易劈裂的方向的方式制造的。
[A26109-0233-0004、白色聚酯太阳能电池背膜及其制备方法
摘要、本发明涉及一种白色聚酯太阳能电池背膜及其制备方法，属于聚酯薄膜领域。该白色聚酯太阳能电池背膜由聚酯切片和白色聚酯母料组成，按重量份数比聚酯切片与白色聚酯母料比为1.0-9.0∶1，其中，所述的白色聚酯母料含有以下组分，按重量百分比，35％-89.4％的聚酯切片、0.5％-10％的二氧化硅、10％-50％的二氧化钛和0.1-5％的紫外光吸收剂，二氧化硅是经过有机化表面处理、且粒径在10-100nm，二氧化钛是经过有机化表面处理、且粒径在100-1000nm。本发明具有不透光，绝缘性、抗老化性、阻隔性好的特点。
[A26109-0263-0005、一种基于熔铸法的金属硅太阳能电池衬底制备工艺
摘要、本发明公开了一种基于熔铸法的金属硅太阳能电池衬底制备工艺。将3N及以下的金属硅粉在1600℃温度下通过高温熔铸方法制成硅棒，而后将硅棒切割成薄膜太阳能电池用薄片衬底。该工艺制备之衬底经特殊杂质外扩阻挡层处理后，可用作直接生长大晶粒高质量多晶硅、非晶硅薄膜的衬底。衬底和薄膜的热膨胀系数匹配，避免了高温或冷却过程中薄膜开裂和剥落，更重要的是原料成本低、工艺简单并便于大规模工业生产。它的开发成功为薄膜太阳能电池工业化打下了坚实基础。
[A26109-0421-0006、多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法
摘要、多晶硅薄膜太阳能电池制造方法，包括3N级纯度多晶硅片、尤其是3N级纯度高掺杂的具有大晶粒柱状晶的多晶硅片衬底的处理和在衬底上外延形成第一半导体层和第二半导体层步骤、形成接触电极步骤和在第二半导体层上形成一层减反射膜步骤。本发明方法工艺简单、成本低、易于产业化，制造的太阳能电池效率高。
[A26109-0114-0007、硅薄膜太阳能电池的制造方法
摘要、为了在大面积的基板上均匀地形成具有由结晶性硅形成的i层(94)的、用于太阳能电池的硅薄膜以提供高功率太阳能电池，在硅薄膜太阳能电池的制造方法中，具有i层(94)被夹在p层(93)和n层(95)之间的结构的硅薄膜利用高频等离子体CVD方法形成在基板上，其中所述i层(94)使用经过脉冲调制的高频功率的等离子体由结晶性硅形成，一个脉冲调制周期包括输出高频功率的接通状态和不输出的关闭状态，输出波形被调制成矩形，接通状态时间为1-100微秒，且所述关闭状态时间为5微秒以上。
[A26109-0129-0008、单室沉积非晶硅叠层太阳能电池及制造方法
摘要、本发明涉及单室沉积非晶硅叠层太阳能电池制造，属于叠层薄膜电池技术。目的是利用单室沉积技术，创造一种低成本大规模生产非晶硅双结叠层太阳能电池。技术特征在单室中充入I层非晶硅工作气体压力80Pa，温度230℃，放电功率120W，沉积膜厚700～800的I层非晶硅膜；分子泵抽真空度6.0～9.0×10-3Pa时，在顶电池I层非晶硅膜表面，及顶电池N层微晶硅膜表面分别制作一层40～50氧化物阻挡层，氩离子轰击和氩气冲洗，减少膜层污染。
[A26109-0217-0009、一种聚合物太阳能电池的制备方法
摘要、本发明属于一种聚合物太阳能电池的制备方法。通过混合溶剂的方法大大提高了P3HT在P3HT与C60富勒烯或其衍生物PCBM共混薄膜中的结晶度，并且共混薄膜中P3HT的长达微米级的晶须均匀分散于整个薄膜，相分离尺度均在纳米数量级。利用本方法所制得的未经任何后处理的聚合物太阳能电池转换效率达到了3.9％，而通过热退火处理仅得到3.7％的转换效率，表明了通过本方法可以“一步”实现高性能“免退火”聚合物太阳能电池。
[A26109-0311-0010、高效率TiO2纳米管基的染料敏化太阳能电池及其制备方法
摘要、本发明提供一种高效率TiO2纳米管基的染料敏化太阳能电池及其制备方法；该太阳能电池为三明治结构的染料敏化太阳能电池；制备步骤为：使用水热合成法合成钛酸盐纳米管，经过处理和烧结形成锐钛矿型的TiO2纳米管；将锐钛矿型的TiO2纳米管浸渍到N719染料溶液中3-5天后取出电极薄膜的颜色由白色变为深红色，再把它与对电极和注入液态电解质溶液组装在一起，形成三明治结构的染料敏化太阳能电池。本发明该制备方法简单，成本降低电池光电转化率高，具有优异的经济效益。
[A26109-0261-0011、薄膜太阳能电池及其制造方法
[A26109-0047-0012、单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
[A26109-0196-0013、一种提高聚合物薄膜太阳能电池效率的溶剂处理方法
[A26109-0374-0014、有机染料分子敏化非晶硅，微晶硅太阳电池的制备方法
[A26109-0071-0015、多结太阳能电池及其形成方法和设备
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[A26109-0099-0018、大幅面激光标刻太阳能电池的装置
[A26109-0411-0019、薄膜太阳能电池和薄膜太阳能电池的制造方法
[A26109-0507-0020、一种背点接触异质结太阳能电池
[A26109-0512-0021、提高太阳能电池工作稳定性的处理装置
[A26109-0495-0022、一种可自动调节角度太阳能电池板装置及采用该电池板的电站
[A26109-0029-0023、薄膜多晶太阳能电池及其形成方法
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[A26109-0313-0025、多晶硅—碳化硅叠层薄膜太阳能电池
[A26109-0383-0026、一种具有多能阶的硅基薄膜太阳能电池
[A26109-0176-0027、黄铜矿型薄膜太阳能电池的制造方法
[A26109-0299-0028、具有上转换材料的太阳电池及其制备方法
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