光敏剂,该光敏剂,类光敏剂,基光敏剂类技术资料
SY1157-0153-0001、 配制液态掺杂剂稀溶液的气体载运方法及其装置
摘要、 本发明属于掺杂的气相化学淀积领域。以高纯载气流经恒温掺杂剂的冒泡瓶，再流经外延淀积用的基质液瓶，载入基质液中的掺杂剂量可得到精确控制。本法操作简便，避免了配液过程中氯化物的水解、氧化等空气污染及对人体的毒害，解决了那些室温下就沸腾的掺杂剂（如ＢＣｌ3）的配制问题，同时对掺杂剂有一定提纯功效。
SY1157-0187-0002、 吡唑并三唑照相成色剂
摘要、 一种彩色照相胶片或纸其含有至少一种卤化银乳剂层，该乳剂层具有与其结合的一种通式如下的成色剂通式中各符号的定义如说明中所述。$本发明的新型成色剂化合物在冲洗加工时与氧化后的彩色显影剂反应，表现较优良的成色效率，在优选实施方案中形成具有优良光稳定性的染色。
SY1157-0076-0003、 N链烷醇烷氧基烷酰胺化合物、抗蚀剂脱除剂、用于脱除抗蚀剂的组合物及其制备...
一种酰胺化合物、一种抗蚀剂脱除剂、一种抗蚀剂脱除组合物及其制备方法。该化合物为Ｎ链烷醇烷氧基烷酰胺，它通过链烷醇胺与烷基烷氧基链烷酸酯反应来制备。所述的抗蚀剂脱除剂含有Ｎ链烷醇烷氧基烷酰胺。所述的抗蚀剂脱除组合物含有链烷醇胺与烷基烷氧基链烷酸酯的混合物或浸蚀抑制剂与Ｎ链烷醇烷氧基烷酰胺的混合物。该组合物还可含有极性材料。该抗蚀剂脱除剂和组合物对从基材上脱除抗蚀剂和聚合物有极好的能力，而又不浸蚀抗蚀剂下面的层。
SY1157-0057-0004、 正型光致抗蚀剂层及其使用方法
摘要、 本发明提供了一种阳性光致抗蚀剂层的制备方法。在该方法中，将所述光致抗蚀剂组合物滴加到形成于基片上的绝缘层或导电性金属层上。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光剂及溶剂。将上述涂敷了光致抗蚀剂组合物的基片以１２５０至１３５０rpm的转速旋转4.2至4.8秒。然后，干燥上述涂覆了光致抗蚀剂组合物的基片并将上述干燥的基片进行曝光。接着，利用碱性显像液清除曝光部位。所述溶剂包括乙酸３－甲氧基丁酯和４－*，或者包括乙酸３－甲氧基丁酯、２－庚酮和４－*。
SY1157-0078-0005、 烷氧基N－羟基烷基链酰胺作为抗蚀剂脱除剂的用途
摘要、 本发明公开了一种抗蚀剂脱除剂和一种脱除抗蚀剂的组合物，其具有优异的抗蚀剂和聚合物脱除性能，其不会对底层产生侵蚀，本发明还公开了所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物的制备方法和采用所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物脱除抗蚀剂的方法。所述抗蚀剂脱除剂包含烷氧基Ｎ－羟基烷基链酰胺。所述抗蚀剂脱除组合物，包含烷氧基Ｎ－羟基烷基链烷酰胺和至少一种偶极矩为３或大于３的极性材料和一种侵蚀抑制剂以及一种链烷醇胺。在其上具有抗蚀剂的基质与所述的抗蚀剂脱除剂或抗蚀剂脱除组合物可脱除抗蚀剂。
SY1157-0020-0006、 聚丁二烯系正型抗蚀剂及合成方法
摘要、 本发明属于聚丁二烯系感光性高分子合成法并由此产物制备正型抗蚀剂。由于该产物的结构既具有橡胶系高分子主链又在侧链导入多个重氮萘醌磺酰基的同时使其具有足够量的酚羟基或羧基，在与酚醛树脂等混合作抗蚀剂使用时克服了由低分子酚酯化合物或一般感光性高分子组成的正型抗蚀剂成膜性能差、低温性能和抗酸碱性能差的缺点，同时保持正型抗蚀剂解像力高、水系显影和耐等离子刻蚀的优点。可广泛用于集成电路抗蚀剂和PS版用感光剂。
SY1157-0192-0007、 成色剂和卤化银彩色照相光敏材料
摘要、 本发明公开了一种由式(Ⅰ、表示的成色剂和含有该成色剂的卤化银彩色照相光敏材料，式(Ⅰ、其中R表示烷基、链烯基、炔基、芳基或杂环基；L是－CO－－SO2－；和X表示氢原子或在与显影剂的氧化产物偶联后能够被分离的基团。
SY1157-0021-0008、 碱水型显影光成像抗蚀剂
摘要、 本发明提供一种碱水型显影光成像抗蚀剂它是以改性马来酸酐共聚物为主体树脂，沸点为１６０℃以上的液态脂肪族饱和羧酸酯为反应性稀释剂与光引发剂和助剂组成，可作为油墨用于制造印刷线路板其涂层均匀，湿膜一经加热即固化成干膜，就可用接触曝光制得高分辨率的印刷线路图像。它不含挥发性大的有机溶剂粘度稳定，故使用方便安全、无环境污染。
SY1157-0136-0009、 靶向病原体的光敏剂共轭物
摘要、 本发明涉及包含光敏剂组分的共轭物分子，其中所说的光敏剂与非抗体非亲和成对的靶向部分共轭，本发明还描述了这种共轭物的制造方法和使用方法。
SY1157-0185-0010、 含有高染料产率成色剂的照相元件
摘要、 公开一种含光敏性卤化银乳剂层照相元件，乳剂层含与之结合的式Ｉ代表的成色剂；其中ＣＯＵＰ是能与氧化显影剂反应形成第一染料成色剂母体基团，在偶合部位与以下基团键合，其中Ｘ是Ｏ或ＮＳＯ2R，R是烷基或芳基，DYE是释放后与第一染料颜色相同的可释放的第二染料，它通过DYE的式(IA、部分与OC=X结合∶其中R2是取代基;条件是，在式I成色剂中含至少一个式IB基团∶其中L是一个二价基团，m是0或1，Sol是含有酸性氢的基团，选自-ArOH、－ＮＨＳＯ2R1和-SO2NHR1，其中Ar是芳族基团，各R1是取代基;另一个条件是，Sol的酸性氢的pKa小于8.8。
SY1157-0181-0011、 含吡唑并唑类的染色角蛋白纤维的组合物，它们作为成色剂在染色中的用途及染色...
SY1157-0034-0012、 使用氟化氩光致抗蚀剂的方法和装置
SY1157-0121-0013、 酚醛清漆树脂溶液、正型光致抗蚀剂组合物及其调制方法
SY1157-0107-0014、 光致抗蚀剂组合物
SY1157-0149-0015、 气载掺杂剂掺杂非晶硅方法
SY1157-0023-0016、 光抗蚀剂组合物及应用该组合物产生图形的方法
SY1157-0155-0017、 包含具有多个给体－π－受体体系掺杂剂的光学非线性活性波导材料
SY1157-0100-0018、 抗蚀剂和蚀刻副产品除去组合物及使用该组合物除去抗蚀剂的方法
SY1157-0114-0019、 基于近红外分光计控制光致抗蚀剂剥离过程的方法和再生光致抗蚀剂剥离剂成分的...
SY1157-0019-0020、 高反差正性光致抗蚀剂显影的方法
SY1157-0103-0021、 抗蚀剂图形增厚材料、抗蚀剂图形及其形成方法以及半导体器件及其制造方法
SY1157-0170-0022、 作为有机发光器件的磷光掺杂剂L2MX形式的络合物
SY1157-0080-0023、 光致抗蚀剂单体，其共聚物和使用该共聚物的组合物
SY1157-0096-0024、 光致抗蚀剂显影液
SY1157-0151-0025、 掺杂剂均匀分布的固体摄像器及其制造方法
SY1157-0193-0026、 定时释放显影抑制基黄成色剂及其制备
SY1157-0069-0027、 光敏抗蚀剂清除剂组合物
SY1157-0123-0028、 含芳香酸抑制剂的光致抗蚀剂剥离剂，清洁剂组合物
SY1157-0072-0029、 具有优异的抗后曝光延迟效应的光致抗蚀剂组合物
SY1157-0024-0030、 用于光敏抗蚀剂层的显影剂
SY1157-0127-0031、 淀粉基光敏剂
SY1157-0012-0032、 N－正烷基苯并异噻唑酮作为促渗剂的应用
SY1157-0008-0033、 水泥抗渗剂及其制备方法
SY1157-0116-0034、 ，2-萘醌-2-二叠氮磺酸酯光敏剂、制备该光敏剂的方法和光致抗蚀剂组合...
SY1157-0046-0035、 用于高感光的高分辨性I-谱线光致抗蚀剂的烷基磺酰肟化合物
SY1157-0112-0036、 光致抗蚀剂组合物及用该组合物形成图案的方法
SY1157-0058-0037、 酚，脂环的共聚物和光致抗蚀剂
SY1157-0073-0038、 用于化学增强抗蚀剂的树脂
SY1157-0173-0039、 掺杂剂和含有其的导电聚合物材料
SY1157-0074-0040、 新的酚类树脂和含有这种树脂的光致抗蚀剂组合物
SY1157-0119-0041、 在导电性基板上形成抗蚀剂层的装置
SY1157-0093-0042、 化学放大抗蚀剂聚合物及使用该聚合物的抗蚀剂组合物
SY1157-0165-0043、 一种掺杂剂及其制备方法和用途
SY1157-0154-0044、 以含掺杂剂磷和钾的钼酸铋和钼酸铁为基质的涂敷催化剂的制备方法
SY1157-0040-0045、 抗蚀剂剥离液控制装置
SY1157-0128-0046、 光敏剂
SY1157-0018-0047、 连续式可控气氛渗碳炉稀土催渗剂加入装置
SY1157-0189-0048、 含有吡唑并－1，5－a、－*氧化显色碱和吡啶成色剂的染色组合物及染色...
SY1157-0174-0049、 二当量黄成色剂的制备方法
SY1157-0017-0050、 多元共渗渗剂气体发生装置
SY1157-0085-0051、 光致抗蚀剂涂层的制备
SY1157-0141-0052、 用交联高分子光敏剂敏化制备cis-维生素D或其衍生物的方法
SY1157-0010-0053、 一种硼、硅、铝共渗渗剂
SY1157-0163-0054、 含有两种掺杂剂的镧、镥、钇或钆的硼酸盐及其前体和其在等离子体或X射线系统...
SY1157-0001-0055、 聚烯烃纤维耐热防缩剂及涂覆工艺
SY1157-0090-0056、 用于光致抗蚀剂组合物的抗反射涂料
SY1157-0068-0057、 用于光致抗蚀剂的交联剂及含该交联剂的光致抗蚀剂组合物
SY1157-0184-0058、 含改善染料稳定性的黄成色剂的卤化银元件
SY1157-0194-0059、 释放显影抑制基青成色剂
SY1157-0115-0060、 抗蚀剂组合物
SY1157-0196-0061、 形成染料的成色剂、卤化银照相感光材料及甲亚胺染料化合物
SY1157-0015-0062、 钢铁制品锌铝包埋共渗方法及其渗剂
SY1157-0047-0063、 共聚物树脂，其制备方法及使用其制成的光致抗蚀剂
SY1157-0006-0064、 局部浇灌减渗剂来切断延井层段下伏含水层间流体通道
SY1157-0130-0065、 卤代二苯甲酮光敏剂及其应用
SY1157-0160-0066、 手性化合物以及它们作为手性掺杂剂在生产胆甾醇型液晶组合物中的应用
SY1157-0162-0067、 含p型掺杂剂的氧化锌膜及其制造方法
SY1157-0156-0068、 具有不对称通道掺杂剂轮廓的器件
SY1157-0176-0069、 负性彩色感光材料用的吡唑啉酮型DIR成色剂的制备
SY1157-0063-0070、 使用无抗蚀剂电子束光刻制造亚微米抗蚀金属，半导体结构
SY1157-0089-0071、 焊锡抗蚀剂油墨组合物
SY1157-0118-0072、 复合光致抗蚀剂层结构
SY1157-0038-0073、 金属离子含量低的4，4'－1－4－1－(4－羟基苯基、－1－甲基乙...
SY1157-0084-0074、 去除光致抗蚀剂后残留物质的清除方法
SY1157-0082-0075、 半导体制造中防止由介质防反射层引起的光致抗蚀剂中毒
SY1157-0143-0076、 医用树枝状分子-光敏剂络合物
SY1157-0158-0077、 手性掺杂剂
SY1157-0169-0078、 在空穴传递层和，或电子传递层中含有色中性掺杂剂的有机发光器件
SY1157-0135-0079、 编码光敏剂抗性的分离基因和蛋白质
SY1157-0036-0080、 酚甲醛缩合物的分馏和由其生产的光敏抗蚀剂组合物
SY1157-0091-0081、 光致抗蚀剂脱膜剂组合物
SY1157-0060-0082、 抗蚀剂剥离装置和抗蚀剂剥离液管理方法以及半导体装置
SY1157-0004-0083、 固液稀土化学热处理催渗剂及配制方法
SY1157-0132-0084、 采用光敏剂灭活生物污染物的方法和装置
SY1157-0140-0085、 利用交联高分子光敏剂将速甾醇及其衍生物光敏异构化为预维生素D及其衍生物的...
SY1157-0027-0086、 可干法显影的正性抗蚀剂
SY1157-0129-0087、 光敏剂诱导的化学镀镍方法及其所用镀液
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SY1157-0003-0089、 一种稀土、碳、氮共渗化学热处理渗剂
SY1157-0190-0090、 含有吡唑并－1，5－a、－*氧化显色碱和萘成色剂的染色组合物及染色方...
SY1157-0117-0091、 光致抗蚀剂残渣除去液组合物
SY1157-0175-0092、 成色剂和／或“快速”氧化染色剂与碘化物并用进行角质纤维染色的方法及其中所...
SY1157-0066-0093、 包括含有内酯部分的环烯聚合物的光致抗蚀剂组合物
SY1157-0065-0094、 用于抗蚀剂流动工艺的光致抗蚀剂组合物以及使用所述组合物形成接触孔的方法
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SY1157-0013-0096、 密封补强用甲基丙烯酸酯型真空浸渗剂
SY1157-0054-0097、 光致抗蚀剂剥离液及剥离方法
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SY1157-0043-0099、 共聚物树脂，其制备方法及用其制成的光致抗蚀剂
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SY1157-0052-0101、 包含双键的交联剂单体及含有此单体的光致抗蚀剂共聚物
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SY1157-0029-0103、 正性光致抗蚀剂的显影方法和所用的组合物
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SY1157-0139-0106、 ，2-萘醌-2-二叠氮磺酸酯光敏剂、制备该光敏剂的方法和光致抗蚀剂组合...
SY1157-0022-0107、 从印刷电路板上清除抗蚀剂的方法
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SY1157-0179-0110、 彩色感光材料用聚合品红成色剂
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SY1157-0009-0117、 采用固态渗剂的节约易控气体渗碳工艺及设备
SY1157-0026-0118、 负型光致抗蚀剂及形成光致抗蚀图的方法
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SY1157-0061-0195、 金属离子含量低的4，4′－1－4－1－(4－羟基苯基、－1－甲基乙...
SY1157-0147-0196、 常温静态型金属表面去油剂
SY1157-0049-0197、 用于光致抗蚀剂组合物的抗反射涂层
SY1157-0037-0198、 酚甲醛缩合物的分馏和由其生产的光敏抗蚀剂组合物
SY1157-0191-0199、 含环吡咯成色剂和含官能度组合的防褪色剂的照相元件
SY1157-0200-0200、 一种释放显影抑制基品成色剂
购买以上《光敏剂,该光敏剂,类光敏剂,基光敏剂类技术资料》生产工艺技术资全套200元,含邮费,本市五大区可办理货到付款,咨询手机号也是微信号:15542181913 13889286189【点这进入购买帮助】
摘要、 本发明属于掺杂的气相化学淀积领域。以高纯载气流经恒温掺杂剂的冒泡瓶，再流经外延淀积用的基质液瓶，载入基质液中的掺杂剂量可得到精确控制。本法操作简便，避免了配液过程中氯化物的水解、氧化等空气污染及对人体的毒害，解决了那些室温下就沸腾的掺杂剂（如ＢＣｌ3）的配制问题，同时对掺杂剂有一定提纯功效。
SY1157-0187-0002、 吡唑并三唑照相成色剂
摘要、 一种彩色照相胶片或纸其含有至少一种卤化银乳剂层，该乳剂层具有与其结合的一种通式如下的成色剂通式中各符号的定义如说明中所述。$本发明的新型成色剂化合物在冲洗加工时与氧化后的彩色显影剂反应，表现较优良的成色效率，在优选实施方案中形成具有优良光稳定性的染色。
SY1157-0076-0003、 N链烷醇烷氧基烷酰胺化合物、抗蚀剂脱除剂、用于脱除抗蚀剂的组合物及其制备...
一种酰胺化合物、一种抗蚀剂脱除剂、一种抗蚀剂脱除组合物及其制备方法。该化合物为Ｎ链烷醇烷氧基烷酰胺，它通过链烷醇胺与烷基烷氧基链烷酸酯反应来制备。所述的抗蚀剂脱除剂含有Ｎ链烷醇烷氧基烷酰胺。所述的抗蚀剂脱除组合物含有链烷醇胺与烷基烷氧基链烷酸酯的混合物或浸蚀抑制剂与Ｎ链烷醇烷氧基烷酰胺的混合物。该组合物还可含有极性材料。该抗蚀剂脱除剂和组合物对从基材上脱除抗蚀剂和聚合物有极好的能力，而又不浸蚀抗蚀剂下面的层。
SY1157-0057-0004、 正型光致抗蚀剂层及其使用方法
摘要、 本发明提供了一种阳性光致抗蚀剂层的制备方法。在该方法中，将所述光致抗蚀剂组合物滴加到形成于基片上的绝缘层或导电性金属层上。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光剂及溶剂。将上述涂敷了光致抗蚀剂组合物的基片以１２５０至１３５０rpm的转速旋转4.2至4.8秒。然后，干燥上述涂覆了光致抗蚀剂组合物的基片并将上述干燥的基片进行曝光。接着，利用碱性显像液清除曝光部位。所述溶剂包括乙酸３－甲氧基丁酯和４－*，或者包括乙酸３－甲氧基丁酯、２－庚酮和４－*。
SY1157-0078-0005、 烷氧基N－羟基烷基链酰胺作为抗蚀剂脱除剂的用途
摘要、 本发明公开了一种抗蚀剂脱除剂和一种脱除抗蚀剂的组合物，其具有优异的抗蚀剂和聚合物脱除性能，其不会对底层产生侵蚀，本发明还公开了所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物的制备方法和采用所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物脱除抗蚀剂的方法。所述抗蚀剂脱除剂包含烷氧基Ｎ－羟基烷基链酰胺。所述抗蚀剂脱除组合物，包含烷氧基Ｎ－羟基烷基链烷酰胺和至少一种偶极矩为３或大于３的极性材料和一种侵蚀抑制剂以及一种链烷醇胺。在其上具有抗蚀剂的基质与所述的抗蚀剂脱除剂或抗蚀剂脱除组合物可脱除抗蚀剂。
SY1157-0020-0006、 聚丁二烯系正型抗蚀剂及合成方法
摘要、 本发明属于聚丁二烯系感光性高分子合成法并由此产物制备正型抗蚀剂。由于该产物的结构既具有橡胶系高分子主链又在侧链导入多个重氮萘醌磺酰基的同时使其具有足够量的酚羟基或羧基，在与酚醛树脂等混合作抗蚀剂使用时克服了由低分子酚酯化合物或一般感光性高分子组成的正型抗蚀剂成膜性能差、低温性能和抗酸碱性能差的缺点，同时保持正型抗蚀剂解像力高、水系显影和耐等离子刻蚀的优点。可广泛用于集成电路抗蚀剂和PS版用感光剂。
SY1157-0192-0007、 成色剂和卤化银彩色照相光敏材料
摘要、 本发明公开了一种由式(Ⅰ、表示的成色剂和含有该成色剂的卤化银彩色照相光敏材料，式(Ⅰ、其中R表示烷基、链烯基、炔基、芳基或杂环基；L是－CO－－SO2－；和X表示氢原子或在与显影剂的氧化产物偶联后能够被分离的基团。
SY1157-0021-0008、 碱水型显影光成像抗蚀剂
摘要、 本发明提供一种碱水型显影光成像抗蚀剂它是以改性马来酸酐共聚物为主体树脂，沸点为１６０℃以上的液态脂肪族饱和羧酸酯为反应性稀释剂与光引发剂和助剂组成，可作为油墨用于制造印刷线路板其涂层均匀，湿膜一经加热即固化成干膜，就可用接触曝光制得高分辨率的印刷线路图像。它不含挥发性大的有机溶剂粘度稳定，故使用方便安全、无环境污染。
SY1157-0136-0009、 靶向病原体的光敏剂共轭物
摘要、 本发明涉及包含光敏剂组分的共轭物分子，其中所说的光敏剂与非抗体非亲和成对的靶向部分共轭，本发明还描述了这种共轭物的制造方法和使用方法。
SY1157-0185-0010、 含有高染料产率成色剂的照相元件
摘要、 公开一种含光敏性卤化银乳剂层照相元件，乳剂层含与之结合的式Ｉ代表的成色剂；其中ＣＯＵＰ是能与氧化显影剂反应形成第一染料成色剂母体基团，在偶合部位与以下基团键合，其中Ｘ是Ｏ或ＮＳＯ2R，R是烷基或芳基，DYE是释放后与第一染料颜色相同的可释放的第二染料，它通过DYE的式(IA、部分与OC=X结合∶其中R2是取代基;条件是，在式I成色剂中含至少一个式IB基团∶其中L是一个二价基团，m是0或1，Sol是含有酸性氢的基团，选自-ArOH、－ＮＨＳＯ2R1和-SO2NHR1，其中Ar是芳族基团，各R1是取代基;另一个条件是，Sol的酸性氢的pKa小于8.8。
SY1157-0181-0011、 含吡唑并唑类的染色角蛋白纤维的组合物，它们作为成色剂在染色中的用途及染色...
SY1157-0034-0012、 使用氟化氩光致抗蚀剂的方法和装置
SY1157-0121-0013、 酚醛清漆树脂溶液、正型光致抗蚀剂组合物及其调制方法
SY1157-0107-0014、 光致抗蚀剂组合物
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SY1157-0023-0016、 光抗蚀剂组合物及应用该组合物产生图形的方法
SY1157-0155-0017、 包含具有多个给体－π－受体体系掺杂剂的光学非线性活性波导材料
SY1157-0100-0018、 抗蚀剂和蚀刻副产品除去组合物及使用该组合物除去抗蚀剂的方法
SY1157-0114-0019、 基于近红外分光计控制光致抗蚀剂剥离过程的方法和再生光致抗蚀剂剥离剂成分的...
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SY1157-0170-0022、 作为有机发光器件的磷光掺杂剂L2MX形式的络合物
SY1157-0080-0023、 光致抗蚀剂单体，其共聚物和使用该共聚物的组合物
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SY1157-0072-0029、 具有优异的抗后曝光延迟效应的光致抗蚀剂组合物
SY1157-0024-0030、 用于光敏抗蚀剂层的显影剂
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SY1157-0058-0037、 酚，脂环的共聚物和光致抗蚀剂
SY1157-0073-0038、 用于化学增强抗蚀剂的树脂
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SY1157-0165-0043、 一种掺杂剂及其制备方法和用途
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