绝对的绝缘体、绝缘体有哪些生产及绝缘材料工艺学
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绝对的绝缘体、绝缘体有哪些生产及绝缘材料工艺学
绝对的绝缘体、绝缘体有哪些生产及绝缘材料工艺学作者:百创科技    电子机械来源:百创科技    点击数:    更新时间:2018/10/8
绝对的绝缘体、绝缘体有哪些生产及绝缘材料工艺学
1^ 一种电缆线中废旧铝线线圈表面绝缘体高效分离装置
2、一种室温拓扑绝缘体太赫兹探测器
3、干式套管绝缘体真空加气浇注系统
4、汽车线束的接线端子塑件绝缘体
5、一种负载连接器内绝缘体压装装置
6、一种矩形插头的绝缘体固定结构
7、一种圆形连接器绝缘体固定结构
8、一种用于加工铁轭绝缘体的数控机床
9、USB Type C连接器的绝缘体
10、一种连接器绝缘体的连接结构
11、一种绝缘体演示器
12、串激电机的端部绝缘体、串激电机以及洗衣机
13、一种插接式防水密封单芯绝缘体连接器
14、一种零序电流互感器用导体间绝缘体结构
15、基于绝缘体硅基片的薄膜体声波谐振器及通信器件
16、一种电机转子用绝缘体
17、可拆式可折叠绝缘体装置及其可拆式工装
18、铁芯上具有绝缘体的马达
19、一种新型电机转子用绝缘体
20、一种高速动车用连接器的内嵌金属镶件的绝缘体结构
21、包含由PTFE一体成形的加热室绝缘体的发电机断路器
22、一种灯头玻璃绝缘体剪切装置
23、一种柔性绝缘体弹性伸长率控制装置
24、一种连接器中固定模块化绝缘体的支架
25、一种绝缘体组件
26、一种绝缘体防脱的母线槽直角接头
27、蓝宝石绝缘体定电极的电容压力传感器
28、一种多芯插孔绝缘体
29、一种火花塞绝缘体
30、一种采用机械结构轴向定位内部绝缘体组件的插座
31、一种尾端采用旋紧结构轴向定位绝缘体的防水插头
32、一种光缆绝缘体切割工装装置
33、一种同轴电缆连接器中绝缘体的送取料装置
34、一种同轴电缆连接器中绝缘体的取料机构
35、一种同轴电缆连接器中绝缘体的送料装置
36、一种轨道车辆电气连接的绝缘体组件
37、导热电绝缘体
38、绝缘体上硅类型的衬底和集成电路
39、一种矮绝缘体装置
40、一种矮绝缘体压板
41、一种用于工业CT绝缘体清洗的辅助装置
42、一种橡胶绝缘体卡口式电连接器
43、一种插头绝缘体装置
44、一种生产插头绝缘体的模具
45、多层伞裙绝缘体抗闪络火花塞
46、一种电连接器绝缘体组件
47、一种绝缘体、绝缘构造
48、一种切分绝缘体的装置
49、高频连接器用绝缘体
50、绝缘体锥面磨光机
51、绝缘体
52、绝缘体
53、组合式导体绝缘体检测器
54、绝缘体及旋转电机
55、形成电气构件的绝缘体的设备和形成定子杆的设备
56、拓扑绝缘体可饱和吸收镜及锁模光纤激光器
57、一种L波段空间行波管阴极绝缘体的钎焊工装
58、一种屏蔽型的固封绝缘体
59、母线排绝缘体结构
60、绝缘体转化导体演示器
61、一种能保证点火可靠性且能防止被电击穿的火花塞绝缘体
62、一种绝缘短节的绝缘体组件
63、连接器绝缘体及具有该绝缘体的OTG连接器
64、一种用于固体绝缘开关设备的主绝缘体
65、绝缘体、定子结合体、旋转电机及结线基板
66、一种新型栓钉枪绝缘体
67、电气刀闸开关支座绝缘体和电气刀闸开关
68、电气绝缘体套管以及可拆卸的热导管
69、高散热绝缘体可以拆解更换电源循环利用的LED灯管
70、110kV电缆主绝缘体下压式剥离器
71、110kV电缆主绝缘体胀开器
72、一种固体绝缘体底座结构
73、一种带有安全绝缘体的直流电机
74、一种绝缘体演示仪
75、一种整体固化成型绝缘体内芯的复合绝缘子
76、固封极柱绝缘体的改进结构
77、离子源绝缘体的清洗保护结构
78、一种火花塞的绝缘体
79、高性能通讯连接器用绝缘体
80、可防止叠加的电池用绝缘体
81、一种火花塞复合氧化铝绝缘体
82、绝缘体
83、热胀冷缩和导体、绝缘体演示器
84、一种灯头绝缘体及其制造模具
85、CO<sub>2</sub>气体保护焊焊枪的绝缘体与直喷筒结合体
86、一种抗辐射加固的绝缘体上硅结构
87、测量导体和绝缘体的演示板
88、多功能绝缘体立体驱防鸟装置
89、一种带绝缘体隔离器的连接器
90、互感器绝缘体浇注控制装置
91、金属绝缘体定位销螺母凸焊电极
92、引线元件外绝缘体浸封装置
93、一种高压套管绝缘体与法兰体的装配结构
94、一种电连接器的改进型绝缘体结构
95、一种基于绝缘体上硅的高压隔离结构
96、具有加强绝缘体的电连接器
97、绝缘体安装簧片
98、一种无硅钢片芯的绝缘体结构发电机
99、帽盖针形电绝缘体、绝缘的悬式串和耐张式串
100、一种钢化玻璃绝缘体均温用托架烧枪
101、一种新型钢化玻璃绝缘体成型模具
102、一种新型钢化玻璃绝缘体形变测量装置
103、改进导体及绝缘体结构的高导节能电缆
104、一种N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件
105、一种N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管
106、改善的帽盖针形电绝缘体以及绝缘悬式或耐张式串
107、可加工陶瓷精密管状线圈绝缘体
108、电连接器及其连接器壳体及绝缘体组件
109、一种电器绝缘体
110、多芯电连接器用插孔绝缘体
111、一种连接器的套组式外绝缘体
112、一种连接器接插绝缘体组件
113、一种基于介质响应的绝缘体检测仪
114、一种绝缘体上硅可集成大电流N型组合半导体器件
115、干式变压器蜂窝状环氧树脂绝缘体
116、一种采用UV块作绝缘体的单面线路板的薄膜开关
117、一种互感器绝缘体
118、一种母线连接器绝缘体
119、一种采用聚酰亚胺作绝缘体的单面线路板的薄膜开关
120、变压器箔式线圈的复合绝缘体
121、一种背板连接器及其绝缘体
122、旋转电机的绝缘体以及定子绕线构造
123、一种绝缘体上硅可集成大电流P型组合半导体器件
124、一种提高电流密度的P型绝缘体上硅横向器件
125、一种提高电流密度的N型绝缘体上硅横向器件
126、绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管
127、干式变压器主绝缘体结构
128、电缆的绝缘体剥离装置
129、一种提高电流密度的绝缘体上硅N型半导体组合器件
130、一种提高电流密度的绝缘体上硅P型半导体组合器件
131、一种高压接线端子的绝缘体
132、一种在绝缘体上固定接触件的结构
133、一种不粘灰的电力用绝缘体
134、绝缘体电气性能检测装置
135、一种玻璃绝缘体免焊灯头
136、一种具有凸凹面绝缘体的高压电连接器
137、一种火花塞点火性能和绝缘体耐电压性能测试仪
138、一种电连接器及其接触件、绝缘体
139、一种小型密封耐高压连接器及其分体式绝缘体
140、F接栓绝缘体
141、组装灯口绝缘体用的顶针
142、一种物体的导体、绝缘体实验板
143、一种绝缘体温度升高电阻减小演示装置
144、混装连接器及其绝缘体
145、绝缘体电阻随温度变化的实验演示装置
146、一种带绝缘体伞棱火花塞
147、气体绝缘开关柜用互感器绝缘体结构
148、析气绝缘体组件、导体组件和使用该导体组件的电气开关装置
149、一种电连接器绝缘体
150、同轴电缆连接器绝缘体
151、一种定子用绝缘体和具有该绝缘体的旋转变压器的定子
152、绝缘体玻璃电热容器及其安全保护装置
153、一体式绝缘体电连接器
154、一种电连接器中固定绝缘体的结构
155、一种用于新型绝缘体上半导体薄膜电学表征的测试系统
156、浮雕画式绝缘体触摸、遥控两用墙壁开关
157、高压开关柜用环氧绝缘体穿墙套管
158、一种能更换绝缘体的重载电连接器
159、高压电线绝缘体剥离器
160、一种用于脱铜电解槽的绝缘体
161、绝缘体与灯壳卡紧配合的灯头
162、导电片与绝缘体卡紧配合的灯头
163、内嵌导热绝缘体具散热片的新型半导体器件封装结构
164、一种用于光缆连接器插头/插座的插孔绝缘体
165、一种金属-绝缘体-金属射频测试结构
166、一种深亚微米级金属-绝缘体-金属结构电容器
167、深亚微米级堆叠并联金属/绝缘体/金属结构电容器
168、带保护绝缘体的多根组合平行导线
169、一种带实心层绝缘体结构的同轴电缆
170、一种用于电容型绝缘体的绝缘监视器
171、连接器绝缘体
172、金属/绝缘体/金属电容结构的半导体装置
173、绝缘体上半导体芯片
174、立体成型的绝缘体
175、本体与安装绝缘体一体式避雷器
176、一种制备绝缘体上的硅材料的真空键合装置
177、硅绝缘体单晶芯片结构
178、硅绝缘体单晶芯片结构
179、表面贴装玻璃绝缘体的SMD石英晶体谐振器
180、电缆绝缘体切削器
181、引入电线用绝缘体
182、筒口绝缘体
183、用于化成槽的导电棒绝缘体结构
184、槽型钢轨用绝缘体
185、玻璃绝缘体装配式罗纹灯头
186、绝缘体检验器
187、一种带有楔形绝缘体的绝缘子
188、一种输变电设备外绝缘体大气颗粒物干沉降参数化计算方法
189、制造具有绝缘体上硅衬底的嵌入式存储器设备的方法
190、以半加成电镀金属布线制造三维(3D)金属-绝缘体-金属(MIM)电容器及电阻器的结构及方法
191、电围栏绝缘体
192、全耗尽型绝缘体上硅闪存存储器设计
193、包括流路绝缘体的透析系统及方法
194、线圈的绝缘体
195、一种高速动车用绝缘体内齿套结构连接器
196、一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管及其制造方法
197、一种获得拓扑绝缘体硒化铋反常线偏振光电流的方法
198、一种干式电抗器包封绝缘体系的配方及制备方法
199、使加载有直流电压的导体绝缘的直流高压绝缘体和所属的制造方法
200、固体的、特别地带状的绝缘材料、用于在真空浸渍工艺中由此制备绝缘体系的浸渍剂配制物和具有这种绝缘体系的机器
201、一种室温拓扑绝缘体太赫兹探测器及制备方法
202、一种干式套管绝缘体真空加气浇注系统及其浇注方法
203、用于可枢转的电连接件的绝缘体
204、具有可热循环相变材料的热绝缘体
205、用于LED照明和显示装置的经绝缘体涂覆的量子点
206、带有扩展浅多边形腔的带腔绝缘体上硅MEMS压力传感装置
207、一种绝缘体上石墨烯的制备方法
208、制造绝缘体上硅锗的方法
209、固体绝缘材料、其用途和由其制造的绝缘体系
210、固体绝缘材料、其用途和由其制造的绝缘体系
211、一种分布在绝缘体不同方位表面的金属线路制造方法
212、一种小型绝缘体上不同方位表面的金属线路制造方法
213、一种绝缘体上锗硅衬底及其制造方法和半导体器件
214、一种干式固体套管绝缘体及其制造模具和制造方法
215、一种电缆线中废旧金属铝线表面绝缘体机械化分离设备
216、一种电力通讯电缆线绝缘体高效剥离设备
217、一种带有三层绝缘体组件的防短路分离插头连接器
218、绝缘体上覆半导体晶圆、含晶体管的半导体结构及其形成与操作方法
219、一种电缆线中废旧铝线线圈表面绝缘体高效分离装置
220、制造绝缘体上半导体的方法
221、一种电力高压通讯电缆线绝缘体分段处理智能机器人
222、一种绝缘体、金属壳体、制造方法及移动终端
223、具有减小的寄生电容的绝缘体器件
224、绝缘体上硅晶圆的制造方法
225、一种用于绝缘体的自动化检测装置及其检测方法
226、集成电路、垂直金属?绝缘体?金属电容器及其制造方法
227、绝缘体系及其用途以及电机
228、用于绝缘体系中的绝缘胶带的胶带粘合剂和绝缘体系
229、基于石墨烯类二维材料保护层的拓扑绝缘体阵列型光电探测器及其制备方法和应用
230、用于HFET器件的保护绝缘体
231、具有抗结垢涂层的火花塞绝缘体以及用于使结垢最少的方法
232、用于绝缘体上半导体结构的制造的热稳定电荷捕获层
233、一种采用拓扑绝缘体构成的电子自旋滤波器
234、一种具有金属绝缘体转变功能的器件的制备方法
235、一种电极边缘镶嵌绝缘体的低温等离子体杀菌处理腔
236、具有护环的绝缘体上半导体(SOI)块
237、使用绝缘体上硅类型技术的特别用于高压的 MOS 晶体管结构
238、一种检测导体绝缘体的教学演示仪
239、一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件
240、用于电机用的线圈和缠绕胶带绝缘体系的绝缘胶带
241、有机硅橡胶组合物在用于制备高压直流绝缘体应用中的用途
242、串激电机的端部绝缘体、串激电机以及洗衣机
243、金属?绝缘体?金属电容器结构
244、Nb<sup>5+</sup>掺杂的单斜相VO<sub>2</sub>金属?绝缘体相变陶瓷及其制备方法
245、一种防止高压电从绝缘体表面导通的空气净化器
246、基于拓扑绝缘体纳米线的场效应管、其制备方法及应用
247、在绝缘体上半导体衬底上形成隔离结构的方法
248、火花塞用的绝缘体的制造方法、绝缘体、成形模具
249、具有背侧应变拓扑结构的绝缘体上覆半导体
250、以减小电感的模式安排的金属?绝缘体?金属(MIM)电容器以及相关方法
251、真空绝缘体
252、一种用拓扑绝缘体作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池
253、用于高压输电线的管状电绝缘体
254、火花塞用绝缘体的制造方法
255、制成具有绝缘体上硅衬底的嵌入式存储器设备的方法
256、绝缘体
257、拓扑绝缘体Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>/FeSe<sub>2</sub>异质结构薄膜的制备方法
258、一种塔型橡胶绝缘体的毛边去除夹具
259、用于线缆加工机的分离和绝缘体去除装置
260、用于绝缘体上硅的s接触
261、由半导体与含导电区域的绝缘体构成的半导体器件耐压区
262、一种绝缘体上锗衬底结构及其制备方法
263、一种塔型橡胶绝缘体的结合处毛边去除装置
264、火花塞用绝缘体的检查方法及检查装置
265、导热电绝缘体
266、一种绝缘体上硅材料的制造方法
267、用于点火装置绝缘体的、具有低的相对介电常数的陶瓷
268、一种基于绝缘体上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶体并行复用传感器阵列结构
269、绝缘体以及火花塞
270、金属?绝缘体?金属电容器结构及其制造方法
271、一种超导体-绝缘体-金属异质二维晶态薄膜材料及其制备方法
272、绝缘体上硅晶圆的制造方法
273、一种电缆绝缘体橡塑预埋件
274、一种连接器中固定模块化绝缘体的支架
275、连接器及其绝缘体
276、蓝宝石绝缘体定电极的电容压力传感器
277、一种灯头玻璃绝缘体剪切装置
278、绝缘体上III-V化合物衬底的制备方法
279、一种新型电机转子用绝缘体
280、一种电机转子用绝缘体
281、定子的绝缘体、使用该绝缘体的旋转电机用定子和旋转电机用定子的制造方法
282、包括铁路路轨侧柱绝缘体和随其使用的铁路路轨夹锚固装置的组件
283、偏置绝缘体上硅(SOI)衬底以增大耗尽区域
284、一种高速动车用连接器的内嵌金属镶件的绝缘体结构
285、一种形成绝缘体上鳍的方法
286、一种绝缘体上半导体材料衬底结构及其制备方法
287、一种柔性绝缘体弹性伸长率控制装置
288、一种具有高自旋极化电子通道的拓扑绝缘体复合薄膜及其制备
289、一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件
290、共面的金属?绝缘体?金属电容结构
291、多层王冠型金属-绝缘体-金属电容器结构及其制作方法
292、金属纳米颗粒-绝缘体复合材料光栅耦合器
293、同轴电缆及同轴电缆的绝缘体铠装装置
294、用于石墨烯与绝缘体和器件的集成的石墨烯氟化作用
295、在制造金属?绝缘体?半导体场效应晶体管中使用的方法
296、基于莫脱绝缘体的单部件人工神经元、人工神经元网络以及相应的制造方法
297、连接器及其绝缘体部件
298、绝缘体上半导体结构以及制备方法
299、绝缘体上半导体结构以及制备方法
300、绝缘体上硅晶圆的制造方法
301、一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路
302、绝缘体上半导体结构以及制备方法
303、与绝缘体上硅基板上的射频滤波器有关的装置和方法
304、射频同轴电缆用绝缘体的制备方法
305、射频同轴电缆用绝缘体
306、高频连接器用绝缘体
307、准绝缘体上硅场效应晶体管器件的制作方法
308、针对具有高电阻操作晶圆的绝缘体上硅衬底的装置结构
309、用于制造高电阻率绝缘体上半导体衬底的方法
310、用于火花塞的绝缘体的组合物及制造方法
311、绝缘体上硅(SOI)衬底上的横向双极结型晶体管(BJT)
312、一种具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜及其制备方法
313、电熔丝于绝缘体上半导体构造
314、金属-绝缘体-金属电容器结构及其制作方法
315、绝缘体
316、绝缘体及绝缘体组件
317、一种电连接器及其绝缘体
318、基于铁磁绝缘体的磁隧道结
319、绝缘体和使用该绝缘体的无刷直流马达
320、一种毛纽扣连接器及其绝缘体
321、毛纽扣连接器及其绝缘体和毛纽扣
322、单斜相VO<sub>2</sub>金属?绝缘体相变陶瓷材料的快速制备方法
323、绝缘体
324、一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件
325、具有单件式绝缘体组件的电源适配器
326、基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法
327、电介质钝化的金属绝缘体光伏太阳能电池
328、一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法
329、基于绝缘体上硅衬底的射频电容元件及其制备方法
330、用于绝缘体上应变硅晶片上双重隔离的方法和装置
331、包括均匀地分布于绝缘体积中的绝缘材料的冷却装置
332、火花塞用绝缘体的检查方法
333、一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件
334、金属-绝缘体-金属(MIM)电容器和形成方法
335、一种基于绝缘体上硅光波导的表面等离子体共振传感器
336、用于射频与CMOS电路共集成的绝缘体上硅衬底及制备方法
337、垂直金属绝缘体金属电容器
338、金属绝缘体半导体(MIS)接触及其形成方法以及晶体管
339、基于绝缘体上硅衬底的射频电感元件及其制备方法
340、防止金属-绝缘体-金属(MIM)电容器中铜污染的方法
341、一种连接器中绝缘体的送取料装置中的取料轨道
342、一种变压器主绝缘体系空间电荷分布的推演方法和装置
343、用于伸长构件的绝缘体
344、一种同轴电缆连接器中绝缘体的定位台
345、一种同轴电缆连接器中绝缘体的取料机构
346、一种同轴电缆连接器中绝缘体的送取料装置
347、一种同轴电缆连接器中绝缘体的震动盘
348、一种连接器绝缘体的取料手
349、一种同轴电缆连接器中绝缘体的送料装置
350、金属绝缘体金属电容器与其制造方法
351、一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法
352、一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法
353、一种绝缘体岛上硅衬底材料及其制备方法
354、用于提供导体电绝缘的绝缘体和包含这种绝缘体的电设备
355、电绝缘复合材料、该材料制造方法及作为电绝缘体的用途
356、绝缘体及燃料电池
357、绝缘体及燃料电池装置
358、具有金属-绝缘体-硅接触件的存储器件和集成电路器件
359、绝缘体变导体实验装置
360、一种绝缘体岛上硅衬底材料及其制备方法
361、真空绝缘体
362、三层混合晶向绝缘体上半导体结构及其制作方法
363、一种超柔软电缆的绝缘体配方
364、金属-绝缘体-金属电容及其形成方法
365、一种矮绝缘体压板的浇注工艺
366、用于固定线圈绝缘体的固定方法和固定结构、使用其的定子和使用其的旋转电机
367、基于金属-绝缘体-金属装置的击穿电压的物理不可克隆功能
368、嵌入式金属-绝缘体-金属电容器
369、真空绝缘体
370、绝缘体及使用该绝缘体的电连接器
371、阱电阻结构及其制造方法及绝缘体上硅器件
372、三层混合晶向绝缘体上半导体结构及其制作方法
373、用于减小光点缺陷和表面粗糙度的绝缘体上半导体晶片的制造方法
374、用于可插式连接器的绝缘体及可插式连接器
375、一种差分连接器及其绝缘体
376、同轴连接器及其绝缘体
377、一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法
378、利用低温剥离技术制备绝缘体上材料的方法
379、吸附剥离制备绝缘体上材料的方法
380、绝缘体靶
381、一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法
382、金属-绝缘体-金属二极管及制造方法
383、柔性电力电缆绝缘体
384、一种高纯度拓扑绝缘体YbB<sub>6</sub>单晶体的制备方法
385、在绝缘体下方具有互连的绝缘体上覆半导体集成电路
386、金属-绝缘体-金属电容器结构
387、具有偏移抵消并且使用绝缘体上技术实现的的差分横向磁场传感器系统
388、一种生产插头绝缘体的模具的操作方法
389、碳纤维绝缘体及其制备方法
390、具有非凹陷的场绝缘体和场绝缘体上方的较薄电极的三栅极晶体管结构
391、线偏振平面光波对衬底上方的拓扑绝缘体微粒的可调谐捕获和筛选的方法
392、斜入射光在拓扑绝缘体金属多层核-壳体表面产生可调谐非梯度光学力的方法
393、防静电剂、包含绝缘体高分子材料的成形品及其制造方法
394、绝缘体上硅射频开关器件结构
395、绝缘体组合物及使用绝缘体组合物的包覆电线
396、一种绝缘体上材料的制备方法
397、一种绝缘体上石墨烯的制备方法
398、超薄硅薄膜钝化制备绝缘体上锗的方法
399、线偏振平面光波对处于拓扑绝缘体衬底上方微粒的可调谐捕获和筛选的方法
400、一种拓扑绝缘体/铁磁体异质结构薄膜的制备方法
401、用于高压旋转式机械的电绝缘体以及制造该电绝缘体的方法
402、具有背侧散热的绝缘体上半导体
403、一种建立金属-绝缘体-金属电容模型的方法
404、高崩溃电压金属-绝缘体-金属电容器
405、绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管
406、绝缘体上硅器件及其金属间介质层结构和制造方法
407、真空压力浸渍绝缘体系低阻防晕材料的制备方法
408、绝缘体上硅射频开关器件结构
409、一种改性非绝缘体纳米线及其制备方法、组装膜和器件
410、绝缘体上半导体(SOI)衬底上的垂直全环栅(VGAA)器件的连接结构
411、分解绝缘体上半导体型结构的外周环中的氧化物层的方法
412、一种连接器的绝缘体
413、生物基粘合剂和玻璃纤维绝缘体
414、拓扑绝缘体/石墨烯复合柔性透明导电薄膜及其制备方法与应用
415、用于电绝缘体的浸渍树脂、电绝缘体和用于制造电绝缘体的方法
416、用于共聚作用的反应加速剂、电绝缘带、电绝缘体和固结体
417、热绝缘体及其制备方法
418、一种金属-绝缘体-金属电容结构
419、一种绝缘体上应变薄膜结构及调节应变薄膜应力的方法
420、金属-绝缘体-金属电容器形成技术
421、一种环形栅绝缘体上锗P沟道场效应管的制造方法
422、一种绝缘体上硅SOI的ESD保护电路
423、具有部分凹陷的栅极的绝缘体上硅器件
424、具有集成的屏蔽元件的绝缘体
425、绝缘体锥面磨光机
426、绝缘体上硅射频开关器件结构
427、用于制造绝缘体上半导体基板的方法
428、具有绝缘体上硅(SOI)衬底上的金属环的半导体器件结构
429、滑环体、滑环体的滑环轴、滑环体的绝缘体和滑环体的滑环
430、具有屏蔽十字架的绝缘体
431、绝缘体上硅及其制备方法
432、形成本地化的绝缘体上硅鳍式场效应晶体管的方法和结构
433、绝缘体上硅射频开关器件结构
434、一种局部绝缘体上硅中埋层槽的制备方法
435、剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法
436、一种绝缘体上硅衬底及其制造方法
437、绝缘体上硅射频开关器件结构
438、一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法
439、形成金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构的机理
440、金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构及其形成方法
441、用于绝缘体上硅射频开关器件结构的制造方法
442、基于拓扑绝缘体的被动锁模掺铥光纤激光器
443、包含有机氟化合物的电绝缘体及其制造方法
444、基于拓扑绝缘体的热电结构与装置
445、插入式连接器的绝缘体
446、具有绝缘体的电压测量装置
447、用于形成金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构的机制
448、与基于绝缘体上的硅的射频开关有关的电路、器件和方法及其组合
449、一种绝缘体、绝缘构造及其绝缘体的安装方法
450、固定绝缘体到墙壁的单元
451、制备用于热塑性绝缘体的聚丙烯共混物的方法
452、固定绝缘体到墙壁的单元
453、一种利用离子注入技术制备绝缘体上半导体材料的方法
454、使用膨胀珍珠岩的低密度无机粉末绝缘体、其制造方法和用于其制造的模具机
455、一种火花塞绝缘体烧结助剂及其制备方法
456、绝缘体及使用该绝缘体的电连接器和连接器组件
457、绝缘体上硅射频开关器件结构
458、拓扑绝缘体可饱和吸收镜及其制备方法
459、一种厚度可控的绝缘体上半导体材料的制备方法
460、绝缘体上硅反向导通横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法
461、一种低剂量注入制备绝缘体上半导体材料的方法
462、绝缘体上鳍片的制造方法
463、插入式连接器的绝缘体
464、提供绝缘体上硅衬底上的波导的光学隔离的方法及结构
465、绝缘体上硅抗辐射特性表征结构及其制备方法
466、用于处理绝缘体上半导体结构以提高半导体层厚度均匀度的工艺
467、部分耗尽绝缘体上硅三极管结构
468、一种用于离子推力器栅极组件柔性绝缘体
469、一种外绝缘体及使用该外绝缘体的绝缘体组件
470、热绝缘体及其制备方法
471、制造热绝缘体的方法
472、包括临界电流供给器件的金属绝缘体转变晶体管系统
473、绝缘体上硅的横向P型绝缘栅双极晶体管
474、检测电缆绝缘体老化的方法
475、用于制备缆线绝缘体的多相聚合物组合物
476、相间绝缘体
477、具有局部过孔的金属-绝缘体-金属管芯上电容器
478、一种陶瓷绝缘体以及制备包含该陶瓷绝缘体电缆的方法
479、插入式连接器的绝缘体
480、一种降低绝缘体上硅材料埋氧层中正电荷密度的方法
481、高电容密度金属-绝缘体-金属电容器
482、一种用于固体绝缘开关设备的主绝缘体
483、测试绝缘体上半导体结构的方法和所述测试对于这样的结构的制造的应用
484、“绝缘体上硅”(SOI)型衬底的活性硅层的薄化方法
485、具有硅局部氧化的绝缘体上硅的集成电路及其制造方法
486、具有晶体绝缘体的FINFET及其形成方法
487、具有包含多个金属氧化物层的绝缘体堆叠体的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器
488、一种高强度火花塞绝缘体磨削加工方法
489、绝缘体上硅制品的制造方法
490、电气刀闸开关支座绝缘体和电气刀闸开关
491、一种金属-绝缘体层-半导体太阳能电池
492、高压绝缘体
493、新型离子火焰探测器绝缘体组件
494、具有纳米晶体核和纳米晶体壳的带绝缘体涂层的半导体结构
495、绝缘体及火花塞
496、一种用于绝缘体核材料中氧同位素的SIMS测量方法
497、具有金属-绝缘体-金属电容器的封装件及其制造方法
498、抗氧化耐腐蚀汽车连接器绝缘体及其制备方法
499、插入式连接器的绝缘体
500、基于拓扑绝缘体的被动调Q光纤激光器
501、一种超薄绝缘体上材料的制备方法
502、具有改进的电特性的绝缘体上半导体结构
503、具有单件式绝缘体组件的电源适配器
504、具有绝缘体隔片的电机
505、绝缘体上半导体结构及其制造方法
506、基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法
507、金属-绝缘体相变触发器
508、汇流条绝缘体
509、具有十字形屏蔽件的绝缘体
510、一种射频同轴电缆中绝缘体的制备方法
511、包含绝缘体上硅的半导体封装体
512、具有金属-绝缘体-金属阈值开关的解码器电路
513、一种射频同轴电缆的绝缘体
514、一种极细同轴电缆中绝缘体的制备方法
515、一种极细同轴电缆中绝缘体
516、产生高压电绝缘体的方法
517、包含结晶性材料的单元的加工方法和形成绝缘体上半导体构造的方法
518、具有金属绝缘体金属电容器的密封圈结构
519、一种硅基绝缘体上*化镓衬底结构及其制备方法
520、一种硅基绝缘体上硅衬底结构及其制备方法
521、用于馈通的绝缘体
522、包含绝缘体上半导体区和主体区的半导体结构及形成方法
523、具有块间绝缘体的N沟道和P沟道FINFET单元架构
524、具有改进的抗局部放电性的绝缘体系及其制备方法
525、具有改进的抗局部放电性的绝缘体系及其制备方法
526、包括绝缘体的二次电池
527、无刷电动机用绝缘体和定子、无刷电动机及其制造方法
528、III族氮化物金属绝缘体半导体场效应晶体管
529、高效绝缘体上硅光栅耦合器
530、用于开路线圈电阻加热器的绝缘体
531、用于电缆的硅多层绝缘体
532、用于电缆的硅多层绝缘体
533、用于汇流排支撑的模块化绝缘体及装配方法
534、用于增强电磁线绝缘体的系统和方法
535、一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法
536、一种带有安全绝缘体的直流电机
537、三工位隔离开关-真空开关一体化绝缘体
538、利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法
539、利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法
540、用于中空圆柱形绝缘体外壳的安装凸缘的强化元件
541、复合材料绝缘体及其制备方法
542、绝缘体上锗硅的形成方法
543、一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法
544、一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法
545、内建式印刷电路板的绝缘体及用其制造印刷电路板的方法
546、三轴正交线圈系、三轴正交线圈系调整方法及板状绝缘体
547、包括用于对准绝缘体层的配准特征的电容器
548、制备拓扑绝缘体Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>与钙钛矿氧化物La<sub>0.7</sub>Sr<sub>0.3</sub>MnO<sub>3</sub>复合结构的方法
549、具有多个阈值电压和有源阱偏置能力的CMOS绝缘体上极薄硅的改进型结构
550、绝缘体上硅CMOS技术的单粒子瞬变和翻转缓解
551、一种制备拓扑绝缘体Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>薄膜的方法
552、体接触部分耗尽绝缘体上硅晶体管
553、组合的线圈绝缘体及相关的电机元件
554、绝缘体上硅芯片上的独立电压控制的硅区域
555、一种基于拓扑绝缘体的全光波长转换器件
556、一种基于拓扑绝缘体的磁场测量计及其测量方法
557、部分耗尽绝缘体上硅器件结构
558、具有金属绝缘体金属电容器的封装件及其制造方法
559、一种基于绝缘体上硅材料的双极型高压CMOS单多晶硅填充深沟道器件隔离工艺
560、在处理晶片中具有高电阻率区域的绝缘体上硅结构及制造此类结构的方法
561、拓扑绝缘体柔性透明导电材料及其制备方法与应用
562、绝缘体上三维半导体器件及其形成方法
563、基于绝缘体上硅选择性制备多孔硅的方法
564、聚(亚芳基醚)-聚烯烃组合物及其在线材和缆线绝缘体和护套中的用途
565、绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法
566、绝缘体防雹弹壳
567、背侧金属-氧化物-金属/金属-绝缘体-金属器件
568、绝缘体上半导体结构及其制造方法
569、超薄绝缘体上硅结构的制作方法、半导体器件的制作方法
570、用于焊接金属板的包含冷却绝缘体的电磁脉冲焊接装置
571、具有非对称结构的绝缘体上半导体器件
572、具有改进击穿强度的可回收热塑性绝缘体
573、盖体式绝缘体置换连接器(IDC)
574、用于控制玻璃纤维绝缘体的制造中的水分的装置和方法
575、具有特定形状的绝缘体的电晕点火器
576、用于控制玻璃纤维绝缘体的制造中的水分的装置和方法
577、具有切割夹钳和不会丢失的绝缘体的插塞连接器
578、使用通过衬底去除或者转移的标准绝缘体上硅工艺的硅光子晶片
579、绝缘体上硅衬底和形成方法
580、并入有包括拓扑绝缘体的拓扑材料的电装置及光学装置
581、具有引线约束护耳的端匝相间绝缘体以及在电动装置上约束引线的方法
582、用在充液变压器中的改进的聚酰胺电绝缘体
583、用于超薄绝缘体上半导体器件的电隔离结构及其制作方法
584、金属-绝缘体-金属(MIM)装置及其制备方法
585、一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法
586、准绝缘体上硅场效应晶体管的制备方法
587、一种超薄绝缘体上半导体材料及其制备方法
588、拓扑绝缘体脉冲调制器件及全固态激光用脉冲调制激光器
589、一种图形化绝缘体上Si/NiSi<sub>2</sub>衬底材料及其制备方法
590、一种图形化绝缘体上Si/CoSi<sub>2</sub>衬底材料及其制备方法
591、一种绝缘体上Si/CoSi<sub>2</sub>衬底材料及其制备方法
592、半导体器件的含导电颗粒的绝缘体与半导体构成的耐压层
593、一种绝缘体上Si/NiSi<sub>2</sub>衬底材料及其制备方法
594、一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi<sub>2</sub>衬底材料及其制备方法
595、一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi<sub>2</sub>衬底材料及其制备方法
596、一种基于绝缘体-金属相变电阻的谐振型限流器
597、一种高可靠性P型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管
598、绝缘体上硅射频器件及其制作方法
599、绝缘体上硅射频器件及其制造方法
600、一种电器绝缘体
601、用于电子龙头的绝缘体底座
602、具有于弹簧触部之间的弹簧非触部的喷嘴定位绝缘体
603、用于具有减少的电荷层的绝缘体上硅高带宽电路的方法、装置以及设计结构
604、绝缘体上硅射频器件及其绝缘体上硅衬底
605、制造绝缘体上硅结构的工艺
606、一种绝缘体上纳米级硅锗材料及其制备方法
607、绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底
608、绝缘体和马达、以及具备绝缘体和线圈的定子的制造方法
609、拓扑绝缘体结构
610、拓扑绝缘体结构
611、一种工程塑料绝缘子绝缘体的材料配方
612、拓扑绝缘体结构的制备方法
613、对绝缘体基材上的硅进行精整的方法
614、绝缘体以及具备该绝缘体的定子和电机
615、用于测量绝缘体的损耗因数的装置和方法
616、绝缘体上硅硅片及浮体动态随机存储器单元的制造方法
617、绝缘体上硅硅片及浮体动态随机存储器单元的制造方法
618、金属绝缘体金属电容器及制造方法
619、绝缘体上硅晶片的原位钝化方法
620、一种大电流P型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管
621、一种大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管
622、用于测量绝缘体的损耗因数的装置和方法
623、绝缘体上硅结构以及半导体器件结构
624、有通过绝缘体被组织成行和列的导体或半导体材料的平行纳米线的塞贝克/珀耳帖热电转换单元和制作过程
625、大面积电极上的紧密安装的陶瓷绝缘体
626、一种用于有源像素传感器的绝缘体上硅结构形成方法
627、一种绝缘体上硅结构形成方法
628、一种抗辐射加固的绝缘体上硅结构
629、金刚石金属-绝缘体-半导体结构场效应晶体管及制备法
630、一种用于火花塞绝缘体的氧化铝陶瓷
631、复合氧化铝绝缘体火花塞及其制造方法
632、一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法
633、一种金属-铁电体-绝缘体-半导体结构的制备方法
634、半绝缘体上硅半导体器件及其制造方法
635、一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法
636、在绝缘体表面形成金属图案的方法
637、精加工绝缘体上半导体型衬底的方法
638、绝缘体上半导体金属结构、形成此些结构的方法及包含此些结构的半导体装置
639、一种抗闩锁N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管
640、一种抗闩锁N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管
641、阱注入方法、绝缘体上硅器件制造方法和绝缘体上硅器件
642、电绝缘体系
643、提高绝缘体击穿电压失效分析效率的测试结构及使用方法
644、具有嵌套式绝缘体的连接组合件
645、一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法
646、陶瓷绝缘体及其使用和制造方法
647、具有浸渍层状绝缘体的高压直流电缆
648、形成绝缘体上Ⅲ/Ⅴ族上锗结构的方法
649、MIM型电容中绝缘体二氧化硅薄膜的制备方法
650、用于绝缘体型衬底上的半导体的基础衬底的制造方法
651、处理绝缘体上硅晶片的方法
652、一种提高金属-绝缘体-金属电容器可靠性的方法及其工艺结构
653、一种提高金属-绝缘体-金属电容器介电质质量的方法
654、一种基于绝缘体上硅的高压隔离结构
655、用于处理绝缘体上半导体结构的工艺
656、一种绝缘体上半导体及其制备方法
657、一种提高金属-绝缘体-金属电容器介电质质量的方法
658、用作绝缘体的超材料
659、配置用于减少的谐波的绝缘体上硅(SOI)结构、设计结构和方法
660、真空压力浸渍绝缘体系低阻防晕材料的制备方法
661、多层金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法
662、SOI(绝缘体上硅)结构的半导体装置及其制造方法
663、多层金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法
664、一种绝缘体安装簧片
665、使电损耗减小的绝缘体上半导体型结构的制造方法及相应的结构
666、绝缘体
667、一种绝缘体结构形成的绝缘轴承
668、具有张应变的绝缘体上锗薄膜的制备方法
669、金属-多层绝缘体-金属电容器及其制造方法、集成电路
670、金属-多层绝缘体-金属电容器及其制造方法、集成电路
671、一种基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法
672、一种绝缘体上锗衬底的制备方法
673、一种MIM型电容中绝缘体二氧化硅薄膜的制备方法
674、控制绝缘体上半导体型结构中应力分布的方法及对应结构
675、一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构
676、在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器
677、绝缘体上锗硅混合型衬底的制备方法
678、改进导体及绝缘体结构的高导节能电缆及其制造方法
679、一种无硅钢片芯的绝缘体结构发电机
680、具有增强的迁移率沟道的混合双BOX背栅绝缘体上硅晶片
681、用于铁轨紧固夹及其相关产品的绝缘体
682、具有背侧体区连接的绝缘体上半导体
683、形成绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构的方法及形成结构
684、防火弹性绝缘体
685、一种绝缘体上硅材料的制备方法
686、绝缘体上的半导体和使用阳极连接工艺中的温度梯度来形成该半导体的方法
687、具有背侧支撑层的绝缘体上半导体
688、一种基于绝缘体上硅的PMOS辐射剂量计
689、一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管
690、具有背侧散热的绝缘体上半导体
691、在电机的定子的槽中插入绝缘体和线圈的插入系统和方法
692、防雹弹绝缘体弹壳
693、具有局部的极薄绝缘体上硅沟道区的半导体器件
694、电晕尖端绝缘体
695、低成本金属-绝缘体-金属电容器
696、绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构及形成方法
697、用于电绝缘体的被二嵌段共聚物改性的纳米粒子-聚合物纳米复合物
698、绝缘体系定子线棒高导热绝缘结构
699、一种N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件
700、绝缘体上宽禁带材料CMOS结构及其制备方法
701、一种N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管
702、绝缘体上宽禁带材料CMOS结构及其制备方法
703、绝缘体上宽禁带材料CMOS结构及其制备方法
704、金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法
705、金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法
706、一种绝缘体上锗衬底的减薄方法
707、金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法
708、金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法
709、使绝缘体上硅衬底减薄的方法
710、带有电绝缘体的轴承环以及用于其制造的方法
711、焊盘、具有焊盘的绝缘体上硅器件
712、干式变压器蜂窝状环氧树脂绝缘体
713、火花塞用绝缘体和火花塞的制造方法
714、一种绝缘体上硅场效应晶体管热阻提取方法
715、绝缘体用的铸模树脂体系
716、绝缘体上硅器件
717、用于金属-氧化物-金属电容器的高电容绝缘体的选择性制造
718、绝缘体上硅结构及其制造方法、半导体器件
719、电绝缘体
720、具有用于备用、停放或预加载位置和安装、加载或最终位置的两个稳定位置的铁路夹子绝缘体
721、绝缘体上硅SOI型的基板的修整方法
722、玻璃-陶瓷基绝缘体上半导体结构及其制造方法
723、分解绝缘体上半导体型结构的外周环中的氧化物层的方法
724、用于处理绝缘体上硅结构的方法
725、用于制备缆线绝缘体的多相聚合物组合物
726、“绝缘体上半导体”型衬底的支撑衬底的测试方法
727、双层BOX背栅极绝缘体上硅晶片的低成本制造
728、一种绝缘体上硅基的波导光栅耦合器及其制备方法
729、绝缘体上硅MOS晶体管结构
730、一种母线连接器绝缘体
731、绝缘体上的硅衬底制作工艺及绝缘体上的硅器件制作工艺
732、绝缘体上的硅衬底结构及器件
733、一种绝缘体上硅二极管器件及其制造方法
734、一种基于电子隧穿的围栅型栅控金属-绝缘体器件
735、包含绝缘体上硅结构体中的场效应晶体管的半导体器件
736、使用热电模块的建筑用热绝缘体
737、一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法
738、金属-绝缘体-半导体隧穿接触
739、一种基于金属-绝缘体-半导体结构的量子效应器件
740、基于电子隧穿的围栅型栅控金属-绝缘体器件
741、一种绝缘体上锗衬底的制备方法
742、一种基于电子隧穿的栅控金属-绝缘体器件
743、金属-绝缘体-金属电容器
744、形成于绝缘体上硅中的自隔离式高压半桥结构
745、绝缘体插装型等离子体处理装置
746、一种绝缘体上锗衬底的制备方法
747、基于绝缘体上硅的电子式熔线的制造方法
748、使用定向剥落在绝缘体结构上形成半导体的方法和装置
749、玻璃-陶瓷基绝缘体上半导体结构及其制造方法
750、使用定向剥落在绝缘体结构上形成半导体的方法和装置
751、能使位错移位的制造和处理绝缘体上半导体型结构体的方法及相应结构体
752、用于充液变压器的聚酰胺电绝缘体
753、尤其基于铝氧化物的陶瓷绝缘体及其制造方法
754、用于实现导电棒周围的绝缘体的方法
755、带有绝缘体填充的阱结构的封装基板及其制造方法
756、绝缘体上硅衬底上的静态随机存取存储器及制作方法
757、绝缘体上硅器件及其制造方法
758、汽车用前隔板绝缘体及其制造方法
759、用于跟踪旋转机器中的绝缘体的劣化的方法和装置
760、金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法
761、用于磁导线的自我修复的绝缘体
762、绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法
763、采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法
764、在绝缘体上半导体型结构中局部溶解氧化物层的方法
765、用于浸渍线棒的高压绝缘体的方法
766、用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法
767、一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器
768、测试体、测试装置、用于制造测试体的方法和用于在干燥期间确定功率变换器的绝缘体的湿气含量的方法
769、一种拓扑绝缘体材料及其制备方法
770、多胶模压绝缘体系定子线棒高导热绝缘结构
771、陶瓷火花塞绝缘体及其制造方法
772、用于运行具有扭转振动绝缘体的驱动装置的方法
773、具有柔韧的绝缘体的高压仪用互感器
774、绝缘体电气性能检测装置
775、电气开关设备和确定另一设备或多个绝缘体的热年龄的保护设备
776、一种拓扑绝缘体材料及其制备方法
777、确定在电感操作的元件的两个物体之间提供的绝缘体中的退化绝缘能力
778、绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管
779、绝缘体上硅的缓变阶梯型波导光栅耦合器及制作方法
780、基于绝缘体上硅的双极结型晶体管及其制造方法
781、绝缘体上硅的波导光栅耦合器及其制作方法
782、沟槽形栅极的金属-绝缘体-硅器件的结构和制造方法
783、高压绝缘体和使用所述绝缘体的高压电力线
784、具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片及其制成方法
785、一种提高电流密度的P型绝缘体上硅横向器件及其制备工艺
786、一种绝缘体上硅可集成大电流P型组合半导体器件
787、一种提高电流密度的N型绝缘体上硅横向器件及其制备工艺
788、一种提高电流密度的绝缘体上硅P型半导体组合器件
789、一种提高电流密度的绝缘体上硅N型半导体组合器件
790、一种绝缘体上硅可集成大电流N型组合半导体器件
791、基于绝缘体上硅平板显示器驱动芯片及其制备方法
792、用于防止金属绝缘体相变装置的自发热的电路和用于制作该电路的集成装置的方法
793、台阶式顶层单晶硅的绝缘体上硅衬底硅片的加工方法
794、金属-绝缘体-金属电容器的制造方法
795、包括金属绝缘体转变装置的高电流控制电路、以及包括该高电流控制电路的系统
796、利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法
797、一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法
798、具有发泡绝缘体的电线电缆
799、石油测井仪器专用复合绝缘体组合物及制备方法
800、制造绝缘体上半导体型衬底的方法
801、电机的导体单元的绝缘体的改进制造方法
802、一种绝缘体上应变硅制备方法
803、一种氧离子注入制备绝缘体上硅材料的方法
804、马达的绝缘体结构和马达集成泵
805、用于使用金属绝缘体转变装置来控制晶体管的辐射热的方法和电路
806、一种绝缘体上锗硅和应变硅材料的制备方法
807、绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管
808、金属/绝缘体类纳米颗粒材料和薄膜磁传感器
809、用于形成绝缘体上半导体器件的改进衬底组合物和方法
810、一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法
811、贴面的纤维绝缘体
812、绝缘体、电动机和压缩机
813、电绝缘体系
814、用于SOFC系统的绝缘体
815、绝缘体上硅深硅槽隔离结构的制备工艺
816、SOI(绝缘体上硅)结构的半导体装置及其制造方法
817、在体半导体晶片中制造局域化绝缘体上半导体(SOI)结构的方法
818、用于片上系统技术的金属-绝缘体-金属结构
819、集成型绝缘体密封与屏蔽组合件
820、金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法
821、聚合物混凝土电绝缘体系
822、6KV、10KV互感器一次线包绝缘体生产技术
823、具有提高的电击穿强度的电绝缘体系
824、一种绝缘体上的硅基光栅耦合器及其制作方法
825、一种基于绝缘体上硅工艺的CMOS环形振荡器
826、火花塞用绝缘体及其制造方法、以及火花塞
827、金属-绝缘体-金属电容结构及其制作方法
828、制造硅绝缘体晶圆的单晶圆植入机
829、绝缘体上硅纳米光子器件的硅化物热学加热器
830、金属-绝缘体-金属电容结构及其制造方法
831、结构为金属-绝缘体-金属的电容器制造方法
832、耐腐蚀气体的高温承压复合绝缘体组合物及制备方法
833、绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管及工艺制造方法
834、体接触的混合表面绝缘体上半导体结构及其方法
835、绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体管及制备方法
836、一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上应变硅材料的方法
837、氧化硅薄膜及金属-绝缘体-金属型电容的形成方法
838、使用保形绝缘体层形成互补金属元件
839、用于火花塞绝缘体的具有改善的高温电性能的陶瓷
840、一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上锗材料的方法
841、一种基于绝缘体上硅工艺的CMOS射频开关
842、绝缘体上硅的横向P型双扩散金属氧化物半导体管
843、绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管
844、绝缘体上硅的深槽隔离结构刻蚀及填充方法
845、绝缘体上硅的深槽隔离结构的填充方法
846、三端金属-绝缘体转变开关、包括该转变开关的开关系统和控制该转变开关的金属-绝缘体转变的方法
847、防止离子注入机中因三重接面击穿的不稳定的高压绝缘体
848、垂直电流受控绝缘体上硅(SOI)器件及其形成方法
849、铝层的生长方法及金属-绝缘体-金属板
850、一种可擦写的金属-绝缘体-硅电容器结构
851、含Si膜的沉积方法,绝缘体膜,和半导体器件
852、采用突变金属-绝缘体转变半导体材料的二端子半导体器件
853、制造降低了SECCO缺陷密度的绝缘体上半导体衬底的方法
854、定子用绝缘体和具有该绝缘体的旋转变压器的定子
855、制造绝缘体上硅衬底和半导体器件的方法
856、绝缘体的硅材料上加工极限纳米图形的电子束曝光方法
857、火花塞绝缘体的弯曲检查装置、火花塞绝缘体的弯曲检查方法和火花塞绝缘体的制造方法
858、具有引线约束护耳的端匝相间绝缘体以及在电动装置上约束引线的方法
859、绝缘体材料及其制造方法
860、绝缘体移位接触件和接触设备
861、金属-绝缘体-金属(MIM)装置及其制备方法
862、具有多层隧道绝缘体的存储器单元晶体管及存储器器件
863、一种绝缘体上硅器件及其制备方法
864、采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法
865、非晶绝缘体膜和薄膜晶体管
866、小型密封耐高压连接器及用于该连接器的分体式绝缘体
867、制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法
868、N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
869、P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
870、一种纳米绝缘体上硅结构材料及其制作方法
871、绝缘体上硅材料的平板显示器驱动芯片及制备方法
872、P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
873、N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
874、绝缘体上硅器件及其制造方法
875、用于母线连接器的绝缘体和母线连接器
876、一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构
877、用于电缆绝缘体移位连接的金属端子
878、制造绝缘体上半导体结构的方法
879、火花塞用绝缘体和火花塞的制造方法
880、绝缘体上硅晶片的制造方法
881、在绝缘体上提供纳米级、高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法
882、半导体器件、金属-绝缘体-金属电容及其制造方法
883、气体绝缘体、电弧隔板组件以及使用该组件的电开关装置
884、具有改善尺寸可缩放性的金属镶嵌式金属-绝缘体-金属器件
885、火花塞用绝缘体和火花塞的制造方法
886、用于制作用于高质量金属-绝缘体-金属电容器的导板的方法
887、连续测量金属-绝缘体转变元件的突变的金属绝缘体转变的电路以及利用此电路的金属-绝缘体转变传感器
888、互补型绝缘体上硅(SOI)结式场效应晶体管及其制造方法
889、具有在绝缘体上硅或体硅中构建的背栅极的结场效应晶体管
890、具有易碎绝缘体护罩的电力电缆
891、绝缘体上硅器件及其制造方法
892、析气绝缘体组件、导体组件和使用该导体组件的电气开关装置
893、P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
894、高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管
895、高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管
896、N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
897、使用突变式金属 -绝缘体转变装置的可编程金属 -绝缘体转变传感器、以及包括该金属 -绝缘体转变传感器的报警装置和蓄电池防爆电路
898、制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法
899、形成绝缘体上半导体结构的方法
900、AlN/GaN增强型金属-绝缘体-半导体场效应晶体管及其制作方法
901、多晶硅-绝缘体-多晶硅电容结构
902、基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计
903、改良的金属-绝缘体-金属电容器
904、使用辐照退火制造的绝缘体上半导体结构
905、一种绝缘体上的硅基槽缝式光波导耦合器及其制作方法
906、绝缘体以及旋转电机
907、一种具有倾斜表面漂移区的绝缘体上硅横向功率晶体管
908、改进的部分耗尽绝缘体上硅静态随机存储器存储单元
909、在集成电路绝缘体上应变硅中通过布局优化的选择性单轴应力弛豫
910、改进的薄化法制造的玻璃绝缘体上的半导体
911、具有绝缘体上半导体结构和超晶格的半导体器件及相关方法
912、高容量火花塞的金属绝缘体涂层
913、在绝缘体随机存取存储器上的单一晶体管存储单元
914、具有固定铁芯槽孔绝缘体的转动电机的定子
915、具有并联导电层的突变金属-绝缘体转变装置
916、用于形成金属绝缘体金属电容器的方法和结构
917、减少绝缘体上导电体的静电放电的方法
918、制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法
919、具有正面衬底接触的绝缘体上半导体器件的制造方法
920、用于形成绝缘体上半导体(SOI)体接触器件的方法和设备
921、金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法
922、金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法
923、沟槽形栅极的金属-绝缘体-硅器件的结构和制造方法
924、基于绝缘体上硅结构的连续流细胞电融合芯片及其加工工艺
925、绝缘体上的硅衬底的制备方法
926、绝缘体上锗硅衬底的制备方法
927、一种基于绝缘体上硅结构的细胞分离微芯片
928、镁橄榄石粉末的制造方法、镁橄榄石粉末、镁橄榄石烧结体、绝缘体陶瓷组合物以及层叠陶瓷电子器件
929、使用硅氧烷组合物自动涂覆电气绝缘体的方法和装置
930、含发泡的聚烯烃绝缘体的电缆及其制造方法
931、金属绝缘体金属电容器及其制造方法
932、制造金属-绝缘体-金属电容器的方法
933、对绝缘体上半导体结构进行抛光的方法
934、绝缘体上硅中的源极和漏极的形成
935、火花塞绝缘体的测试方法和设备
936、利用金属绝缘体突变的温度传感器和具有该温度传感器的警报器
937、用于激光加工机的传感器装置的绝缘体
938、绝缘体上硅基三维楔形模斑转换器及其制备方法
939、金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法
940、绝缘体上应变硅结构的制造方法
941、相间绝缘体
942、突变金属-绝缘体转变晶片、该晶片的热处理设备与方法
943、突变金属 -绝缘体转变装置、使用该突变金属 -绝缘体转变装置的高压噪声消除电路、和包含该电路的电气和/或电子系统
944、具有相间绝缘体的定子
945、具有绝缘体上半导体(SOI)构造且在薄半导体层上包含超晶格的半导体器件及相关方法
946、一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法
947、在应变硅层中具有提高的结晶度的应变绝缘体上硅(SSOI)结构
948、用于绝缘体的电缆固定装置
949、硅硅键合的绝缘体上硅的高温压力传感器芯片及制作方法
950、线圈绝缘体、由线圈绝缘体绝缘的电枢线圈和具有电枢线圈的电动旋转电机
951、制造绝缘体上半导体型异质结构的方法
952、采用突跃金属-绝缘体变换的存储器件及其操作方法
953、具有沉积阻挡层的玻璃绝缘体上的半导体
954、减小厚绝缘体层的粗糙度的方法
955、用于中压开关设备的绝缘体
956、用于评价绝缘体中的扩散和泄漏电流的测试方法
957、两侧绝缘体上半导体结构及其制造方法
958、一种实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法
959、应力绝缘体上硅场效应晶体管及其制作方法
960、以键合减薄制备绝缘体上硅的方法
961、用于生产中高压电缆配件的两件或三件式绝缘体系统
962、绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法
963、用于绝缘体上的硅槽刻蚀方法
964、半导体衬底及制备方法和在绝缘体上的硅与外延中的应用
965、绝缘体上硅背腐蚀全反射的垂直耦合结构及制作方法
966、金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法
967、集成电路中“金属-绝缘体-金属”电容器结构及其制造方法
968、提高散热性的绝缘体上硅器件及其制造方法
969、一种电缆主绝缘体水树现象起始点的测试方法
970、绝缘体上半导体装置的制造方法
971、接触件圆周均布型电连接器绝缘体变键位角度的确定方法
972、用交叉电容的发电机定子绕组绝缘体吸水测试装置和方法
973、石油测井仪器专用高温承压复合材料绝缘体的制备方法
974、具有自对准气隙绝缘体的电阻随机存取存储器的制造方法
975、利用回蚀制造的金属-绝缘体-金属电容器
976、贴面的纤维绝缘体
977、使用突变金属-绝缘体转变装置保护电和/或电子系统的电路以及包括该电路的电和/或电子系统
978、一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的制作方法
979、绝缘体上硅FET及其方法
980、金属-绝缘体-金属电容器及制造方法
981、体约束的绝缘体上硅半导体器件及其制造方法
982、绝缘体整合装置
983、绝缘体整合装置
984、绝缘体上硅(SOI)结构中的光的主动操控
985、一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法
986、导线和电缆绝缘体
987、金属-绝缘体转换开关晶体管及其制造方法
988、陶瓷绝缘体珠和铰接热偶组件
989、石油测井仪器专用非金属复合材料绝缘体与金属体的粘接方法
990、一种高击穿电压绝缘体上硅器件结构及其制备方法
991、通过阳极化埋置p+硅锗层获得的应变绝缘体上硅
992、包含纳米复合材料绝缘体的相变存储单元
993、用于MEMS微机械加工的多层绝缘体上的硅材料及方法
994、绝缘体上半导体(SOI)结构及其制造方法
995、制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底
996、绝缘体上硅及其制备工艺
997、包含高应变玻璃/玻璃-陶瓷的绝缘体上半导体结构
998、电能表互感器穿芯棒绝缘体的制造方法
999、具有超顺电性栅极绝缘体的半导体器件
1000、绝缘体上有硅的结构及其制造方法
1001、采用突变金属-绝缘体转变层的装置及其制造方法
1002、使用带绝缘体层和导电迹线的基底板的调压器及方法
1003、高电流离子植入系统及其中的改良装置和绝缘体
1004、改进的高速数据传输电缆所使用的绝缘体
1005、用于制造深结绝缘体上硅晶体管的方法
1006、金属-绝缘体-金属结构及其形成方法
1007、用于绝缘体上硅(SOI)技术的电可编程熔丝
1008、特别是用于中压和高压的电绝缘体
1009、图案化有机材料以同时形成绝缘体和半导体的方法以及由此制成的器件
1010、用于等离子室内的氧化钇绝缘体环
1011、高导热性绝缘体及其制造方法
1012、用于制造具有蚀刻终止层的绝缘体上硅(SOI)晶片的方法
1013、应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法
1014、具有不同晶向硅层的绝缘体上硅半导体装置以及形成该绝缘体上硅半导体装置的方法
1015、绝缘体上半导体衬底和器件及其形成方法
1016、具有绝缘体覆膜层载持电极的气体激励装置及气体激励方法
1017、具有集成的电阻、自动的高压偏转电极定位器和特别的绝缘体的高电压臂组件
1018、绝缘体以及用于隔离相母线传送管的绝缘支承系统
1019、高电压绝缘体上硅晶体管及其制造方法
1020、有机绝缘体组合物、有机绝缘膜、有机薄膜晶体管和电子设备以及形成这些产品的方法
1021、使用晶片键合技术制造无缺陷高Ge含量(25%)绝缘体上SIGE(SGOI)衬底的方法
1022、应变绝缘体上半导体材料及制造方法
1023、金属-绝缘体变容管器件
1024、绝缘体上半导体的衬底以及由该衬底所形成的半导体装置
1025、包括金属绝缘体金属电容器的集成电路及其制造方法
1026、金属-绝缘体-金属电容结构及其制造方法
1027、同轴连接器、用于此类同轴连接器的插头、绝缘体及主体、所述同轴连接器的装配方法和公连接器
1028、使用绝缘体上硅晶片制造晶体管的方法
1029、金属-绝缘体-金属电容器
1030、用于在绝缘套管或支座的绝缘体内的电容分压抽头的耦合电极
1031、包括横向晶闸管和俘获层的硅绝缘体读写非易失性存储器
1032、PTC加热器用绝缘体
1033、配备转向绝缘体的同轴连接器
1034、在绝缘体半导体器件上的半导体及其制造方法
1035、一种高密度可擦写的金属-绝缘体-硅电容器结构
1036、通过氧化掩埋多孔硅层形成绝缘体上硅锗结构
1037、使用硬掩膜金属绝缘体金属电容器的形成
1038、在具有硅锗缓冲层的绝缘体上形成应变Si/SiGe的方法
1039、具有金属绝缘体转换膜电阻器的半导体存储器件
1040、平面超薄绝缘体上半导体沟道MOSFET及其制造方法
1041、具有含玻璃纤维的绝缘体的电机转子
1042、半导体器件及改善体接触绝缘体上硅(SOI)场效应晶体管的方法
1043、用于与高速CMOS兼容的绝缘体上Ge光电探测器的结构及其制造方法
1044、金属-绝缘体-半导体器件的制造方法
1045、采用局部绝缘体上半导体制作半导体器件的方法
1046、形成金属-绝缘体-金属电容器的方法及所形成器件
1047、制作应变绝缘体上硅结构的方法及用此方法形成的绝缘体上硅结构
1048、通过多孔硅技术形成构图的绝缘体上硅/悬空硅复合结构
1049、在直流(DC)源/漏区下面具有氧化物孔的区别性的绝缘体上硅(SOI)
1050、具有空气通道的糊料挤压绝缘体
1051、加热器组件的绝缘体及固定板设置结构
1052、用于火花塞绝缘体的具有改善的高温电性能的陶瓷
1053、绝缘体
1054、制造绝缘体上应变半导体衬底的方法
1055、干燥加热器的绝缘体固定结构
1056、加热装置的绝缘体设置结构
1057、等离子显示面板的绝缘体用绿色薄片及面板制造方法
1058、绝缘体上硅晶片的成形绝缘层及其制造方法
1059、绝缘体上硅锗(SGOI)和绝缘体上锗(GOI)衬底的制造方法
1060、高压电绝缘性聚硅氧烷橡胶组合物和高压电绝缘体
1061、利用双掩埋氧化物绝缘体上硅晶片的嵌入硅锗及其形成方法
1062、包括金属绝缘体转换材料的晶体管及其制造方法
1063、一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法
1064、高性能金属/绝缘体/金属结构的电容器及其制备方法
1065、在固态照明系统中用于色温控制的硅绝缘体光电二极管光学监测系统
1066、有机绝缘体、包含它的有机薄膜晶体管阵列面板及其制法
1067、连接器绝缘体
1068、绝缘体上应变硅的单栅极和双栅极MOSFET及其形成方法
1069、抗高温应力的应力绝缘体上半导体结构
1070、利用自对准后栅极控制前栅极绝缘体上硅MOSFET的器件阈值
1071、绝缘体陶瓷组合物、绝缘性陶瓷烧结体及层叠型陶瓷电子部件
1072、微波共振器及具有该类型共振器的纺织机械和绝缘体
1073、金属绝缘体半导体晶体管和互补金属氧化物半导体晶体管
1074、镶嵌式金属绝缘体金属电容结构与自对准氧化工艺
1075、绝缘体上硅器件
1076、在绝缘体上硅的硅片上纳米宽度谐振结构及其制作方法
1077、形成构图的绝缘体上硅衬底的方法
1078、具有包含超高离模膨胀率聚合材料的发泡塑料绝缘体的电缆
1079、包括金属-绝缘体-金属电容器排列的半导体器件
1080、配备绝缘体的电动机定子
1081、抗辐射加固的特殊体接触绝缘体上硅场效应晶体管及制备方法
1082、制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法
1083、绝缘体上覆锗型晶片的制造方法
1084、硅或含硅材料中的超薄掩埋绝缘体
1085、用于硅绝缘体技术上的静电放电(ESD)保护的低电压可控硅整流器(SCR)
1086、半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合金属-绝缘体-金属电容器
1087、采用绝缘体-半导体转换材料层作为沟道材料的场效应晶体管及其制造方法
1088、基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法
1089、使用具有绝缘体覆层的磁性金属条带的磁性装置
1090、一种基于绝缘体上硅片的应力传感器芯片
1091、一种绝缘体上硅的制作方法
1092、用于聚合物绝缘体的森林火灾模拟试验装置
1093、一种绝缘体上硅的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法
1094、具有注入漏极漂移区和厚底部氧化物的沟槽金属-绝缘体-半导体器件及其制造方法
1095、应变绝缘体上硅(SSOI)及其形成方法
1096、绝缘体、电枢及旋转电动机
1097、采用突变金属-绝缘体转变半导体材料的二端子半导体器件
1098、形成金属-绝缘体-金属电容器的方法及其形成的电容器
1099、真空热绝缘体及其制造方法,以及使用该真空热绝缘体的身体保暖物和个人计算机
1100、在拉伸应变绝缘体上SiGe上的应变SiMOSFET
1101、通过离子注入和热退火获得的在Si或绝缘体上硅衬底上的弛豫SiGe层
1102、具源极穿孔绝缘体硅基板上金氧半导体晶体管
1103、绝缘体硅射频集成电路的集成结构及制作方法
1104、用于浸渍电机的绕组线棒的绝缘体的装置
1105、贴合绝缘体基外延硅基片及其制造方法与半导体装置
1106、一种绝缘体上硅的电学参数的表征方法
1107、双镶嵌结构中的金属-绝缘体-金属电容结构及制造方法
1108、一种制造硅绝缘体衬底结构的方法
1109、绝缘体上半导体装置和方法
1110、金属-绝缘体-金属电容器之电极的制造方法
1111、位于绝缘体上硅结构衬底上的相变存储器单元
1112、部分耗尽硅基绝缘体器件结构的自对准主体结
1113、具有重组区域的绝缘体上硅场效应晶体管及形成该场效应晶体管的方法
1114、具有应变模的绝缘体上硅装置及用于形成应变模的方法
1115、基于硅锗/硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法
1116、改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺
1117、使用通过加热的化学反应和扩散制造化合物半导体和化合物绝缘体的方法、使用该方法制造的化合物半导体和化合物绝缘体、以及使用该化合物半导体和化合物绝缘体的光电池、电子电路、晶体管和储存器
1118、绝缘体制品的镀敷方法
1119、电绝缘体和电子器件
1120、绝缘体上硅集成电路上的集成LED驱动电子线路
1121、金属绝缘体金属电容器
1122、热固型光学用粘合剂、使用该粘合剂的光学绝缘体元件及光学绝缘体
1123、耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件
1124、生产具有半导体或绝缘体的金属复合团簇的方法及装置
1125、用于将铜与金属-绝缘体-金属电容器结合的方法和结构
1126、增加金属-绝缘体-金属电容器的单位面积电容密度的方法
1127、一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其制作方法
1128、具有金属-绝缘体-金属电容器的半导体器件及制造方法
1129、金属-绝缘体-金属电容结构及其制法
1130、形成金属-绝缘体-金属电容的方法
1131、堆叠式金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法
1132、偏置型三阱完全耗尽绝缘体上硅(SOI)结构及其制造和运用的各种方法
1133、形成于绝缘体上硅结构上并具有减小的上电漂移的传感器
1134、包括突然金属-绝缘体相变器件的电流跳变控制电路
1135、制备用于应变SiCMOS应用中的高质量弛豫的绝缘体上SiGe的方法
1136、绝缘体上半导体沟道结构
1137、用于制造有机绝缘体的组合物
1138、包含金属-绝缘体-金属电容器之集成半导体产品
1139、具金属-绝缘体-金属电容器之集成半导体产品
1140、制作亚稳绝缘体上SIGE衬底材料的方法及衬底材料
1141、电机的转子用绝缘体
1142、金属-绝缘体-金属电容器及互连结构
1143、基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备方法
1144、硅绝缘体基片、半导体基片及它们的制造方法
1145、包含多层栅绝缘体的有机薄膜晶体管
1146、绝缘体上SiGe衬底材料的制作方法及衬底材料
1147、提高散热性的绝缘体上硅器件及其制造方法
1148、形成绝缘体上硅锗衬底材料的方法、衬底材料及异质结构
1149、硅绝缘体晶片及其制造方法
1150、用于电枢的绝缘体
1151、金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构及其制作方法
1152、铜制金属-绝缘体-金属电容器
1153、双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途
1154、绝缘体上硅高压器件结构
1155、降低硅或绝缘体上的硅材料光波导损耗的方法
1156、在绝缘体上硅基底上形成腔结构的方法和形成在绝缘体上硅基底上的腔结构
1157、局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法
1158、绝缘体上硅的衬底上混合结构栅介质材料的制备方法
1159、具烘干功能的洗衣机用电热器的绝缘体
1160、自对准双侧面垂直金属-绝缘体-金属电容
1161、具有电流控制电阻效应的掺杂半导体/绝缘体/半导体材料
1162、螺旋式绝缘体外裙
1163、在绝缘体上制造应变结晶层的方法和半导体结构及得到的半导体结构
1164、一种制备绝缘体上硅结构的方法
1165、绝缘体上外延硅(SOI)沟槽光电二极管及其形成方法
1166、在绝缘体上的外延半导体结构和器件
1167、通过离子注入产生具有本征吸除的绝缘体衬底硅结构的方法
1168、一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法
1169、绝缘体上半导体芯片及其制造方法
1170、生产硅绝缘体材料的方法
1171、一种电绝缘体
1172、绝缘体上硅衬底和半导体集成电路器件
1173、在同一层次处制造金属绝缘体金属电容器和电阻器的方法
1174、一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法
1175、电机的中间绝缘体及其插入方法
1176、包括金属-绝缘体-金属电容器的集成电路装置和半导体装置
1177、具有硅绝缘体区域和体区域的半导体装置及其制造方法
1178、弛豫、低缺陷绝缘体上SiGe及其制造方法
1179、具有带部分导电的绝缘体的聚焦荫罩的阴极射线管
1180、形成绝缘体上的应变硅(SSOI)的方法及其形成的结构
1181、低消耗功率金属-绝缘体-半导体半导体装置
1182、制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底
1183、用于加热器装置的改进绝缘体支撑结构
1184、电绝缘体、材料和设备
1185、绝缘体上缓和SiGe层的制备
1186、集成的金属-绝缘体-金属电容器和金属栅晶体管及方法
1187、形成在硅在绝缘体上的衬底上的静态随机存取存储器
1188、在硅绝缘体基底上制造双载子互补式金氧半导体的方法
1189、作为在半导体器件中的层内和层间绝缘体的超低介电常数材料及其制造方法、以及包含该材料的电子器件
1190、图样化的埋入绝缘体
1191、电加热器用绝缘体及洗衣机中具有该绝缘体的加热装置
1192、含绝缘体的半导体装置及其制造方法
1193、电加热器的绝缘体
1194、电加热器的绝缘体装配结构
1195、具有改进开关特性的硅上绝缘体LD金属氧化物半导体结构
1196、具有安全插头的门绝缘体
1197、在绝缘体上硅材料基板上制作上接触插塞的方法
1198、接头的接触部分的运动由绝缘体引导的连接器
1199、在具有双层位线的硅绝缘体(SOI)衬底上构造的DRAM
1200、具有部分绝缘体基或部分空洞基外延硅构造的半导体器件
1201、利用热喷射法生产旋转电机的电导体或导线束的高质量绝缘体的方法
1202、埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底的制作方法和制作装置
1203、绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法
1204、降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法
1205、准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法
1206、选择外延法制造源漏在绝缘体上的场效应晶体管
1207、用于制备高压复合绝缘体的方法,高压绝缘体以及在此方法中使用的塑料,和制备非圆柱形结构构件的方法
1208、剂量-能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料
1209、采用氨中退火来建立超薄栅极绝缘体的方法
1210、钢化玻璃多层伞悬式绝缘子的绝缘体的制造方法
1211、硅锗/绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法
1212、用于可编程逻辑设备中绝缘体外延硅晶体管的设备和方法
1213、用于浸渍电机的绕组线棒的绝缘体的装置
1214、场增强金属绝缘体-半导体/金属绝缘体-金属电子发射器
1215、金属-绝缘体-金属电容器及其制作方法
1216、超薄绝缘体基外延硅金属氧化物半导体晶体管的阈值电压调节方法
1217、电绝缘体套的野生生物防护装置
1218、旋转电机中电枢的绝缘体
1219、电机中电枢的绝缘体
1220、具有金属-绝缘体-金属电容器的集成元件
1221、金属-绝缘体-金属电容器制造方法
1222、电加热器中电阻线圈和绝缘体的支承装置
1223、用硅绝缘体(SOI)基片上的应变Si/SiGe层的迁移率增强的NMOS和PMOS晶体管
1224、一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及制备方法
1225、泌尿科用具有绝缘体的切除镜
1226、双绝缘埋层绝缘体上硅基二维光子晶体波导及制备方法
1227、一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘体上硅的方法
1228、用于制造瓷的方法、瓷和由该瓷制成的陶瓷绝缘体
1229、全耗尽型集电极硅绝缘体双极晶体管
1230、金属-绝缘体-半导体场效应晶体管
1231、一种以α-Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>为绝缘体材料的高压引入棒
1232、光波导和光纤绝缘体
1233、金属-绝缘体-金属二极管及其制造方法
1234、具有用于固定布线基底的绝缘体的电子装置
1235、具有绝缘体上硅结构的半导体器件及其制造方法
1236、用于绝缘体上硅结构多米诺电路中双极性消除的方法与装置
1237、半导体装置和“绝缘体上的半导体”衬底
1238、具有环状绝缘体的真空开关室
1239、用于通过绝缘体同轴耦合天线和用于放大相邻绝缘体的信号的系统和方法
1240、基于绝缘体上的硅(SOI)材料的全内反射型阵列波导光栅器件及制法
1241、在绝缘体上硅中形成抗熔丝的结构和方法
1242、具有含挤塑聚乙烯组合物的绝缘体系的直流电缆以及此种电缆的制造方法
1243、具有漏极延伸区的横向薄膜硅绝缘体(SOI)PMOS器件
1244、从低缺陷密度的单晶硅上制备硅-绝缘体结构
1245、引入电线用绝缘体
1246、具有栅电极和场板电极的横向薄膜绝缘体上硅器件
1247、硅粉基导热绝缘体
1248、硅绝缘体结构半导体器件
1249、绝缘体陶瓷组合物
1250、具有高介电常数栅绝缘体的ULSIMOS
1251、具有晶体管栅极绝缘体的半导体器件
1252、耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件
1253、用于模拟绝缘体上硅器件的改进方法
1254、带有绝缘体系的直流电缆
1255、介电凝胶组合物、这种介电凝胶组合物的制造方法以及包含用这种介电凝胶组合物浸渍过的绝缘体系的DC-电缆
1256、具有用介电流体浸渍过的绝缘体系的电气设备的制造方法
1257、通过栅形成的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体体接触
1258、制造电绝缘体的方法和装置
1259、稳定绝缘体基半导体器件的方法及绝缘体基半导体器件
1260、绝缘体基外延硅工艺中双重深度氧化层的结构和方法
1261、一种新型快速光电响应材料金属/绝缘体嵌埋团簇膜及制备
1262、用浅沟隔离工艺在绝缘体上硅晶片上集成衬底接触的方法
1263、平面密集构图的绝缘体基硅结构及其制造工艺
1264、带有绝缘体穿透楔体和保护活页的楔形电连接件
1265、绝缘体基硅厚氧结构和制造方法
1266、绝缘体基外延硅寄生双极效应的消除
1267、减小绝缘体基外延硅半导体元件中电场强度的方法和器件
1268、“绝缘体上的硅”结构的半导体装置
1269、火花塞、用于火花塞的氧化铝基绝缘体及用于该绝缘体的生产方法
1270、降低绝缘体上硅晶体管寄生双极电流的方法和装置
1271、绝缘体上的硅高温超高压力传感器的制作方法
1272、可转换的电业横臂绝缘体装置
1273、绝缘体基硅传输门干扰的解决方法
1274、增强雪崩型绝缘体基硅互补金属氧化物半导体器件的设计
1275、带有密封的穿透绝缘体的楔形连接件
1276、“绝缘体上的硅”半导体装置及其制造方法
1277、用于导电轨道的分段绝缘体
1278、用于绝缘体上硅集成电路的掩埋图形的导体层
1279、一种金属-绝缘体-金属开关器件的制法
1280、垂直型金属绝缘体半导体场效应晶体管及其制造方法
1281、插入模制绝缘体的电池接点及其制造方法
1282、以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法
1283、使用局部选择氧化在绝缘体上形成的体硅和应变硅
1284、金属绝缘体半导体类型的半导体器件及其制造方法
1285、金属绝缘体金属或金属绝缘体半导体电子源的结构和制造方法
1286、配有多条固定在绝缘体中带焊接接头的接触道的电缆插塞连接器
1287、亚四分之一微米级硅-绝缘体的MOS场效应晶体管
1288、具有金属-绝缘体-金属电容的半导体器件
1289、具有极化兼容缓冲层的金属绝缘体半导体结构
1290、晶片处理装置、晶片处理方法和绝缘体上硅晶片制造方法
1291、光诱导绝缘体表面金属化方法
1292、具有改进的绝缘图形的绝缘体上硅薄膜衬底
1293、一种用以扩大橡胶绝缘体单元的直径的模架
1294、导电体与绝缘体之间防止变质的氟阻挡层
1295、击穿电压增加的双极绝缘体上硅晶体管
1296、具有浮动集电区的绝缘体上的硅器件
1297、绝缘体上的硅衬底的制造方法及制造设备
1298、复合式绝缘体上硅薄膜基片及其制作方法
1299、绝缘体上硅薄膜晶体管
1300、绝缘体上的硅(SOI)衬底的制造工艺
1301、选色电极的单轴张力聚焦荫罩上形成绝缘体的方法及设备
1302、金属-绝缘体-金属型非线性元件的制造方法、金属-绝缘体-金属型非线性元件及液晶显示装置
1303、绝缘体、带有绝缘体的芯柱底座以及具有这些装置的阴极射线管及其制造方法
1304、利用沟槽平面化方法在绝缘体上键合亚微米硅
1305、绝缘体
1306、具有绝缘体支固外引线的封装电子器件及其制造方法
1307、制造绝缘体上的硅结构的半导体器件的方法
1308、用绝缘体附硅方法制造的动态随机存取存储器及制造方法
1309、带有利用沿绝缘体滑行放电激发装置的避雷针
1310、键合在绝缘体上硅的减薄方法
1311、一种灯头绝缘体材料
1312、实现绝缘体感应电极的处理工艺及其涂料
1313、用于火花塞绝缘体的材料及制造工艺
1314、互补绝缘体外延硅横向绝缘栅整流管
1315、具有混合氧化物绝缘体的二极管
1316、绝缘体结构上的硅互联埋层
1317、带有MIS(金属-绝缘体-半导体)集成电容器的单片集成电路
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