晶体存储技术、易失存储器、纳米晶体管、形成工艺
0153-0001、铁电场效应晶体管存储器件结构及制备方法
0147-0002、晶体管型铁电存储器及其制造方法
0162-0003、包括可切换电阻器和晶体管的非易失性存储器单元
0112-0004、用于非易失性存储器中的基准晶体管的可变栅偏置
0088-0005、具有可伸缩二晶体管存储单元的非易失性半导体存储设备
0111-0006、晶体管型铁电体存储器及其制造方法
0041-0007、动态随机存取存储器件中的场效应晶体管和存储单元的制造方法
0127-0008、具有包括半导体纳米晶体的浮栅的非易失存储器件
0079-0009、具沟槽晶体管的存储单元
0130-0010、具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对
0141-0011、具有表面下台阶式浮栅的双电可擦可编程只读存储器型存储晶体管
0149-0012、采用门电路击穿现象的3.5晶体管非逸失性存储单元
0122-0013、具有自旋相关转移特性的场效应晶体管及使用了它的非易失性存储器
0037-0014、封装钨栅极MOS晶体管与存储单元及其制造方法
0126-0015、6F2存取晶体管配置和半导体存储器件
0061-0016、具有电浮置体晶体管的存储器单元和存储器单元阵列及其操作方法
0012-0017、纵向晶体管、存储装置以及用于制造纵向晶体管的方法
0156-0018、由低电压晶体管实现的用于半导体存储器的电平转换器
0121-0019、具有沟槽侧壁晶体管的非易失性存储器件及其制造方法
0026-0020、具有双晶体管，双电容型存储单元的集成存储器
0151-0021、晶体管、存储单元、存储单元阵列及其形成方法
0123-0022、具有自旋相关转移特性的隧道晶体管及使用了它的非易失性存储器
0011-0023、背棚MOS晶体管及其制作方法和静态随机存储器
0169-0024、4F平方自对准鳍底电极场效应晶体管驱动相变化存储器
0165-0025、具有多晶硅浮置隔片的镜像存储单元晶体管对的制造方法
0139-0026、具有MOS晶体管的半导体存储单元阵列及其制造方法
0102-0027、铁电存储晶体管及其形成方法
0062-0028、用于改变电浮动体晶体管的编程持续时间和，或电压的方法和设备以及实现其的存储单元阵列
0138-0029、包括具有隔离体的一个MOS晶体管的存储单元
0055-0030、多位纳米晶体存储器
0089-0031、晶体管结构、存储单元及其阵列、及存储器制造方法
0128-0032、只用单沟道晶体管对所选字线传送电压的半导体存储装置
0076-0033、晶体管和使用了晶体管的半导体存储器
0154-0034、晶体管、存储单元以及制作晶体管的方法
0084-0035、单一晶体管平面随机存取存储单元与其形成方法
0095-0036、利用栅极互耦驱动的负载晶体管读取数据的快速存储器
0025-0037、减少存储节点和晶体管之间相互影响的存储单元布局
0166-0038、存储器件晶体管存储单元以及其制造方法
0142-0039、以单一掩模组结合只读元件的非易失性晶体管存储器阵列
0106-0040、具有存储功能的单电子晶体管及其制造方法
0018-0041、晶体管、晶体管阵列、制造晶体管阵列的方法和非易失半导体存储器
0175-0042、单一晶体管平面随机存取存储单元
0068-0043、用碳纳米管晶体管设计的高集成度单电子存储器
0137-0044、场效应晶体管、特别是垂直场效应晶体管、存储单元和制作方法
0053-0045、基于浮栅结构的非易失性有机薄膜晶体管存储器及其制造方法
0133-0046、自旋注入场效应晶体管、磁随机存取存储器和可重构逻辑电路
0057-0047、基于自旋滤波器效应的自旋晶体管和利用自旋晶体管的非易失存储器
0086-0048、具有纵向超薄体晶体管的折叠位线动态随机存取存储器
0093-0049、鳍形场效晶体管半导体存储器的字线和位线排列
0002-0050、含双晶体存储单元的存储模组
0054-0051、包括双极晶体管存取装置的电阻式存储器
0129-0052、具有多晶硅浮动隔离层的镜像存储单元晶体管对
0078-0053、集成晶体管，存储器结构的矩阵可寻址阵列
0101-0054、带有超薄垂直体晶体管的快速存储器
0171-0055、具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元
0035-0056、含有单独的晶体三极管的存储器器件及其操作与制造方法
0071-0057、具纳米晶体或纳米点之存储单元
0172-0058、四晶体管随机存取存储单元
0040-0059、具有垂直结构晶体管的磁性随机存取存储器及其制造方法
0082-0060、非易失双晶体管半导体存储单元及其制造方法
0069-0061、制造非挥发性存储器晶体管的方法
0046-0062、用于紧密间距存储器阵列线的晶体管布局配置
0001-0063、铁电存储器晶体管的制造方法
0021-0064、非易失Ｐ沟道金属氧化物半导体二晶体管存储单元和阵列
0022-0065、结合薄膜和体Si晶体管的合并逻辑和存储器
0135-0066、存储器的晶体管结构及其制造方法
0028-0067、读出和储存存储单元中铁电晶体管状态的方法和存储矩阵
0104-0068、具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元及其制造方法
0145-0069、包括有二字线晶体管的磁性存储元件及其方法
0103-0070、具有垂直超薄体晶体管的开放位线动态随机存储器
0058-0071、存储器件特别是具有晶体管的相变随机存取存储器件以及用于制造存储器件的方法
0083-0072、应用负微分电阻场效应晶体管的存储单元
0081-0073、刷新同温度成比例的单晶体管存储器的方法和结构
0134-0074、在存储器件中制造三沟道晶体管的方法
0110-0075、具有垂直型晶体管与沟槽电容器的存储器装置的制造方法
0023-0076、带有阻性耦合浮栅的铁电存储晶体管
0007-0077、一种具有平坦式区块选择晶体管的高密度掩模式非挥发性存储器阵列结构
0131-0078、垂直的纳米晶体管用于其制造的方法和存储结构
0136-0079、只用单沟道晶体管对所选字线传送电压的半导体存储装置
0067-0080、利用两端垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器
0173-0081、单一晶体管型随机存取存储器结构
0004-0082、薄膜晶体管存储器件
0008-0083、使用垂直沟道晶体管的半导体存储器件
0044-0084、垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件
0003-0085、有超短栅特征的晶体管和存储器单元及其制造方法
0164-0086、双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法
0034-0087、具有纵向晶体管的存储单元的布图和布线图
0051-0088、晶体管及存储单元阵列
0085-0089、无电容单一晶体管动态随机存取存储器单元及制造方法
0118-0090、可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法
0113-0091、高密度氮化物只读存储器鳍形场效晶体管
0148-0092、包括浮体晶体管无电容器存储单元的存储器件及相关方法
0170-0093、非易失存储器设备编程选择晶体管以及对其编程的方法
0056-0094、高压晶体管和存储器的形成方法
0125-0095、包括一电阻器和一晶体管的非易失存储器件
0017-0096、用于半导体存储器件的薄膜晶体管及其制造方法
0096-0097、基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器及制法
0015-0098、具有垂直MOS晶体管的只读存储单元装置的制造方法
0070-0099、具有选择晶体管的电可擦可编程只读存储器及其制造方法
0075-0100、具有纳米晶体层的SONOS存储器件
0140-0101、制造晶体管的方法和形成存储设备的方法
0073-0102、具对称性选择晶体管的快闪存储器的布局
0016-0103、ＣＭＯＳ晶体管和单电容动态随机存取存储单元及其制造方法
0099-0104、抑制了电流路径上的晶体管组的电阻的薄膜磁性体存储器
0032-0105、模拟存储方法及其温度补偿晶体振荡器
0109-0106、包括每个有浮动栅和控制栅极的MOS晶体管的半导体存储器
0124-0107、利用反馈金属氧化物半导体场效应晶体管的抗单击扰动的静态随机存取存储器
0080-0108、单一晶体管型随机存取存储器的制造方法及其电容器结构
0048-0109、具有在金属氧化物介质层中的电荷存储纳米晶体的集成电路器件栅结构及其制造方法
0038-0110、铁电体晶体三极管及其在存储单元装置中的应用
0119-0111、使用背侧捕获的可缩放纳米晶体管和存储器
0114-0112、MFS型场效应晶体管及其制造方法、强电介质存储器及半导体装置
0091-0113、具沟槽晶体管氮化物只读存储器记忆单元的制造方法
0144-0114、具有多个MOS晶体管的半导体存储器件及其控制方法
0045-0115、晶体管非易失性存储器单元及其相关存储器阵列
0030-0116、适用于非易失性存储器的隧道晶体管
0117-0117、场效应晶体管结构、其半导体存储单元及其制造方法
0009-0118、采用单个晶体管的高密度半导体存储器单元和存储器阵列
0063-0119、非易失性存储器晶体管、堆叠式存储装置及其制造方法
0107-0120、存储多位的晶体管以及制造包括它的半导体存储器的方法
0120-0121、鳍式场效应晶体管存储单元、鳍式场效应晶体管存储单元配置及制造鳍式场效应晶体管存储单元方法
0132-0122、垂直的纳米晶体管其制造方法和存储器结构
0146-0123、包括单字线晶体管的磁性存储元件的系统及其制造方法
0039-0124、只用单沟道晶体管对所选字线传送电压的半导体存储装置
0064-0125、使用多隧穿结结构的单电子晶体管的多值单电子存储器
0036-0126、EEPROM使用的单一晶体管存储单元
0074-0127、不对称晶体结构存储单元
0024-0128、具有非易失性双晶体管存储单元的半导体存储器
0167-0129、包括沟槽中的纳米晶体存储元件的可编程结构
0108-0130、新型动态随机存取存储器存取晶体管
0158-0131、使用单晶体管的高密度半导体存储单元和存储器陈列
0087-0132、具有以有机半导体为基础的晶体管及非易失性读，存储器胞元的半导体装置
0072-0133、以部分空乏与完全空乏晶体管建构的静态存储元件
0159-0134、晶体管和存储单元阵列及其制造方法
0098-0135、两端垂直结构的碳纳米管晶体管做的单电子存储器及制法
0005-0136、光折变晶体多重全息存储器的热固定方法和系统
0059-0137、用于4.5F2动态随机存取存储器单元的具有接地栅极的沟槽隔离晶体管和其制造方法
0049-0138、具有自旋相关转移特性的隧道晶体管及使用了它的非易失性存储器
0163-0139、二晶体管式静态随机存取存储器及其记忆胞
0019-0140、具有邻近驱动晶体管源极小区域的静态随机存取存储器
0013-0141、伪静态四晶体管存储单元
0029-0142、铁电晶体管、其在存储单元系统内的应用及其制法
0052-0143、一种实现存储器功能的场效应晶体管及其制备方法
0092-0144、具有栅极电介质结构易失性存储器的晶体管及其制造方法
0157-0145、具有埋入衬底的栅的动态随机存取存储器晶体管及其形成方法
0090-0146、包括高压晶体管的非易失性存储器件及其制造方法
0042-0147、自旋存储器和自旋场效应晶体管
0031-0148、铁电存储器场效应晶体管器件及其制作方法
0010-0149、两晶体管的静态随机存取存储单元及其操作方法
0060-0150、用于交叉点存储器的薄膜晶体管及其制造方法
0174-0151、以部分空乏与完全空乏晶体管建构的静态存储元件
0097-0152、用垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器及制法
0043-0153、晶体管、存储单元阵列以及制造晶体管的方法
0116-0154、自旋晶体管、可编程逻辑电路和磁存储器
0161-0155、具有三维排列的存储单元晶体管的与非型闪存器件
0155-0156、带有各自具有浮动栅极和控制栅极的多个MOS晶体管的半导体存储设备
0160-0157、具有旁路晶体管的非易失性存储器件及其操作方法
0152-0158、三维薄膜晶体管式纳米晶粒存储器元件及其制法
0066-0159、用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器
0168-0160、具有SOI结构的晶体管及电容器且非易失地存储数据的半导体装置
0143-0161、具有作为开关单元的晶体管和二极管的非易失性存储器
0100-0162、使用铁电栅极场效应晶体管的非易失性存储器和制造方法
0077-0163、随机存取存储单元，四晶体管随机存取存储单元及存储装置
0094-0164、基于自旋滤波器效应的自旋晶体管和利用自旋晶体管的非易失存储器
0105-0165、具有垂直超薄体晶体管的可编程存储器的寻址和译码器电路
0115-0166、单晶体随机存取存储单元、存储器装置及其制造方法
0033-0167、具有含有一个铁电存储器晶体管的存储单元的集成存储器
0027-0168、用于DRAM存储器的带有垂直晶体管的写入放大器，读出放大器
0050-0169、带源极和漏极绝缘区域的单晶体管存储装置及其制造方法
0150-0170、一种堆叠薄膜晶体管非易失性存储器件及其制造方法
0047-0171、具有纳米管浮动栅极的非易失性存储晶体管
0020-0172、具有两对晶体管和一对负载元件的静态存储单元
0014-0173、动态随机存取存储器件中的MOS场效应晶体管及其制造方法
0065-0174、基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器
0006-0175、单晶体管型磁随机存取存储器及其操作和制造方法
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0147-0002、晶体管型铁电存储器及其制造方法
0162-0003、包括可切换电阻器和晶体管的非易失性存储器单元
0112-0004、用于非易失性存储器中的基准晶体管的可变栅偏置
0088-0005、具有可伸缩二晶体管存储单元的非易失性半导体存储设备
0111-0006、晶体管型铁电体存储器及其制造方法
0041-0007、动态随机存取存储器件中的场效应晶体管和存储单元的制造方法
0127-0008、具有包括半导体纳米晶体的浮栅的非易失存储器件
0079-0009、具沟槽晶体管的存储单元
0130-0010、具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对
0141-0011、具有表面下台阶式浮栅的双电可擦可编程只读存储器型存储晶体管
0149-0012、采用门电路击穿现象的3.5晶体管非逸失性存储单元
0122-0013、具有自旋相关转移特性的场效应晶体管及使用了它的非易失性存储器
0037-0014、封装钨栅极MOS晶体管与存储单元及其制造方法
0126-0015、6F2存取晶体管配置和半导体存储器件
0061-0016、具有电浮置体晶体管的存储器单元和存储器单元阵列及其操作方法
0012-0017、纵向晶体管、存储装置以及用于制造纵向晶体管的方法
0156-0018、由低电压晶体管实现的用于半导体存储器的电平转换器
0121-0019、具有沟槽侧壁晶体管的非易失性存储器件及其制造方法
0026-0020、具有双晶体管，双电容型存储单元的集成存储器
0151-0021、晶体管、存储单元、存储单元阵列及其形成方法
0123-0022、具有自旋相关转移特性的隧道晶体管及使用了它的非易失性存储器
0011-0023、背棚MOS晶体管及其制作方法和静态随机存储器
0169-0024、4F平方自对准鳍底电极场效应晶体管驱动相变化存储器
0165-0025、具有多晶硅浮置隔片的镜像存储单元晶体管对的制造方法
0139-0026、具有MOS晶体管的半导体存储单元阵列及其制造方法
0102-0027、铁电存储晶体管及其形成方法
0062-0028、用于改变电浮动体晶体管的编程持续时间和，或电压的方法和设备以及实现其的存储单元阵列
0138-0029、包括具有隔离体的一个MOS晶体管的存储单元
0055-0030、多位纳米晶体存储器
0089-0031、晶体管结构、存储单元及其阵列、及存储器制造方法
0128-0032、只用单沟道晶体管对所选字线传送电压的半导体存储装置
0076-0033、晶体管和使用了晶体管的半导体存储器
0154-0034、晶体管、存储单元以及制作晶体管的方法
0084-0035、单一晶体管平面随机存取存储单元与其形成方法
0095-0036、利用栅极互耦驱动的负载晶体管读取数据的快速存储器
0025-0037、减少存储节点和晶体管之间相互影响的存储单元布局
0166-0038、存储器件晶体管存储单元以及其制造方法
0142-0039、以单一掩模组结合只读元件的非易失性晶体管存储器阵列
0106-0040、具有存储功能的单电子晶体管及其制造方法
0018-0041、晶体管、晶体管阵列、制造晶体管阵列的方法和非易失半导体存储器
0175-0042、单一晶体管平面随机存取存储单元
0068-0043、用碳纳米管晶体管设计的高集成度单电子存储器
0137-0044、场效应晶体管、特别是垂直场效应晶体管、存储单元和制作方法
0053-0045、基于浮栅结构的非易失性有机薄膜晶体管存储器及其制造方法
0133-0046、自旋注入场效应晶体管、磁随机存取存储器和可重构逻辑电路
0057-0047、基于自旋滤波器效应的自旋晶体管和利用自旋晶体管的非易失存储器
0086-0048、具有纵向超薄体晶体管的折叠位线动态随机存取存储器
0093-0049、鳍形场效晶体管半导体存储器的字线和位线排列
0002-0050、含双晶体存储单元的存储模组
0054-0051、包括双极晶体管存取装置的电阻式存储器
0129-0052、具有多晶硅浮动隔离层的镜像存储单元晶体管对
0078-0053、集成晶体管，存储器结构的矩阵可寻址阵列
0101-0054、带有超薄垂直体晶体管的快速存储器
0171-0055、具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元
0035-0056、含有单独的晶体三极管的存储器器件及其操作与制造方法
0071-0057、具纳米晶体或纳米点之存储单元
0172-0058、四晶体管随机存取存储单元
0040-0059、具有垂直结构晶体管的磁性随机存取存储器及其制造方法
0082-0060、非易失双晶体管半导体存储单元及其制造方法
0069-0061、制造非挥发性存储器晶体管的方法
0046-0062、用于紧密间距存储器阵列线的晶体管布局配置
0001-0063、铁电存储器晶体管的制造方法
0021-0064、非易失Ｐ沟道金属氧化物半导体二晶体管存储单元和阵列
0022-0065、结合薄膜和体Si晶体管的合并逻辑和存储器
0135-0066、存储器的晶体管结构及其制造方法
0028-0067、读出和储存存储单元中铁电晶体管状态的方法和存储矩阵
0104-0068、具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元及其制造方法
0145-0069、包括有二字线晶体管的磁性存储元件及其方法
0103-0070、具有垂直超薄体晶体管的开放位线动态随机存储器
0058-0071、存储器件特别是具有晶体管的相变随机存取存储器件以及用于制造存储器件的方法
0083-0072、应用负微分电阻场效应晶体管的存储单元
0081-0073、刷新同温度成比例的单晶体管存储器的方法和结构
0134-0074、在存储器件中制造三沟道晶体管的方法
0110-0075、具有垂直型晶体管与沟槽电容器的存储器装置的制造方法
0023-0076、带有阻性耦合浮栅的铁电存储晶体管
0007-0077、一种具有平坦式区块选择晶体管的高密度掩模式非挥发性存储器阵列结构
0131-0078、垂直的纳米晶体管用于其制造的方法和存储结构
0136-0079、只用单沟道晶体管对所选字线传送电压的半导体存储装置
0067-0080、利用两端垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器
0173-0081、单一晶体管型随机存取存储器结构
0004-0082、薄膜晶体管存储器件
0008-0083、使用垂直沟道晶体管的半导体存储器件
0044-0084、垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件
0003-0085、有超短栅特征的晶体管和存储器单元及其制造方法
0164-0086、双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法
0034-0087、具有纵向晶体管的存储单元的布图和布线图
0051-0088、晶体管及存储单元阵列
0085-0089、无电容单一晶体管动态随机存取存储器单元及制造方法
0118-0090、可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法
0113-0091、高密度氮化物只读存储器鳍形场效晶体管
0148-0092、包括浮体晶体管无电容器存储单元的存储器件及相关方法
0170-0093、非易失存储器设备编程选择晶体管以及对其编程的方法
0056-0094、高压晶体管和存储器的形成方法
0125-0095、包括一电阻器和一晶体管的非易失存储器件
0017-0096、用于半导体存储器件的薄膜晶体管及其制造方法
0096-0097、基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器及制法
0015-0098、具有垂直MOS晶体管的只读存储单元装置的制造方法
0070-0099、具有选择晶体管的电可擦可编程只读存储器及其制造方法
0075-0100、具有纳米晶体层的SONOS存储器件
0140-0101、制造晶体管的方法和形成存储设备的方法
0073-0102、具对称性选择晶体管的快闪存储器的布局
0016-0103、ＣＭＯＳ晶体管和单电容动态随机存取存储单元及其制造方法
0099-0104、抑制了电流路径上的晶体管组的电阻的薄膜磁性体存储器
0032-0105、模拟存储方法及其温度补偿晶体振荡器
0109-0106、包括每个有浮动栅和控制栅极的MOS晶体管的半导体存储器
0124-0107、利用反馈金属氧化物半导体场效应晶体管的抗单击扰动的静态随机存取存储器
0080-0108、单一晶体管型随机存取存储器的制造方法及其电容器结构
0048-0109、具有在金属氧化物介质层中的电荷存储纳米晶体的集成电路器件栅结构及其制造方法
0038-0110、铁电体晶体三极管及其在存储单元装置中的应用
0119-0111、使用背侧捕获的可缩放纳米晶体管和存储器
0114-0112、MFS型场效应晶体管及其制造方法、强电介质存储器及半导体装置
0091-0113、具沟槽晶体管氮化物只读存储器记忆单元的制造方法
0144-0114、具有多个MOS晶体管的半导体存储器件及其控制方法
0045-0115、晶体管非易失性存储器单元及其相关存储器阵列
0030-0116、适用于非易失性存储器的隧道晶体管
0117-0117、场效应晶体管结构、其半导体存储单元及其制造方法
0009-0118、采用单个晶体管的高密度半导体存储器单元和存储器阵列
0063-0119、非易失性存储器晶体管、堆叠式存储装置及其制造方法
0107-0120、存储多位的晶体管以及制造包括它的半导体存储器的方法
0120-0121、鳍式场效应晶体管存储单元、鳍式场效应晶体管存储单元配置及制造鳍式场效应晶体管存储单元方法
0132-0122、垂直的纳米晶体管其制造方法和存储器结构
0146-0123、包括单字线晶体管的磁性存储元件的系统及其制造方法
0039-0124、只用单沟道晶体管对所选字线传送电压的半导体存储装置
0064-0125、使用多隧穿结结构的单电子晶体管的多值单电子存储器
0036-0126、EEPROM使用的单一晶体管存储单元
0074-0127、不对称晶体结构存储单元
0024-0128、具有非易失性双晶体管存储单元的半导体存储器
0167-0129、包括沟槽中的纳米晶体存储元件的可编程结构
0108-0130、新型动态随机存取存储器存取晶体管
0158-0131、使用单晶体管的高密度半导体存储单元和存储器陈列
0087-0132、具有以有机半导体为基础的晶体管及非易失性读，存储器胞元的半导体装置
0072-0133、以部分空乏与完全空乏晶体管建构的静态存储元件
0159-0134、晶体管和存储单元阵列及其制造方法
0098-0135、两端垂直结构的碳纳米管晶体管做的单电子存储器及制法
0005-0136、光折变晶体多重全息存储器的热固定方法和系统
0059-0137、用于4.5F2动态随机存取存储器单元的具有接地栅极的沟槽隔离晶体管和其制造方法
0049-0138、具有自旋相关转移特性的隧道晶体管及使用了它的非易失性存储器
0163-0139、二晶体管式静态随机存取存储器及其记忆胞
0019-0140、具有邻近驱动晶体管源极小区域的静态随机存取存储器
0013-0141、伪静态四晶体管存储单元
0029-0142、铁电晶体管、其在存储单元系统内的应用及其制法
0052-0143、一种实现存储器功能的场效应晶体管及其制备方法
0092-0144、具有栅极电介质结构易失性存储器的晶体管及其制造方法
0157-0145、具有埋入衬底的栅的动态随机存取存储器晶体管及其形成方法
0090-0146、包括高压晶体管的非易失性存储器件及其制造方法
0042-0147、自旋存储器和自旋场效应晶体管
0031-0148、铁电存储器场效应晶体管器件及其制作方法
0010-0149、两晶体管的静态随机存取存储单元及其操作方法
0060-0150、用于交叉点存储器的薄膜晶体管及其制造方法
0174-0151、以部分空乏与完全空乏晶体管建构的静态存储元件
0097-0152、用垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器及制法
0043-0153、晶体管、存储单元阵列以及制造晶体管的方法
0116-0154、自旋晶体管、可编程逻辑电路和磁存储器
0161-0155、具有三维排列的存储单元晶体管的与非型闪存器件
0155-0156、带有各自具有浮动栅极和控制栅极的多个MOS晶体管的半导体存储设备
0160-0157、具有旁路晶体管的非易失性存储器件及其操作方法
0152-0158、三维薄膜晶体管式纳米晶粒存储器元件及其制法
0066-0159、用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器
0168-0160、具有SOI结构的晶体管及电容器且非易失地存储数据的半导体装置
0143-0161、具有作为开关单元的晶体管和二极管的非易失性存储器
0100-0162、使用铁电栅极场效应晶体管的非易失性存储器和制造方法
0077-0163、随机存取存储单元，四晶体管随机存取存储单元及存储装置
0094-0164、基于自旋滤波器效应的自旋晶体管和利用自旋晶体管的非易失存储器
0105-0165、具有垂直超薄体晶体管的可编程存储器的寻址和译码器电路
0115-0166、单晶体随机存取存储单元、存储器装置及其制造方法
0033-0167、具有含有一个铁电存储器晶体管的存储单元的集成存储器
0027-0168、用于DRAM存储器的带有垂直晶体管的写入放大器，读出放大器
0050-0169、带源极和漏极绝缘区域的单晶体管存储装置及其制造方法
0150-0170、一种堆叠薄膜晶体管非易失性存储器件及其制造方法
0047-0171、具有纳米管浮动栅极的非易失性存储晶体管
0020-0172、具有两对晶体管和一对负载元件的静态存储单元
0014-0173、动态随机存取存储器件中的MOS场效应晶体管及其制造方法
0065-0174、基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器
0006-0175、单晶体管型磁随机存取存储器及其操作和制造方法
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