隧道结存储技术、隧道结的存储工艺
0018-0001、全金属量子点单电子存储器
0001-0002、其存储单元具有串联的磁隧道结和隧道结的存储器件
0052-0003、包括磁隧道结结构和衬底之间的存储器及其相关方法
0061-0004、磁存储器及其制造方法
0034-0005、非易失性磁高速缓冲存储器
0007-0006、磁性元件和使用这种磁性元件的磁头和磁存储器
0046-0007、具有减小的翻转磁场的磁致电阻随机存取存储器
0008-0008、全金属量子点单电子存储器
0012-0009、磁电阻元件和磁存储装置
0014-0010、磁隧道结器件、使用该器件的磁存储器和单元及其存取方法
0006-0011、具有双隧道结存储单元的存储器件
0030-0012、磁性隧道结单元及磁性随机存取存储器
0057-0013、磁存储器件以及向磁存储器件写入数据的方法
0036-0014、用于磁性随机存取存储器的反铁磁性耦合的双层传感器
0021-0015、磁存储装置与磁基片
0016-0016、具有垂直结构晶体管的磁性随机存取存储器及其制造方法
0060-0017、磁阻隧道结磁性器件及其在磁性随机存取存储器中的应用
0023-0018、磁存储装置与磁基片
0015-0019、可进行稳定的数据读出和数据写入的薄膜磁性体存储器
0050-0020、操作自旋注入操作磁随机存取存储器件的方法及相关器件
0062-0021、一种碳纳米管磁随机存取存储器
0025-0022、提高可伸缩性的磁电阻随机存取存储器
0054-0023、磁存储器件及其控制和制造方法
0011-0024、改进写入裕度的具有成对不对称存储单元的磁存储阵列
0002-0025、具有串联二极管的磁随机存取存储器的三次取样读出
0028-0026、适于用作亚微米存储器的增强磁稳定性装置
0039-0027、带有写禁止选择的磁存储器及其写入方法
0041-0028、用于磁性随机存取存储装置的自对准导电线及其形成方法
0033-0029、磁性隧道结器件及存储器阵列
0055-0030、磁性存储器件及其制造方法
0037-0031、掩埋磁隧道结存储器单元和方法
0043-0032、磁电阻随机存取存储器
0032-0033、磁随机存取存储器以及从其中读取数据的方法
0059-0034、磁性存储装置
0044-0035、磁隧道结存储单元结构
0058-0036、磁性存储装置
0031-0037、包括热量产生层的磁随机存取存储器及相关方法
0004-0038、具有双隧道结的磁阻存储器件
0040-0039、使用非晶亚铁磁性合金、由自旋极化电流写入的磁存储器、及其写入方法
0010-0040、非易失性磁存储单元和器件
0019-0041、单电子二极管存储器
0056-0042、带有磁性隧道结以热辅助方式写入的磁存储器及其写入方法
0051-0043、磁存储器件及其操作和制造方法
0047-0044、磁性隧道结结构、磁性随机存取存储单元、及光掩模
0053-0045、磁电阻式随机存取存储器件结构及其制造方法
0029-0046、在未构图的连续磁层中存储数据的系统和方法
0038-0047、形成磁性随机存取存储器的磁性隧道结层的方法
0048-0048、使用铁磁隧道结器件的磁存储装置
0049-0049、利用磁性写线的MRAM的存储器
0045-0050、使用铁磁隧道结器件的磁存储装置
0042-0051、使用铁磁隧道结元件的磁存储装置
0022-0052、磁存储装置与磁基片
0017-0053、磁性随机存取存储器及其形成方法
0020-0054、单电子三极管存储器
0026-0055、磁隧道结及包括它的存储器件
0024-0056、一种碳纳米管磁随机存取存储器
0035-0057、磁随机存取存储器及其制造和驱动方法
0013-0058、磁隧道结元件和使用它的磁存储器
0003-0059、磁隧道结磁阻随机存取存储器并联─并联结构
0027-0060、具有低写入电流特性的磁随机存储器存储单元及其制备方法
0005-0061、交叉点阵列中存储单元的隔离
0009-0062、具有磁隧道结单元和远程二极管的磁随机存取存储器阵列
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0052-0003、包括磁隧道结结构和衬底之间的存储器及其相关方法
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0034-0005、非易失性磁高速缓冲存储器
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