四氮化技术、亮度氮化镓、氮化铝、真空氮化钛工艺
0018-0001、具有减少相分离、利用第三族氮化物四元金属体系的半导体结构及其制备方法
0017-0002、超细氮化硅微粉气相合成新工艺
0036-0003、一种具有纳米结的氮化碳，碳纳米管场效应晶体管的制备方法
0040-0004、防止氮化铝水解的方法
0042-0005、基于氮化镓半导体的紫外线光检测器
0032-0006、半导体基片的UV增强的氧氮化
0001-0007、原位选择氮化法合成的纳米四方氧化锆－氮化钛复合粉体
0066-0008、用于氮化镓材料制备工艺的辐射式加热器
0009-0009、聚合的氢化硫代硅氮烷及其制备方法可由其制备的含四氮化三硅陶瓷材料及其制备方法
0048-0010、氮化镓基圆盘式单色光源列阵
0028-0011、氮化硅电开水炉
0030-0012、屏蔽酚型抗氧剂在氮化铁磁流体中的应用
0050-0013、氮化钛膜的成膜
0026-0014、镓极性氮化镓缓冲层的生长方法
0055-0015、一种去除硅片背面氮化硅的方法
0043-0016、一种珠状碳化硅或氮化硅纳米链的制备方法
0039-0017、一种纳米氮化硅抛光组合物及其制备方法
0022-0018、一种制备氮化钒的方法
0034-0019、氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
0010-0020、双管加压制备氮化硅超细粉的方法
0058-0021、红色氮化物荧光材料及其制造方法
0061-0022、一种有机含硫富氮化合物及其制备方法
0054-0023、背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器
0006-0024、具有内在催化剂的非叠氮化物气体发生组合物
0056-0025、叠*的制备方法
0002-0026、用于生成四氮化三硅薄膜的超薄氧氮化物的UV预处理方法
0053-0027、一种热等静压氮化硅全陶瓷电主轴及其制造方法
0005-0028、单偶氮化合物和用它们对疏水纤维材料染色或印花的方法
0065-0029、氮化镓系发光二极管
0035-0030、氮化碳，碳纳米管纳米二极管的制备方法及应用
0038-0031、等离子体制备氮化铁磁性液体的方法及装置
0023-0032、一种立方相纳米氮化锆的球磨制备方法
0019-0033、利用第三族氮化物四元金属体系的半导体结构
0052-0034、色淀单偶氮化合物的盐
0057-0035、氮化物半导体发光器件及其制造方法
0060-0036、去除硅片背面氮化硅膜的方法
0021-0037、含有α-氮化硅晶须的氮化硅水基流延浆料及其制备方法
0063-0038、制备结晶氮化碳薄膜的装置
0031-0039、氮化物半导体激光元件及其制造方法
0025-0040、一种氮化硅透波材料的制备方法
0044-0041、一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法
0013-0042、聚合的氢化硫代硅氮烷及其制备方法可由其制备的含四氮化三硅陶瓷材料及其制备方
0045-0043、一种β-氮化硅粉体材料的一步反应低温制备方法
0033-0044、一种P型Ⅲ族氮化物材料的制作方法
0037-0045、用于高纵横比半导体器件的掺硼氮化钛层
0003-0046、刻蚀半导体结构中的钨或氮化钨栅极的方法
0012-0047、含四氮化三硅的陶瓷材料和其制备方法
0047-0048、再生六方氮化硼的生产方法
0041-0049、自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法
0059-0050、用于角蛋白纤维染色的对称阳离子四偶氮化合物
0011-0051、聚合的氢化硅氮烷及其制备方法和由其制备含四氮化三硅的陶瓷材料及其制备方法
0020-0052、一种氮化硅水基浓悬浮体的制备方法
0049-0053、一种制备开口氮化碳空心球的方法
0029-0054、使用叠*的测定方法
0064-0055、工件软氮化处理装料架
0008-0056、聚合的氢化硅氮烷及其制备方法和由其制备含四氮化三硅的陶瓷材料及其制备方法
0007-0057、聚硅氮烷和其制备方法以及可由该聚硅氮烷制得的含四氮化三硅的陶瓷材料和其制备方法
0051-0058、色淀单偶氮化合物的盐
0027-0059、牙科用真空氮化钛镀膜桩钉
0016-0060、非叠氮化物气体产生物组合物
0014-0061、无缺陷氮化硅晶须的制备
0046-0062、从有机硼和有机铝叠氮化物制备四唑衍生物的方法
0024-0063、以聚四氟乙烯为添加剂燃烧合成氮化硅粉体的方法
0062-0064、氮化杂环化合物及包含其的药物组合物
0004-0065、制备结晶氮化碳薄膜的方法及装置
0015-0066、纳米碳化硅－氮化硅复相陶瓷及其制备方法
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