多晶硅技术配方生产加工工艺
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多晶硅技术配方生产加工工艺
作者:技术顾问    农副加工来源:百创科技    点击数:    更新时间:2024/3/7
183OP200410084917.0制作低温多晶硅薄膜的方法
184OP200410097453.7制造多晶硅层的方法及其光罩
185OP200410064831.1一种制备多晶硅绒面的方法
186OP200410087099.X避免沟槽底部毛边生成的多晶硅刻蚀工艺
187OP200410087100.9减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺
188OP200410100598.8多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的显示器件
189OP200410088647.0包括多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器件及其制造方法
190OP200410102169.4用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法
191OP200410103815.9多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅薄膜的设备
192OP200410065842.1测量多晶硅薄膜热膨胀系数的测量结构及其测量方法
193OP200410090133.9超小粒径多晶硅的结构和方法
194OP200310122594.5三维多晶硅只读存储器及其制造方法
195OP200510004161.9光罩与应用其形成多晶硅层的方法
196OP200310122634.6集成电路多晶硅高阻电阻的15542181913
197OP200310123443.1低温多晶硅薄膜的制造方法
198OP200410085784.9多晶硅膜的形成方法
199OP200410085785.3多晶硅膜的形成方法
200OP200410082255.3制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶体管的方法
201OP200410085786.8多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法
202OP03804814.0多晶硅衬底和太阳能电池的制备方法
203OP02825279.9利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法
204OP200510051959.9具复合多晶硅层的半导体结构及其应用的显示面板
205OP200310121274.8半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法
206OP200510007961.6制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管
207OP200410104972.1无粉尘且无微孔的高纯度粒状多晶硅
208OP200410028649.0形成多晶硅锗层的方法
209OP200510051125.8用于制造垂直DRAM中的钨,多晶硅字线结构的方法及由此制造的器件
210OP200410039968.1多晶硅化金属栅极结构及其制造方法
211OP200510063890.1制备具有W,WN,多晶硅分层薄膜的半导体器件的方法
212OP200410026941.9低温多晶硅薄膜电晶体基板及其15542181913
213OP02146581.9多晶硅层的15542181913
214OP01818537.1由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置
215OP03127506.0采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片
216OP02141690.7在双金属,多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤
217OP03156160.8制造具有低温多晶硅的顶栅型薄膜晶体管的方法
218OP03155080.0用于动态阈值电压控制的多晶硅背栅SOIMOSFET
219OP03147935.9形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法
220OP03132786.9用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜和使用该多晶硅薄膜的器件
221OP03158763.1多晶硅的蚀刻方法
222OP02157809.5形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法
223OP02151448.8多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法
224OP02149395.2多晶硅层的15542181913
225OP02150450.4利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法
226OP02151447.X多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其检测方法
227OP02150428.8多晶硅自行对准接触插塞与多晶硅共享源极线及15542181913
228OP02158617.9一种四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的联合制备法
229OP03101577.8一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
230OP200410031320.X多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法
231OP200410003656.5多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管
232OP03119145.2内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路
233OP03105365.3低温多晶硅薄膜晶体管的15542181913
234OP02814101.6具多晶硅射极双极性晶体管的制造方法
235OP02126452.X用于宽编程的双金属,多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元
236OP01815870.6玻璃衬底的预多晶硅被覆
237OP03122982.4低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管
238OP03122318.4低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
239OP03109410.4低温多晶硅薄膜的制造方法
240OP03109485.6低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法
241OP200310110056.4制备多晶硅的方法
242OP200310117094.2一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
243OP200310115895.5多晶硅的定向生长方法
244OP200310117095.7陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池
245OP02816785.6光及电可编程硅化多晶硅熔丝器件
246OP03137831.5将非晶硅转换为多晶硅的方法
247OP03123932.3具厚膜多晶硅的静电放电防护元件、电子装置及制造方法
248OP03123733.9低温多晶硅薄膜电晶体的结构
249OP03141245.9利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
250OP03141252.1利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
251OP200510002342.8多晶硅薄膜的制造方法
252OP200510002964.0一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法及检测装置
253OP200510129672.3减少在氮离子注入时产生多晶硅化金属空洞的方法
254OP200510135886.1由P+或者N+掺杂多晶硅形成其传输门电路的图像传感器像素
255OP200510126605.6光电二极管上设有多晶硅层的图像传感器及像素
256OP200610065676.4一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法
257OP200510051939.1多晶硅薄膜晶体管的15542181913
258OP200510039283.1多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构及检测方法
259OP200410027101.4低温多晶硅显示装置及其15542181913
260OP200410017895.6一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法
261OP200410057296.7多晶硅液晶显示器件的制造方法
262OP200510076239.8具有多晶硅层的薄膜晶体管、制造方法及平板显示器
263OP02824656.X具有高性能集成电路多晶硅凝集熔消组件的互补金属氧化物半导体的工艺
264OP200410037914.1以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案
265OP200510027270.2电热致动多晶硅柔性铰支承杠杆式微夹钳
266OP200510078600.0多晶硅的生产装置
267OP200410018463.7形成具高电阻值的多晶硅薄膜的方法
268OP200410018450.X利用双镶嵌工艺来制造T型多晶硅栅极的方法
269OP200410018452.9利用双镶嵌工艺来形成T型多晶硅栅极的方法
270OP200410018455.2形成T型多晶硅栅极的方法
271OP200410047532.7一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法
272OP200410047533.115-50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法
273OP200410043289.1应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法
274OP200410024614.X化学机械抛光用于接合多晶硅插拴制造方法及其结构
275OP200510072898.4形成多晶硅的方法和在硅基材料中的MOSFET器件
276OP200510076488.7具有多晶硅插头的半导体器件的制造方法
277OP200410025369.4制造双层多晶硅存储器元件的方法
278OP03825535.9形成多晶硅结构
279OP200510051955.0在半导体装置中形成多晶硅层的方法
280OP200510081929.2制备多晶硅薄膜的方法以及用其制备半导体器件的方法
281OP200410052675.7制造双层多晶硅可改写非挥发性存储器的方法
282OP200410071618.3低温多晶硅薄膜晶体管及其通道层的制造方法
283OP200510014464.9低温多晶硅薄膜晶体管全集成有源选址基板及制备方法
284OP200410054469.X低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
285OP200380106188.8多晶硅细脉熔丝
286OP200510016605.0一种制备多晶硅的方法
287OP200410097028.8制造内层多晶硅介电层的方法
288OP200380101946.7多晶化方法、制造多晶硅薄膜晶体管的方法及用于该方法的激光辐照装置
289OP200410054227.0形成具有粗糙表面的多晶硅的方法
290OP200410073655.8多晶硅薄膜晶体管制造方法
291OP200410054376.7改善栅极多晶硅层电阻值的方法
292OP200510067253.1多晶硅薄膜晶体管的形成方法
293OP200410035815.X彩色多晶硅微粒及其制备方法
294OP200410085114.7平坦多晶硅薄膜晶体管的15542181913
295OP200410066575.X闪存储器用的多层叠层多晶硅栅的平整方法
296OP200410011136.9激光退火多晶硅薄膜晶体管栅绝缘层的制备方法
297OP200510120417.2具有多晶硅层的显示面板及其制造方法
298OP200410083862.1多晶硅薄膜晶体管离子感测装置与15542181913
299OP200410085851.7用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法
300OP200410075872.0形成多晶硅薄膜的方法,包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法
301OP200510015747.5浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用
302OP200410089240.X多晶硅化学机械研磨法来增进栅极微影能力的方法
303OP200510107337.3带有掺杂多晶硅场发射阴极阵列结构的平板显示器及其15542181913
304OP200510015748.X溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用
305OP200510119309.3低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法
306OP200480014798.X硅薄膜退火方法和由该方法制造的多晶硅薄膜
307OP200510000163.0薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法
308OP200610010654.8一种制备太阳能级多晶硅的方法
309OP200480016528.2具有多晶硅浮动隔离层的镜像存储单元晶体管对
310OP200610009346.3激光辐射方法和形成多晶硅薄膜的装置
311OP200610006074.1有机发光二极管显示面板及其多晶硅通道层的形成方法
312OP200480023463.4具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对
313OP200510059536.1单层多晶硅电可擦可编程只读存储器
314OP200610035301.3一种多晶硅生产过程中的副产物的综合利用方法
315OP200510126289.2一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法
316OP200510126370.0一种多晶硅刻蚀工艺中的颗粒控制方法
317OP200510126340.X一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺
318OP200510126274.6一种提高各向异性的多晶硅脉冲刻蚀工艺
319OP200510126381.9一种减少颗粒产生的多晶硅栅极刻蚀工艺
320OP200510126369.8一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺
321OP200610081729.1具有平坦表面的多晶硅薄膜及其制造方法
322OP200510068006.3一种多晶硅振动膜硅微电容传声器芯片及其制备方法
323OP200480028359.4精密多晶硅电阻器工艺
324OP200610075110.X用于减小多晶硅高度的SOI底部预掺杂合并e-SiGe
325OP200510025458.3多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件及15542181913
326OP200610078524.8用于沉积多晶硅的CVD装置
327OP200510126458.2一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺
328OP200510119279.6多晶硅薄膜制造方法和具有其的薄膜晶体管的制造方法
329OP200510126276.5一种去除多晶硅刻蚀工艺中残留聚合物的方法
330OP200510126275.0一种防止多晶硅刻蚀中器件等离子损伤的刻蚀工艺
331OP200510062883.X降低多晶耗尽效应的制作多晶硅栅极晶体管的方法
332OP200480031172.X双胆碱和三胆碱在涂石英多晶硅和其它材料清洁中的用法
333OP200610046525.4一种太阳能电池用高纯多晶硅的制备方法和装置
334OP200510077714.3一种生产多晶硅用的还原炉
335OP200510079423.8限定多晶硅图案的方法
336OP200480035030.0激光薄膜多晶硅退火光学系统
337OP200480035031.5激光薄膜多晶硅退火系统
338OP200610043184.5单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭,炭隔热屏的制备方法
339OP200610043185.X单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭,炭加热器的制备方法
340OP200510080160.2多晶硅的制造方法
341OP200510027415.9多晶硅栅极掺杂方法
342OP200510116780.7多晶硅薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法
343OP200510082849.9用于连续横向固化技术的掩膜及用其形成多晶硅层的方法
344OP200510080415.5具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
345OP200510080718.7薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法
346OP200480040901.8用于在衬底上淀积多晶硅层的装置
347OP200610000678.5用于多晶硅低温结晶化的金属催化剂掺杂装置及通过该装置进行掺杂的方法
348OP200510087786.6高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的15542181913
349OP200580003282.X铸模及其形成方法,和采用此铸模的多晶硅基板的制造方法
350OP200610103856.7形成多晶硅薄膜的方法及用该方法制造薄膜晶体管的方法
351OP200610151736.4低温多晶硅液晶显示结构及其制造方法
352OP200510098656.2形成多晶硅薄膜的方法
353OP200510098484.9薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法
354OP200610017755.8P型太阳能电池等级多晶硅制备工艺
355OP200610122132.7一种用稻壳制备太阳能电池用多晶硅的方法
356OP200610010599.2采用无氯烷氧基硅烷制备多晶硅的方法
357OP200580015605.7双掺杂多晶硅及锗化硅的蚀刻
358OP200580015098.7利用双多晶硅的位线注入
359OP200510116621.7一种低温多晶硅薄膜器件及其制造方法与设备
360OP200510110069.0用于应变硅MOS晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构
361OP200610134108.5一种锌还原法生产多晶硅的工艺
362OP200610134107.0一种太阳能级多晶硅的生产方法
363OP200610064871.5直接沉积多晶硅的方法
364OP200510110230.4高压集成电路中制作高阻值多晶硅电阻的方法
365OP200610139874.0适用于有机发光二极管显示器的多晶硅薄膜象素电极
366OP200610022263.8多晶硅,体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
367OP200610022264.2多晶硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
368OP200580018375.X多晶硅板制备方法
369OP200610121897.9多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管
370OP200610128002.4单层多晶硅非易失性存储器装置的操作方法
371OP200610123789.5择优取向的多晶硅薄膜的制备方法
372OP200510110687.5多晶硅太阳能发电并网装置
373OP200610121898.3具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置
374OP200610139877.4使用固体激光器退火的多晶硅薄膜制备半导体器件的方法
375OP200580021278.6低电压单层多晶硅电可擦编程只读存储器(EEPROM)存储单元
376OP200610078728.1叠层储存电容器结构、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
377OP200510111175.0一种在集成电路中使用α多晶硅的方法
378OP200510111044.2用于静电放电保护的改善多晶硅-源区边界电场的结构
379OP200510126405.0一种多晶硅存储元件及其制备方法
380OP200510111430.1多晶硅炉的喷嘴
381OP200510131794.6多晶硅薄膜的15542181913
382OP200610166981.2多晶硅层、制造其的方法和平板显示器
383OP200610166982.7多晶硅层、使用其的平板显示器及其制造方法
384OP200510111454.7多晶硅太阳电池绒面的制备方法
385OP200510135272.3形成多晶硅薄膜的方法
386OP200510132576.4一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟
387OP200610148517.0具有金属和多晶硅栅电极的高性能电路及其制造方法
388OP200610154949.2一种掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅
389OP200610023162.2利用浮动和,或偏置多晶硅区域的静电保护系统和方法
390OP200610130711.6表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法
391OP200710000867.7多晶硅横向结晶方法以及应用其制造的多晶硅薄膜晶体管
392OP200580027437.3具有发射极多晶硅源,漏区的EEPROM单元的制造
393OP200610001055.X多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法
394OP200610013089.0供高温力学量传感器用的纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片
395OP200710003854.5生成低电阻自对准多晶硅化物栅极和台面接触区MOSFET器件的结构和方法
396OP200610003079.9多晶硅膜的制造方法以及薄膜晶体管的制造方法
397OP200710067517.2一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护电路
398OP200610007569.6形成多晶硅薄膜装置的方法
399OP200610057881.6将非晶硅结晶成多晶硅的方法及使用于此方法之光刻掩膜
400OP200710005307.0一种单一内嵌多晶硅存储结构及其操作方法
401OP200710068137.0利用纵向多晶硅增加静电泄放通道的静电放电防护器件
402OP200710105965.7多晶硅的除硼方法
403OP200710086008.4用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术
404OP200710105737.X一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法
405OP200610025646.0通过自对准形成多晶硅浮栅结构的方法
406OP200710089904.6蘸取式多晶硅太阳能电池p-n结的15542181913
407OP200580039432.2多晶硅晶棒的制造方法
408OP200610098711.2低温直接沉积多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
409OP200610080408.X低温多晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法
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411OP200710079489.6用于制造单晶或多晶材料、尤其是多晶硅的装置和方法
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