，P style="LINE-HEIGHT: 130%"01、浮法硅晶片的制作工艺和设备
02、减少来自红外辐射的图像伪影的背面硅晶片设计
03、外延涂覆的硅晶片以及制造外延涂覆的硅晶片的方法
04、一种碱性硅晶片抛光液
05、用于探针结合的硅晶片以及使用其进行结合的方法
06、从硅晶片制造复杂刀片几何体和增强刀片几何体的方法
07、100毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片
08、减少硅晶片中的金属杂质的方法
09、硅晶片研磨装置及其保持组件、硅晶片平整度校正方法
10、硅晶片基板固定台和硅晶片基板温度测量方法
11、使用绝缘体上硅晶片制造晶体管的方法
12、掺氮
13、太阳能硅晶片清洗剂
14、一种在硅晶片上制备高质量硅化镁薄膜的方法
15、低1c螺旋位错3英寸碳化硅晶片
16、研磨剂制造方法、其制造的研磨剂和硅晶片制造方法
17、硅晶片
18、低微管100mm碳化硅晶片
19、硅晶片的研磨方法及制造方法及圆盘状工作件的研磨装置及硅晶片
20、一种用于硅晶片的精抛液
21、一种用于硅晶片的研磨液
22、太阳能硅晶片双束激光双线划槽方法与装置
23、硅晶片及其制造方法、以及硅单晶生长方法
24、加工硅晶片的方法
25、快速热退火以及由其制造的硅晶片
26、碳化硅晶片的制备方法
27、硅晶片及硅晶片的热处理方法
28、半导体硅晶片水基研磨液
29、薄硅晶片上的发射体绕通背面接触太阳能电池
30、利用双掩埋氧化物绝缘体上硅晶片的嵌入硅锗及其形成方法
31、高电阻硅晶片的制造方法以及外延晶片及SOI晶片的制造方法
32、绝缘体上硅晶片的成形绝缘层及其制造方法
33、IGBT用 硅晶片及其制备方法
34、一定缺陷特性的半导体硅晶片的制法以及具有该特性的半导体硅晶片
35、高质量硅单晶的生长方法和装置、硅单晶结晶块及硅晶片
36、消除半导体硅晶片表面应力的方法
37、硅晶片的洗涤方法
38、硅晶片的制造方法
39、硅晶片制造方法
40、硅晶片表面缺陷的评价方法
41、外延涂覆的硅晶片以及制造外延涂覆的硅晶片的方法
42、用于减小硅晶片之间吸引力的方法
43、一种用于太阳能电池的硅晶片的制备方法
44、硅晶片及其制造方法
45、光学平台及其制造方法、光学组件、硅晶片基板及晶片
46、硅晶片及其制造方法
47、旋转式硅晶片清洗装置
48、单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片
49、用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法
50、单晶硅晶片及外延片以及单晶硅的制造方法
51、外延生长用硅晶片及外延晶片及其制造方法
52、硅晶片应用的助焊和填缝材料和用其制造的层状电子组件
53、硅晶片的制造方法及硅晶片以及SOI晶片
54、低温下使硅晶片氧化的方法及其使用的设备
55、硅晶片的制造方法
56、加工硅晶片的方法
57、硅晶片以及用于制造硅晶片的方法
58、硅晶片的制造方法
59、用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物
60、硅晶片激光加工方法和激光束加工装置
61、抛光混合物和减少硅晶片中的铜混入的方法
62、硅晶片的加强材料和利用这种材料制造集成电路芯片的方法
63、制作在硅晶片上的薄膜无源元件的包装方法
64、具有受控缺陷分布的硅晶片、其制法及丘克拉斯基提拉机
65、低翘曲度、弯曲度和TTV的75毫米碳化硅晶片
66、变形硅晶片的表面检查方法和检查装置
67、硅单晶的培育方法、以及硅晶片和使用该硅晶片的SOI衬底
68、硅单晶的制造方法和硅晶片
69、具有良好的内在吸收能力的硅晶片及其制造方法
70、硅单晶的生长方法及硅晶片的制造方法
71、硅晶片热处理用石英玻璃夹具及其制造方法
72、具有贯穿晶片的通路的硅晶片
73、单晶硅晶片及单晶硅的制造方法
74、快速热退火、由其制造的硅晶片以及直拉法拉晶设备
75、消除自动掺杂和背面晕圈的外延硅晶片
76、热处理硅晶片的方法及用该方法制造的硅晶片
77、直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法 ，
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