镓生产加工回收提炼提取制造制备工艺技术大全
1 02142450.0 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
2 02141658.3 氮化镓半导体激光器
3 02138167.4 无氧三烷基镓的制备方法
4 02145712.3 单晶氮化镓基板单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法
5 02150783.X 谐振腔增强的n型*化镓远红外探测器的反射镜
6 02156898.7 一种锌镓氧化物陶瓷靶材及其制备方法和应用
7 02111567.2 硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术
8 02113084.1 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法
9 01136893.4 形成镓*，铝镓*激光二极管的非吸收窗口的方法
10 02145468.X 无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器及制备方法
11 01140499.X 混合有机镓源选择区域生长铟镓*磷多量子阱的方法
12 02112310.1 一种外延生长用蓝宝石衬底的镓原子清洗的方法
13 02112311.X 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
14 02112412.4 异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
15 03115421.2 锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法
16 03113769.5 氮化镓晶体的制造方法
17 01810897.0 氮化镓层的制备方法
18 03104233.3 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
19 03117531.7 硫镓银多晶体的制备方法与装置
20 01812915.3 具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法
21 02124452.9 *化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管
22 03118955.5 采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片
23 03110256.5 氮化镓荧光体、其制造方法及使用该荧光体的显示装置
24 02117379.6 磷化铟基磷化铟，铟镓*锑，磷化铟双异质结双极晶体管
25 03112341.4 一种吸附镓专用螯合树脂及制备方法
26 03110199.2 以氮化镓为基底的半导体发光装置
27 03116833.7 铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法
28 02116446.0 高线性度*化镓霍尔器件的制备工艺
29 00818903.X 在含有非氮化镓柱体的基板上制造氮化镓半导体层，并由此制造氮化镓半导体结构的方法
30 02801951.2 氮化镓的块状单结晶的制造方法
31 02801952.0 含镓氮化物块状单结晶在异质基板上的形成法
32 01805116.2 铈和至少一种选自稀土、过渡金属、铝、镓和锆的其它元素的化合物的胶态水分散体及其制备方法和用途
33 02130720.2 铟镓*光电探测器制造的开管锌扩散方法
34 00817182.3 氮化镓层在蓝宝石基体上的悬挂外延生长
35 96116401.8 *化镓表面微波放电钝化膜的自体生长方法
36 96116400.X *化镓及其器件表面钝化保护膜的制备方法
37 95117943.8 *化镓场效应(晶体、管沟道温度测试装置
38 85100163 一种从氧化铝生产的分解母液中提取镓的方法
39 85102460 电解—结晶联合法生产高纯镓
40 85104180 _具有倒台面支承结构的铟镓*磷，铟磷隐埋条形质量输运激光器
41 85103711 强碱性铝酸钠溶液中萃取提镓工艺
42 87100526 镓的回收方法
43 86108965 结晶状镓磷酸盐组合物
44 86104689 多层外延*化镓的双源法和装置
45 87104688 镧系镁混合镓酸盐和使用该镓酸盐单晶的激光器
46 87106967 利用浸渍吸附树脂从拜耳液中提取镓
47 88100243 由三价铥激活的发光镓酸镧和备有它的荧光屏及其阴极射线管
48 88102672 液-液萃取回收镓的方法
49 87102490 高强度弹性电接触钯银铜镓合金
50 88103282 从拜耳液中萃取并提纯镓的方法
51 87101375.4 单温区开管扩镓生产晶闸管工艺
52 87105895.2 镓中杂质元素的分析方法
53 88106935.3 用液体-液体提取法回收镓的方法
54 87101336.3 适用于开管镓扩散石英管的制造工艺
55 88107717.8 磷化镓液相外延方法及装置
56 88107405.5 一种高发光效率的磷化镓外延材料
57 89100435.1 溶解法自氧化铝生产中回收镓
58 88105238.8 镓在硅台面管生产中的应用技术
59 88107844.1 减少磷酸镓压电晶体单元含水量的方法、装置及按此方法生产的晶体单元
60 89104310.1 通过部分凝固提纯镓的方法
61 88104435.0 磷化镓发光二极管电极制备工艺
62 89102308.9 *化镓／磷化铟异质气相外延技术
63 88107424.1 一种从含镓渣中提取镓的方法
64 86104082.1 α-*基环巳氧基-二甲基镓及其类似物的制备方法
65 90109175.8 从碱液中分离镓的方法
66 91100620.6 *化镓衬底上的混合并质外延
67 90106067.4 含镓的铝硅酸盐型催化剂在每分子具有5～7个碳原子的轻馏分的芳构化反应中的应用
68 90106318.5 一种开管铝镓扩散工艺
69 90104454.7 从氧化铝生产过程的循环母液中萃取镓的工艺
70 92108310.6 铟镓*光电探测器
71 92108309.2 铟镓*光电探测器
72 92108671.7 牙体充填镓合金材料
73 92111467.2 低碳链烃芳构化用镓、锌、铂改性HZSM-5催化剂
74 91107486.4 直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
75 93112365.8 铟镓*光电探测器
76 92109781.6 一种从含镓的钒渣中提取镓的方法
77 93114285.7 镓铟*(GaInAs、横向光电晶体管及其集成技术
78 94106935.4 具有欧姆电极的氮化镓系Ⅲ-Ｖ族化合物半导体器件及其制造方法
79 94101005.8 *化镓场效应晶体管沟道温度测试方法
80 95102315.2 含镓和，或铟的硫化*锗玻璃
81 95103418.9 硫化镓玻璃
82 94194481.6 碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
83 96108850.8 一种具有MFI结构含镓沸石的制备方法
84 97114720.5 用于磷化镓发光元件的外延晶片及磷化镓发光元件
85 97118284.1 氮化镓序列的复合半导体发光器件
86 97111270.3 羟基镓酞菁化合物，其制备方法和用这种化合物的电照相感光元件
87 97117796.1 氮化镓晶体的制造方法
88 97122567.2 有关氮化镓的化合物半导体器件及其制造方法
89 96193819.6 带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管
90 97101146.X 一种*化铟、*化镓的化学还原制备方法
91 97129713.4 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
92 97106255.2 垂直温梯法生长铝酸锂和镓酸锂晶体
93 98106924.X 磷化镓绿色发光器件
94 97113250.X 具有相反转化的控制终点和形状记忆效应的镍锰镓合金
95 98106378.0 氮化镓结晶的制造方法
96 98106206.7 氮化镓晶体的制备方法
97 99106909.9 氮化镓单晶衬底及其制造方法
98 97180082.0 基于碱土金属、硫和铝、镓或铟的化合物，其制备方法及其作为发光材料的使用
99 98121590.4 *化镓、磷化镓衬底干处理方法
100 98111554.3 光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓生长方法与装置
101 98107595.9 含镓硅酸盐分子筛催化剂的合成方法
102 98118815.X 具有镧镓硅氧化物单晶基片的声表面波器件
103 98103568.X 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
104 98118311.5 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法
105 98108246.7 具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法
106 97181085.0 粉末或烧结形式的LaMO3型化合物，其中M为铝、镓或铟，其制备方法及其作为氧导......
107 99100087.0 非破坏性定量检测*化镓单晶化学配比的方法
108 99126436.3 通过去除衬底来制备铟铝镓氮光发射器
109 99126434.7 晶片键合的铝镓铟氮结构
110 99107242.1 直径2英寸非掺，111，磷化镓单晶片抛光工艺
111 99117925.0 *化镓单晶衬底及使用该衬底的外延晶片
112 97182076.7 硅酸镧镓晶片及其制备方法
113 98124973.6 *化镓表面清洁方法
114 98811437.2 氮化镓外延层的制造方法
115 99801951.8 用于制造化合物半导体的高纯度镓及其纯化方法和装置
116 99119067.X 一种利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法
117 99119719.4 一种氮化镓单晶的热液生长方法
118 99119773.9 一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法
119 99803400.2 通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构
120 00129633.7 一种制备氮化镓基 LED的新方法
121 00131158.1 氮化镓薄膜制备技术及专用装置
122 01107152.4 一种用低硅铁生产金属镓的工艺及其装置
123 00103907.5 从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法
124 00106194.1 一种非结晶与多晶结构的氮化镓系化合物半导体的成长方法
125 00106264.6 氮化镓化合物半导体制造方法
126 01110203.9 氮化镓陶瓷体的制备方法
127 01112872.0 制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系
128 01113733.9 用于塑封的*化镓芯片钝化方法
129 99807244.3 利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体层
130 00136184.8 镓酸锂晶体的制备方法
131 01126543.4 一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法
132 01131440.0 一种放射性同位素镓－67的制备工艺
133 00126376.5 基于氮化镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体装置及其制造方法
134 01141187.2 磷化镓发光组件的制造方法以及制造装置
135 01140931.2 锌和，或镓促进的多金属氧化物催化剂
136 99813628.X 用横向生长制备氮化镓层
137 00131996.5 氮化铟镓发光二极管
138 00131322.3 氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法
139 01121638.7 羟基镓酞菁化合物，其制备方法和用这种化合物的电照相感光元件
140 01129995.9 一种含镓矿物中镓的提取方法
141 01137373.3 一种控制氮化镓(GaN、极性的方法
142 00136136.8 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法
143 01100889.X 高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法
144 02102460.X 生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
145 02104073.7 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
146 01130301.8 用于超高密度数据存储器件的铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟－镓硫系化物的相变介质
147 01107269.5 从刚玉电弧炉冶炼烟尘中提取金属镓的方法
148 02117329.X 高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法
149 02105907.1 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
150 02105608.0 氮化镓荧光体及其制造方法
151 01116770.X 氮化镓单晶膜的制造方法
152 02113085.X 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法
153 01113572.7 用于中温燃料电池的掺杂镓酸镧－无机盐复合凝聚态电解质
154 200710047333.X 一种镓含量的测定方法
155 200610112889.8 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
156 200610112885.X 一种*化镓PIN二极管及其制作方法
157 200710138204.1 生长氮化镓晶体的方法
158 200710133982.1 一种制造变异势垒氮化镓场效应管的方法
159 200680009593.1 氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件
160 200610152201.9 一种在*化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
161 200710058315.1 直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置
162 200610127867.9 一种氮化镓基场效应管及其制作方法
163 200610113238.0 一种制作氮化镓基激光器管芯的方法
164 200710009645.1 一种镍锰钴镓高温形状记忆合金及其制备方法
165 200710009646.6 一种镍锰铜镓高温形状记忆合金及其制备方法
166 200610127920.5 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
167 200680007694.5 用于生长平坦半极性氮化镓的技术
168 200610096225.7 自剥离氮化镓衬底材料的制备方法
169 200680008040.4 金刚石上的氮化镓发光装置
170 200610140756.1 氮化镓表面低损伤蚀刻
171 200610140757.6 氮化镓HEMT器件表面钝化及提高器件击穿电压的工艺
172 200710046650.X 透红外镓酸盐玻璃
173 200710181938.8 *化镓晶片的激光加工方法
174 200610016182.7 柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其制备方法
175 200710170717.0 平面型铟镓*红外焦平面探测器及制备方法
176 200710171389.6 铟镓*台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法
177 200610114190.5 P型氮化镓电极的制备方法
178 200710193089.8 一种生产4N金属镓的方法
179 200610097597.1 具有低电流集边效应的金属，氮化镓铝，氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法
180 200710031655.5 碱金属镧铋镓酸盐红外光学玻璃及其制备方法
181 200710009956.8 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
182 200710301960.1 从镓酸钠溶液中回收*
183 200710179644.1 一种镓提纯电解废液的净化处理方法
184 200610070381.6 铌酸镓镧系列纳米粉体的制备方法
185 200610144304.0 *化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法
186 200610144305.5 提高氮化镓材料载流子迁移率的方法
187 200710152039.5 从水溶液中沉淀镓
188 200710159612.5 特别用于溅射靶、管状阴极等的制造的基于铜-铟-镓合金的镀膜材料
189 200810055710.9 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
190 200710116122.7 *化镓，铝镓*红外量子阱材料峰值响应波长的检测方法
191 200680021424.X 碳化硅层的制造方法、氮化镓半导体器件以及硅衬底
192 200610165547.2 一种在*化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
193 200610165537.9 铟镓*，铟铝*耦合量子点红外探测器及其制备方法
194 200710114784.0 一种氮化镓基半导体光电器件的制作方法
195 200680023378.7 氧化镓-氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜
196 200680023391.2 氧化镓-氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜
197 200610147975.2 一种碘镓灯
198 200710172703.2 铝镓氮-锆钛酸铅焦平面探测器
199 200610171666.9 *化铟和*化镓的纳米结构及其制作方法
200 200680024176.4 氮化镓基化合物半导体发光器件
201 200710173625.8 钇镓石榴石基陶瓷材料及其制备方法
202 200710172321.X 钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法
203 200710063375.2 高速*化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料
204 200710193582.X 用AlN制作大功率镓*，铝镓*激光器非吸收窗口的方法
205 200710176647.X 一种生长室和氮化镓体材料生长方法
206 200810018941.2 形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法
207 200710173110.8 采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
208 200810033719.X 一种判断氮化镓基发光二级管非辐射复合中心浓度的方法
209 200710062978.0 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
210 200680027937.1 膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法
211 200810006957.1 一种镓铝合金、制备方法及其在制氢领域的应用
212 200680028774.9 氮化镓基化合物半导体发光器件
213 200710195806.0 用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
214 200810009979.3 氮化镓层的制备方法
215 200710173512.8 背照射铟镓*微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺
216 200810052489.1 多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法
217 200710063881.1 在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法
218 200810070780.1 一种氮化镓基外延膜的制备方法
219 200810070781.6 镓极性氮化镓缓冲层的生长方法
220 200710079804.5 制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法
221 200480009773.0 基于碱土金属硫代镓酸盐的高效磷光体
222 200810014780.X 高纯氧化镓的制备方法
223 02235868.4 生长低位错非掺杂半绝缘*化镓单晶的装置
224 02247763.2 铟镓*红外探测器
225 02292589.9 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置
226 02292590.2 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光装置
227 02292591.0 氮化镓基LED的发光装置
228 02291589.3 一种用于*化镓单晶生长的光学测径装置
229 88215651.9 磷化镓发光二极管
230 88216049.4 磷化镓液相外延装置
231 95244685.5 红色发光磷化镓液相外延舟
232 95212760.1 *化镓脑血流量三维成像仪
233 98209986.X 异质面*化镓背场太阳能电池
234 00220020.1 多倍频程*化镓微波单片集成反射型开关
235 00220019.8 多倍频程*化镓微波单片数字、模拟移相器
236 00219705.7 超宽带*化镓单片数字、模拟移相器
237 01217570.6 多倍频程*化镓微波单片集成矢量调制器
238 01214236.0 一种用刚玉炉渣低硅铁生产金属镓的装置
239 00221002.9 直流到50千兆赫低相移多功能*化镓微波单片电调衰减器
240 01231805.1 非晶系氮化铝铟镓发光二极管装置
241 200720140729.4 2-3英寸*化镓定向划线尺
242 200620152275.8 铜铟镓和硒或硫化物太阳能电池
243 200720096818.3 直拉法生长掺镓硅单晶的装置
244 200720096313.7 功率型氮化镓基发光二极管芯片
245 200410006179.8 硅衬底上生长低位错氮化镓的方法
246 200410063792.3 用于制造化合物半导体的高纯度镓的纯化方法
247 03142735.9 渐变带隙的铟镓*材料的制备方法
248 03138736.5 一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法
249 03147948.0 氮化镓系异质结构光二极体
250 03147951.0 氮化镓系化合物半导体发光元件及其窗户层结构
251 200410022508.8 碳分母液中金属镓回收后不溶渣处理工艺
252 200410037739.6 一种镍锰镓磁性带材的制备方法
253 02821830.2 烧结的多晶氮化镓
254 03139103.6 一种氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物发光二极管的制造方法
255 200410055074.1 高纯度烷基镓的制备
256 200410053351.5 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
257 200410052711.X 磷化铟和*化镓材料的直接键合方法
258 200410066479.5 一种提高氮化镓基材料外延层质量的衬底处理方法
259 200410053350.0 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法
260 200410025792.4 一种镓酸钇基三色荧光材料及其制备方法
261 200410040272.0 一种从*化镓工业废料中综合回收镓和*的方法
262 03151054.X 氮化镓基可见，紫外双色光电探测器
263 200410067985.6 一种无损检测磷化铟与*化镓基材料直接键合质量的方法
264 200410068332.X 氮化镓外延层的制造方法
265 200310104771.7 具有宽频谱的氮化铝铟镓发光二极管及固态白光器件
266 200410084638.4 掺镱钆镓石榴石平面光波导的制备方法
267 200410091050.1 准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及在氮化铝陶瓷片上生长的方法
268 200310110889.0 低开启电压*化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计
269 200410065181.2 提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法及探测器
270 200410086564.8 导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺
271 200410088165.5 氮化镓基半导体器件及其制造方法
272 01802460.2 I I I族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓化合物半导体、......
273 200310115208.X 超高纯金属镓的制备方法
274 200410067129.0 掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法
275 200410089448.1 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
276 200410031246.1 薄膜电极、采用它的氮化镓基光学器件及其制备方法
277 200310117000.1 一种高发光效率的氮化镓系列发光二极管及其制造方法
278 200310119745.1 大功率氮化镓基发光二极管的制作方法
279 200310119746.6 高铟组分镓*，铟镓*量子阱结构及其制备方法
280 200310120176.2 利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
281 200310120544.3 倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
282 200410065676.5 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓
283 200310121161.8 一种无液封合成*化镓多晶材料的工艺方法
284 200310121794.9 中浓度P型掺杂透射式*化镓光阴极材料及其制备方法
285 200510023173.6 采用*化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法
286 200510000296.8 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其生产工艺
287 200510051675.X 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
288 200410000138.8 含镓烟尘的处理方法
289 200410000201.8 一种氮化镓系发光二极管结构及其制造方法
290 200410000889.X 氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法
291 200410084640.1 双掺铬钕钆镓石榴石自调Q激光晶体的生长方法
292 200410084641.6 双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法
293 200410093025.7 *化镓单晶的生长方法
294 200410093022.3 两步合成制备掺钕钆镓石榴石单晶原料的方法
295 03812891.8 氮化镓(GaN、类化合物半导体装置及其制造方法
296 200410006381.0 氮化镓系发光组件及其制造方法
297 200410006382.5 氮化镓系垂直发光二极管结构及其基材与薄膜分离的方法
298 03813924.3 富镓氮化镓薄膜的制造方法
299 200410013593.1 一种镓酸镧基固体氧化物燃料电池用正极材料的制备方法
300 200410008515.2 氮化镓系发光二极管的结构及其制作方法
301 03816873.1 氮化镓类化合物半导体装置
302 200410098373.3 氮化镓基Ⅲ-V族化合物半导体发光器件及其制造方法
303 200510025439.0 紫外双波段氮化镓探测器
304 200510025438.6 氮化镓紫外探测器
305 200410031469.8 氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法
306 03820771.0 通过气相外延法制造具有低缺陷密度的氮化镓膜的方法
307 200410033586.8 氮化镓基肖特基结构紫外探测器及制作方法
308 200410033587.2 氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器及制作方法
309 03814793.9 获得大单晶含镓氮化物的方法的改进
310 01818295.X 具有无镓层的III族氮化物发光器件
311 01817995.9 稀土或镓的加成组合物、其制备方法和作为催化剂的用途
312 03145867.X 氮化镓系化合物半导体发光器件
313 03145868.8 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
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2 02141658.3 氮化镓半导体激光器
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5 02150783.X 谐振腔增强的n型*化镓远红外探测器的反射镜
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9 01136893.4 形成镓*，铝镓*激光二极管的非吸收窗口的方法
10 02145468.X 无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器及制备方法
11 01140499.X 混合有机镓源选择区域生长铟镓*磷多量子阱的方法
12 02112310.1 一种外延生长用蓝宝石衬底的镓原子清洗的方法
13 02112311.X 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
14 02112412.4 异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
15 03115421.2 锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法
16 03113769.5 氮化镓晶体的制造方法
17 01810897.0 氮化镓层的制备方法
18 03104233.3 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
19 03117531.7 硫镓银多晶体的制备方法与装置
20 01812915.3 具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法
21 02124452.9 *化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管
22 03118955.5 采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片
23 03110256.5 氮化镓荧光体、其制造方法及使用该荧光体的显示装置
24 02117379.6 磷化铟基磷化铟，铟镓*锑，磷化铟双异质结双极晶体管
25 03112341.4 一种吸附镓专用螯合树脂及制备方法
26 03110199.2 以氮化镓为基底的半导体发光装置
27 03116833.7 铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法
28 02116446.0 高线性度*化镓霍尔器件的制备工艺
29 00818903.X 在含有非氮化镓柱体的基板上制造氮化镓半导体层，并由此制造氮化镓半导体结构的方法
30 02801951.2 氮化镓的块状单结晶的制造方法
31 02801952.0 含镓氮化物块状单结晶在异质基板上的形成法
32 01805116.2 铈和至少一种选自稀土、过渡金属、铝、镓和锆的其它元素的化合物的胶态水分散体及其制备方法和用途
33 02130720.2 铟镓*光电探测器制造的开管锌扩散方法
34 00817182.3 氮化镓层在蓝宝石基体上的悬挂外延生长
35 96116401.8 *化镓表面微波放电钝化膜的自体生长方法
36 96116400.X *化镓及其器件表面钝化保护膜的制备方法
37 95117943.8 *化镓场效应(晶体、管沟道温度测试装置
38 85100163 一种从氧化铝生产的分解母液中提取镓的方法
39 85102460 电解—结晶联合法生产高纯镓
40 85104180 _具有倒台面支承结构的铟镓*磷，铟磷隐埋条形质量输运激光器
41 85103711 强碱性铝酸钠溶液中萃取提镓工艺
42 87100526 镓的回收方法
43 86108965 结晶状镓磷酸盐组合物
44 86104689 多层外延*化镓的双源法和装置
45 87104688 镧系镁混合镓酸盐和使用该镓酸盐单晶的激光器
46 87106967 利用浸渍吸附树脂从拜耳液中提取镓
47 88100243 由三价铥激活的发光镓酸镧和备有它的荧光屏及其阴极射线管
48 88102672 液-液萃取回收镓的方法
49 87102490 高强度弹性电接触钯银铜镓合金
50 88103282 从拜耳液中萃取并提纯镓的方法
51 87101375.4 单温区开管扩镓生产晶闸管工艺
52 87105895.2 镓中杂质元素的分析方法
53 88106935.3 用液体-液体提取法回收镓的方法
54 87101336.3 适用于开管镓扩散石英管的制造工艺
55 88107717.8 磷化镓液相外延方法及装置
56 88107405.5 一种高发光效率的磷化镓外延材料
57 89100435.1 溶解法自氧化铝生产中回收镓
58 88105238.8 镓在硅台面管生产中的应用技术
59 88107844.1 减少磷酸镓压电晶体单元含水量的方法、装置及按此方法生产的晶体单元
60 89104310.1 通过部分凝固提纯镓的方法
61 88104435.0 磷化镓发光二极管电极制备工艺
62 89102308.9 *化镓／磷化铟异质气相外延技术
63 88107424.1 一种从含镓渣中提取镓的方法
64 86104082.1 α-*基环巳氧基-二甲基镓及其类似物的制备方法
65 90109175.8 从碱液中分离镓的方法
66 91100620.6 *化镓衬底上的混合并质外延
67 90106067.4 含镓的铝硅酸盐型催化剂在每分子具有5～7个碳原子的轻馏分的芳构化反应中的应用
68 90106318.5 一种开管铝镓扩散工艺
69 90104454.7 从氧化铝生产过程的循环母液中萃取镓的工艺
70 92108310.6 铟镓*光电探测器
71 92108309.2 铟镓*光电探测器
72 92108671.7 牙体充填镓合金材料
73 92111467.2 低碳链烃芳构化用镓、锌、铂改性HZSM-5催化剂
74 91107486.4 直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
75 93112365.8 铟镓*光电探测器
76 92109781.6 一种从含镓的钒渣中提取镓的方法
77 93114285.7 镓铟*(GaInAs、横向光电晶体管及其集成技术
78 94106935.4 具有欧姆电极的氮化镓系Ⅲ-Ｖ族化合物半导体器件及其制造方法
79 94101005.8 *化镓场效应晶体管沟道温度测试方法
80 95102315.2 含镓和，或铟的硫化*锗玻璃
81 95103418.9 硫化镓玻璃
82 94194481.6 碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
83 96108850.8 一种具有MFI结构含镓沸石的制备方法
84 97114720.5 用于磷化镓发光元件的外延晶片及磷化镓发光元件
85 97118284.1 氮化镓序列的复合半导体发光器件
86 97111270.3 羟基镓酞菁化合物，其制备方法和用这种化合物的电照相感光元件
87 97117796.1 氮化镓晶体的制造方法
88 97122567.2 有关氮化镓的化合物半导体器件及其制造方法
89 96193819.6 带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管
90 97101146.X 一种*化铟、*化镓的化学还原制备方法
91 97129713.4 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
92 97106255.2 垂直温梯法生长铝酸锂和镓酸锂晶体
93 98106924.X 磷化镓绿色发光器件
94 97113250.X 具有相反转化的控制终点和形状记忆效应的镍锰镓合金
95 98106378.0 氮化镓结晶的制造方法
96 98106206.7 氮化镓晶体的制备方法
97 99106909.9 氮化镓单晶衬底及其制造方法
98 97180082.0 基于碱土金属、硫和铝、镓或铟的化合物，其制备方法及其作为发光材料的使用
99 98121590.4 *化镓、磷化镓衬底干处理方法
100 98111554.3 光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓生长方法与装置
101 98107595.9 含镓硅酸盐分子筛催化剂的合成方法
102 98118815.X 具有镧镓硅氧化物单晶基片的声表面波器件
103 98103568.X 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
104 98118311.5 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法
105 98108246.7 具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法
106 97181085.0 粉末或烧结形式的LaMO3型化合物，其中M为铝、镓或铟，其制备方法及其作为氧导......
107 99100087.0 非破坏性定量检测*化镓单晶化学配比的方法
108 99126436.3 通过去除衬底来制备铟铝镓氮光发射器
109 99126434.7 晶片键合的铝镓铟氮结构
110 99107242.1 直径2英寸非掺，111，磷化镓单晶片抛光工艺
111 99117925.0 *化镓单晶衬底及使用该衬底的外延晶片
112 97182076.7 硅酸镧镓晶片及其制备方法
113 98124973.6 *化镓表面清洁方法
114 98811437.2 氮化镓外延层的制造方法
115 99801951.8 用于制造化合物半导体的高纯度镓及其纯化方法和装置
116 99119067.X 一种利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法
117 99119719.4 一种氮化镓单晶的热液生长方法
118 99119773.9 一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法
119 99803400.2 通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构
120 00129633.7 一种制备氮化镓基 LED的新方法
121 00131158.1 氮化镓薄膜制备技术及专用装置
122 01107152.4 一种用低硅铁生产金属镓的工艺及其装置
123 00103907.5 从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法
124 00106194.1 一种非结晶与多晶结构的氮化镓系化合物半导体的成长方法
125 00106264.6 氮化镓化合物半导体制造方法
126 01110203.9 氮化镓陶瓷体的制备方法
127 01112872.0 制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系
128 01113733.9 用于塑封的*化镓芯片钝化方法
129 99807244.3 利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体层
130 00136184.8 镓酸锂晶体的制备方法
131 01126543.4 一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法
132 01131440.0 一种放射性同位素镓－67的制备工艺
133 00126376.5 基于氮化镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体装置及其制造方法
134 01141187.2 磷化镓发光组件的制造方法以及制造装置
135 01140931.2 锌和，或镓促进的多金属氧化物催化剂
136 99813628.X 用横向生长制备氮化镓层
137 00131996.5 氮化铟镓发光二极管
138 00131322.3 氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法
139 01121638.7 羟基镓酞菁化合物，其制备方法和用这种化合物的电照相感光元件
140 01129995.9 一种含镓矿物中镓的提取方法
141 01137373.3 一种控制氮化镓(GaN、极性的方法
142 00136136.8 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法
143 01100889.X 高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法
144 02102460.X 生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
145 02104073.7 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
146 01130301.8 用于超高密度数据存储器件的铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟－镓硫系化物的相变介质
147 01107269.5 从刚玉电弧炉冶炼烟尘中提取金属镓的方法
148 02117329.X 高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法
149 02105907.1 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
150 02105608.0 氮化镓荧光体及其制造方法
151 01116770.X 氮化镓单晶膜的制造方法
152 02113085.X 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法
153 01113572.7 用于中温燃料电池的掺杂镓酸镧－无机盐复合凝聚态电解质
154 200710047333.X 一种镓含量的测定方法
155 200610112889.8 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
156 200610112885.X 一种*化镓PIN二极管及其制作方法
157 200710138204.1 生长氮化镓晶体的方法
158 200710133982.1 一种制造变异势垒氮化镓场效应管的方法
159 200680009593.1 氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件
160 200610152201.9 一种在*化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
161 200710058315.1 直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置
162 200610127867.9 一种氮化镓基场效应管及其制作方法
163 200610113238.0 一种制作氮化镓基激光器管芯的方法
164 200710009645.1 一种镍锰钴镓高温形状记忆合金及其制备方法
165 200710009646.6 一种镍锰铜镓高温形状记忆合金及其制备方法
166 200610127920.5 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
167 200680007694.5 用于生长平坦半极性氮化镓的技术
168 200610096225.7 自剥离氮化镓衬底材料的制备方法
169 200680008040.4 金刚石上的氮化镓发光装置
170 200610140756.1 氮化镓表面低损伤蚀刻
171 200610140757.6 氮化镓HEMT器件表面钝化及提高器件击穿电压的工艺
172 200710046650.X 透红外镓酸盐玻璃
173 200710181938.8 *化镓晶片的激光加工方法
174 200610016182.7 柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其制备方法
175 200710170717.0 平面型铟镓*红外焦平面探测器及制备方法
176 200710171389.6 铟镓*台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法
177 200610114190.5 P型氮化镓电极的制备方法
178 200710193089.8 一种生产4N金属镓的方法
179 200610097597.1 具有低电流集边效应的金属，氮化镓铝，氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法
180 200710031655.5 碱金属镧铋镓酸盐红外光学玻璃及其制备方法
181 200710009956.8 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
182 200710301960.1 从镓酸钠溶液中回收*
183 200710179644.1 一种镓提纯电解废液的净化处理方法
184 200610070381.6 铌酸镓镧系列纳米粉体的制备方法
185 200610144304.0 *化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法
186 200610144305.5 提高氮化镓材料载流子迁移率的方法
187 200710152039.5 从水溶液中沉淀镓
188 200710159612.5 特别用于溅射靶、管状阴极等的制造的基于铜-铟-镓合金的镀膜材料
189 200810055710.9 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
190 200710116122.7 *化镓，铝镓*红外量子阱材料峰值响应波长的检测方法
191 200680021424.X 碳化硅层的制造方法、氮化镓半导体器件以及硅衬底
192 200610165547.2 一种在*化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
193 200610165537.9 铟镓*，铟铝*耦合量子点红外探测器及其制备方法
194 200710114784.0 一种氮化镓基半导体光电器件的制作方法
195 200680023378.7 氧化镓-氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜
196 200680023391.2 氧化镓-氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜
197 200610147975.2 一种碘镓灯
198 200710172703.2 铝镓氮-锆钛酸铅焦平面探测器
199 200610171666.9 *化铟和*化镓的纳米结构及其制作方法
200 200680024176.4 氮化镓基化合物半导体发光器件
201 200710173625.8 钇镓石榴石基陶瓷材料及其制备方法
202 200710172321.X 钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法
203 200710063375.2 高速*化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料
204 200710193582.X 用AlN制作大功率镓*，铝镓*激光器非吸收窗口的方法
205 200710176647.X 一种生长室和氮化镓体材料生长方法
206 200810018941.2 形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法
207 200710173110.8 采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
208 200810033719.X 一种判断氮化镓基发光二级管非辐射复合中心浓度的方法
209 200710062978.0 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
210 200680027937.1 膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法
211 200810006957.1 一种镓铝合金、制备方法及其在制氢领域的应用
212 200680028774.9 氮化镓基化合物半导体发光器件
213 200710195806.0 用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
214 200810009979.3 氮化镓层的制备方法
215 200710173512.8 背照射铟镓*微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺
216 200810052489.1 多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法
217 200710063881.1 在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法
218 200810070780.1 一种氮化镓基外延膜的制备方法
219 200810070781.6 镓极性氮化镓缓冲层的生长方法
220 200710079804.5 制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法
221 200480009773.0 基于碱土金属硫代镓酸盐的高效磷光体
222 200810014780.X 高纯氧化镓的制备方法
223 02235868.4 生长低位错非掺杂半绝缘*化镓单晶的装置
224 02247763.2 铟镓*红外探测器
225 02292589.9 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置
226 02292590.2 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光装置
227 02292591.0 氮化镓基LED的发光装置
228 02291589.3 一种用于*化镓单晶生长的光学测径装置
229 88215651.9 磷化镓发光二极管
230 88216049.4 磷化镓液相外延装置
231 95244685.5 红色发光磷化镓液相外延舟
232 95212760.1 *化镓脑血流量三维成像仪
233 98209986.X 异质面*化镓背场太阳能电池
234 00220020.1 多倍频程*化镓微波单片集成反射型开关
235 00220019.8 多倍频程*化镓微波单片数字、模拟移相器
236 00219705.7 超宽带*化镓单片数字、模拟移相器
237 01217570.6 多倍频程*化镓微波单片集成矢量调制器
238 01214236.0 一种用刚玉炉渣低硅铁生产金属镓的装置
239 00221002.9 直流到50千兆赫低相移多功能*化镓微波单片电调衰减器
240 01231805.1 非晶系氮化铝铟镓发光二极管装置
241 200720140729.4 2-3英寸*化镓定向划线尺
242 200620152275.8 铜铟镓和硒或硫化物太阳能电池
243 200720096818.3 直拉法生长掺镓硅单晶的装置
244 200720096313.7 功率型氮化镓基发光二极管芯片
245 200410006179.8 硅衬底上生长低位错氮化镓的方法
246 200410063792.3 用于制造化合物半导体的高纯度镓的纯化方法
247 03142735.9 渐变带隙的铟镓*材料的制备方法
248 03138736.5 一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法
249 03147948.0 氮化镓系异质结构光二极体
250 03147951.0 氮化镓系化合物半导体发光元件及其窗户层结构
251 200410022508.8 碳分母液中金属镓回收后不溶渣处理工艺
252 200410037739.6 一种镍锰镓磁性带材的制备方法
253 02821830.2 烧结的多晶氮化镓
254 03139103.6 一种氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物发光二极管的制造方法
255 200410055074.1 高纯度烷基镓的制备
256 200410053351.5 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
257 200410052711.X 磷化铟和*化镓材料的直接键合方法
258 200410066479.5 一种提高氮化镓基材料外延层质量的衬底处理方法
259 200410053350.0 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法
260 200410025792.4 一种镓酸钇基三色荧光材料及其制备方法
261 200410040272.0 一种从*化镓工业废料中综合回收镓和*的方法
262 03151054.X 氮化镓基可见，紫外双色光电探测器
263 200410067985.6 一种无损检测磷化铟与*化镓基材料直接键合质量的方法
264 200410068332.X 氮化镓外延层的制造方法
265 200310104771.7 具有宽频谱的氮化铝铟镓发光二极管及固态白光器件
266 200410084638.4 掺镱钆镓石榴石平面光波导的制备方法
267 200410091050.1 准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及在氮化铝陶瓷片上生长的方法
268 200310110889.0 低开启电压*化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计
269 200410065181.2 提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法及探测器
270 200410086564.8 导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺
271 200410088165.5 氮化镓基半导体器件及其制造方法
272 01802460.2 I I I族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓化合物半导体、......
273 200310115208.X 超高纯金属镓的制备方法
274 200410067129.0 掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法
275 200410089448.1 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
276 200410031246.1 薄膜电极、采用它的氮化镓基光学器件及其制备方法
277 200310117000.1 一种高发光效率的氮化镓系列发光二极管及其制造方法
278 200310119745.1 大功率氮化镓基发光二极管的制作方法
279 200310119746.6 高铟组分镓*，铟镓*量子阱结构及其制备方法
280 200310120176.2 利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
281 200310120544.3 倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
282 200410065676.5 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓
283 200310121161.8 一种无液封合成*化镓多晶材料的工艺方法
284 200310121794.9 中浓度P型掺杂透射式*化镓光阴极材料及其制备方法
285 200510023173.6 采用*化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法
286 200510000296.8 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其生产工艺
287 200510051675.X 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
288 200410000138.8 含镓烟尘的处理方法
289 200410000201.8 一种氮化镓系发光二极管结构及其制造方法
290 200410000889.X 氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法
291 200410084640.1 双掺铬钕钆镓石榴石自调Q激光晶体的生长方法
292 200410084641.6 双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法
293 200410093025.7 *化镓单晶的生长方法
294 200410093022.3 两步合成制备掺钕钆镓石榴石单晶原料的方法
295 03812891.8 氮化镓(GaN、类化合物半导体装置及其制造方法
296 200410006381.0 氮化镓系发光组件及其制造方法
297 200410006382.5 氮化镓系垂直发光二极管结构及其基材与薄膜分离的方法
298 03813924.3 富镓氮化镓薄膜的制造方法
299 200410013593.1 一种镓酸镧基固体氧化物燃料电池用正极材料的制备方法
300 200410008515.2 氮化镓系发光二极管的结构及其制作方法
301 03816873.1 氮化镓类化合物半导体装置
302 200410098373.3 氮化镓基Ⅲ-V族化合物半导体发光器件及其制造方法
303 200510025439.0 紫外双波段氮化镓探测器
304 200510025438.6 氮化镓紫外探测器
305 200410031469.8 氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法
306 03820771.0 通过气相外延法制造具有低缺陷密度的氮化镓膜的方法
307 200410033586.8 氮化镓基肖特基结构紫外探测器及制作方法
308 200410033587.2 氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器及制作方法
309 03814793.9 获得大单晶含镓氮化物的方法的改进
310 01818295.X 具有无镓层的III族氮化物发光器件
311 01817995.9 稀土或镓的加成组合物、其制备方法和作为催化剂的用途
312 03145867.X 氮化镓系化合物半导体发光器件
313 03145868.8 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
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