结晶硅技术、用于结晶硅、避免多晶硅、异质结工艺
0266-0001、快开式、水冷结构的多晶硅还原炉
0126-0002、在半导体制程中避免多晶硅纵樑形成的半导体结构
0250-0003、一种晶体硅太阳电池热扩散制备PN结的方法
0242-0004、非晶硅－晶体硅异质结太阳电池
0109-0005、双螺杆层状结晶硅酸钠连续生产炉
0006-0006、一种结晶非晶硅的方法
0102-0007、硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管(JFET、制造方法
0024-0008、硅锌矿结晶釉的定位定形技术
0047-0009、全石英砂冶炼结晶硅的生产工艺
0188-0010、用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法
0286-0011、晶体硅太阳电池组件用接线盒的扣盖式结构
0108-0012、层状结晶硅酸钠生产结晶炉
0075-0013、非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺
0173-0014、应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法
0157-0015、结晶掩模、非晶硅结晶方法及利用其制造阵列基板的方法
0278-0016、绝缘层上覆硅单晶芯片结构
0116-0017、用于结晶多晶硅的掩膜及利用该掩膜形成薄膜晶体管的方法
0246-0018、用于制造深结绝缘体上硅晶体管的方法
0204-0019、用于多晶硅低温结晶化的金属催化剂掺杂装置及通过该装置进行掺杂的方法
0182-0020、纳米晶硅，单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法
0243-0021、通过自对准形成多晶硅浮栅结构的方法
0059-0022、一种层状结晶二硅酸钠的制造方法
0136-0023、连续横向结晶装置和使用它结晶硅的方法
0247-0024、非晶硅的金属诱导结晶和金属吸除技术
0275-0025、用于多晶硅结晶的不透明石英坩埚及其制造方法
0230-0026、UZM-8和UZM-8HS结晶铝硅酸盐沸石组合物及使用该组合物的方法
0084-0027、高纯度结晶层状硅酸钠的制备方法
0057-0028、含结晶硅铝酸盐沸石和贵金属的催化剂及其制备方法
0206-0029、低温多晶硅液晶显示结构及其制造方法
0215-0030、用于探针结合的硅晶片以及使用其进行结合的方法
0279-0031、硅绝缘体单晶芯片结构
0217-0032、用于应变硅MOS晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构
0274-0033、热蒸发法制备孪晶结构碳化硅纳米线的方法
0023-0034、锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管
0229-0035、一种再结晶碳化硅制品的制备技术
0128-0036、利用纳米二氧化硅原位制备快速结晶型聚酯的方法
0172-0037、结晶铝硅酸盐沸石组合物:UZM-4M
0174-0038、化学机械抛光用于接合多晶硅插拴制造方法及其结构
0165-0039、利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
0189-0040、采用斜坡型激光束的硅结晶方法
0048-0041、利用急冷结晶制造偏硅酸钠的方法
0081-0042、片状氧化铝颗粒结合碳化硅晶片组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
0115-0043、一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构及方法
0010-0044、非晶硅结晶法
0073-0045、β、δ相层状结晶二硅酸钠的生产方法
0069-0046、用于生产结晶层状二硅酸钠的改进方法
0145-0047、具有八元氧环微孔的结晶硅铝磷酸盐分子筛、其制备方法和以此分子筛为催化剂生产甲胺的方法
0162-0048、用于Lsy或OELD的具有多栅极结构的结晶硅TFT板
0257-0049、液晶硅微型显示器的基板结合方法
0134-0050、超小粒径多晶硅的结构和方法
0008-0051、多孔结晶硅酸盐的非原位固态磷活化
0078-0052、新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池
0044-0053、硅，锗硅垂直结型场效应晶体管
0210-0054、用于形成用于应变硅MOS晶体管的第二隔片的方法和结构
0293-0055、具有五层保温条的多晶硅铸锭炉的热场结构
0272-0056、有机发光二极管低温多晶硅制造方法与激光退火结晶系统
0260-0057、硅纳米线非晶硅异质结太阳能电池
0122-0058、多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管
0142-0059、一种用于合成纳米，亚微米高硅ZSM-5沸石的非晶态无机结构导向剂及其制备方法
0276-0060、烧结熔融氧化硅制备含有结晶，2的成型体
0187-0061、具有应变硅层的晶片结构体的制造方法和该方法的中间产物
0110-0062、双层玻璃结构的晶体硅太阳电池组件
0169-0063、采用硅-锗和硅-碳合金的异质结场效应晶体管
0051-0064、单晶硅－纳米晶立方氮化硼薄膜类P－N结及其制作方法
0231-0065、含有硅的结晶化的聚对苯二甲酸*酯及其制备方法
0170-0066、一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法
0207-0067、硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构
0035-0068、采用过渡改性结构非晶硅光敏层的液晶光阀
0156-0069、在基质上沉积至少部分结晶硅层的方法和设备
0016-0070、单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法
0150-0071、在双金属，多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤
0030-0072、非水体系中高硅结晶铝硅酸盐及其衍生物的合成
0106-0073、碳化硅再结晶保护管热电偶
0265-0074、用于硅结晶的坩埚及其制造方法
0222-0075、结晶铝硅酸盐沸石组合物：UZM-15
0153-0076、硅薄膜结晶方法、用该方法的薄膜晶体管及其平板显示器
0240-0077、将非晶硅结晶成多晶硅的方法及使用于此方法之光刻掩膜
0202-0078、高质量硅单晶的生长方法和装置、硅单晶结晶块及硅晶片
0132-0079、非晶质硅膜的结晶方法
0011-0080、多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法
0280-0081、硅绝缘体单晶芯片结构
0200-0082、具有自支撑的非晶硅热成像探测器微结构的制作方法
0012-0083、利用玉米芯作还原剂生产结晶硅
0294-0084、具有石墨冷却块保温条的多晶硅铸锭炉热场结构
0043-0085、一种高硅高结晶度Y型分子筛及其制备方法
0111-0086、陶瓷基片结晶硅薄膜太阳能电池
0232-0087、硅结晶化用的掩模、用其结晶化硅的方法及显示设备
0199-0088、纳米级结晶硅粉末
0235-0089、凹凸棒黏土制备δ-层状结晶二硅酸钠的方法
0036-0090、硅碳棒及碳化硅再结晶制品的节能工艺及配方
0259-0091、多层外延硅单结晶晶片制造方法及多层外延硅单结晶晶片
0107-0092、新型结构的玻璃衬底内连式弱光非晶硅电池
0019-0093、在碳化硅中制造双极结晶体管的方法和得到的器件
0026-0094、硅磷铝酸盐及有关结晶氧化物
0151-0095、结晶状硅铝酸盐沸石组合物:UZM-4以及使用该组合物的方法
0277-0096、围栅控制结构的硅基单电子晶体管及其制作方法
0049-0097、一种含结晶硅铝酸盐沸石和贵金属的催化剂及其制备方法
0080-0098、棒状氧化铝颗粒结合碳化硅晶片组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
0040-0099、一种碳化硅再结晶制品的冷挤压成型一次烧成的方法
0214-0100、一种新结构的晶体硅太阳能电池
0139-0101、改进具有MWW结构的结晶硅钛酸盐催化剂的方法
0140-0102、具复合多晶硅层的半导体结构及其应用的显示面板
0133-0103、去除深沟槽结构中半球形晶粒硅层的方法
0213-0104、用于硅结晶的坩埚
0096-0105、在硅凹陷中后续外延生长应变硅MOS晶片管的方法和结构
0120-0106、多晶硅层结构与其形成方法以及平面显示器
0248-0107、低温多晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法
0017-0108、低电压操作的单一多晶硅快闪存储单元结构及其阵列
0113-0109、多晶硅氢还原炉测温视镜结构
0290-0110、新型快开式、水冷结构的多晶硅还原炉
0256-0111、用于产生结晶方向受控的多晶硅膜的系统和方法
0129-0112、带有结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法
0138-0113、硅结晶设备及硅结晶方法
0283-0114、悬浮换热烧结结晶制造层硅的装置
0015-0115、绝缘层上覆硅单晶芯片结构及其制造方法
0114-0116、半导体电路制造的多层多晶硅瓦片结构
0041-0117、制造结晶硅半导体和薄膜晶体管的方法
0034-0118、具有小平均晶体尺寸的十二硅1H结构型的笼形硅
0148-0119、多晶硅化金属栅极结构及其制造方法
0185-0120、一种结晶二硅酸钠的制备方法
0003-0121、轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
0143-0122、可诱导聚氯乙烯结晶的纳米二氧化硅制备方法
0112-0123、多晶硅铸锭炉的热场结构
0195-0124、一种结晶硅铝酸盐及其制备方法
0021-0125、无胺法合成高硅铝比和高结晶度的ZSM-5沸石分子筛
0192-0126、使用自组装单层的硅结晶法
0131-0127、测量多晶硅薄膜热膨胀系数的测量结构及其测量方法
0089-0128、半导体器件的着片多晶硅接触结构及栅极结构的制造方法
0167-0129、用于应变硅MOS晶体管的金属硬掩模方法和结构
0221-0130、多晶硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
0037-0131、结晶二硅酸钠制备方法
0076-0132、硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法
0002-0133、利用掩膜使非晶硅结晶的方法
0062-0134、与硅具有稳定结晶界面的半导体结构的制造方法
0171-0135、一种微孔结晶硅酸铝及其制备方法
0072-0136、气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
0125-0137、形成具有完全硅化结构的半导体组件及晶体管的方法
0005-0138、结晶硅铝磷酸盐的合成
0124-0139、连续横向固化装置和使用该装置结晶硅的方法
0264-0140、金属氧化物半导体晶体管的金属硅化工艺及晶体管结构
0097-0141、单晶硅棒制造方法和单晶硅棒结构
0224-0142、叠层储存电容器结构、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
0193-0143、悬浮换热烧结结晶法制备层硅的方法及其装置
0055-0144、结晶性硅系列半导体薄膜的制造方法
0244-0145、多孔硅层结构的晶体硅太阳电池
0039-0146、一种直接快速烧成高强碳化硅再结晶制品的方法
0191-0147、带有掺杂多晶硅场发射阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺
0291-0148、多晶硅铸锭炉的热场结构
0163-0149、低温多晶硅薄膜电晶体的结构
0123-0150、层状结晶二硅酸钠生产方法
0226-0151、用于静电放电保护的改善多晶硅-源区边界电场的结构
0196-0152、对称结构双级解耦单晶硅微机械陀螺仪
0147-0153、用于制造垂直DRAM中的钨，多晶硅字线结构的方法及由此制造的器件
0249-0154、UZM-12和UZM-12HS:结晶硅铝酸盐沸石组合物及该组合物的制备和使用方法
0216-0155、使用应变硅用于晶体管的集成设计方法和结构
0197-0156、结晶硅铝酸盐:UZM-13、UZM-17、UZM-19和UZM-25
0020-0157、获得粗粒纯硅酸结晶的方法
0061-0158、从低缺陷密度的单晶硅上制备硅－绝缘体结构
0251-0159、NPN型的锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
0201-0160、具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
0282-0161、生产层状结晶二硅酸钠的预处理装置
0095-0162、基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管
0068-0163、与硅具有结晶碱土金属氧化物界面的半导体结构
0234-0164、一种新型金属氧化物硅场效应晶体管栅极结构及其制备工艺
0160-0165、具有应变硅锗层磊晶的场效应晶体管结构及其制造方法
0289-0166、一种直拉硅单晶生长的热场结构
0271-0167、一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构
0014-0168、硅基液晶的背板结构
0103-0169、一种低硅高钙大结晶电熔镁砂炉
0085-0170、一种具有周期性孪晶结构的碳化硅纳米线的制备方法
0288-0171、丝网印刷铝背发射结N型单晶硅太阳电池
0050-0172、成膜设备和形成结晶硅薄膜的方法
0258-0173、结晶硅的方法、结晶硅的装置薄膜晶体管及显示装置
0262-0174、碱性条件下制备廉价高结晶度纯硅MCM-41分子筛的方法
0179-0175、含有油聚硅氧烷-聚酰胺聚合物和结晶态聚硅氧烷化合物的组合物
0228-0176、具有碳化硅钝化层的碳化硅双极结型晶体管及其制造方法
0009-0177、一种大结晶氟硅酸钠、钾的连续生产方法
0203-0178、阵列基底、制造该阵列基底的方法和使硅结晶的方法
0046-0179、微孔结晶硅铝磷酸盐组合物含它的催化材料及其应用
0175-0180、制造用于硅上液晶器件（LCOS）的平滑镜的方法与结构
0161-0181、用于Lsy或OELD的具有LDD区的结晶硅TFT板
0027-0182、在结晶硅铝酸盐沸石为基础的催化剂中加入钼化物改进烃类转化的过程
0018-0183、具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构及其形成方法
0104-0184、控制高温结晶炉内熔硅结晶速度的水冷却装置
0164-0185、UZM-5、UZM-5P和UZM-6结晶硅铝酸盐沸石及其使用方法
0225-0186、制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法
0209-0187、高质量硅单晶结晶块的生长装置及使用此装置的生长方法
0135-0188、硅化金属栅极晶体管的结构和方法
0155-0189、多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法
0184-0190、在（111）晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法
0105-0191、碳化硅再结晶热电偶保护管
0087-0192、可反射出色域的电极结构以及单晶硅面板与显示装置
0060-0193、结晶硅半导体器件及其制造方法
0212-0194、整体式双结非晶硅太阳能电池幕墙及其制造方法和应用
0054-0195、形成具有多晶硅-硅化钛结构的栅极的方法
0077-0196、多晶硅-绝缘层-金属结构的电容及其制作方法
0183-0197、在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法
0152-0198、柱状结构纳米硅非晶硅碳复合光导层液晶光阀及制备方法
0004-0199、结晶硅薄膜半导体器件光电器件及前者的制造方法
0292-0200、具有一层保温条的多晶硅铸锭炉的热场结构
0079-0201、多晶硅基片结晶度的测量方法及其应用
0032-0202、硅增强的新型结晶氧化铝
0181-0203、用于硅层结晶的可变掩膜器件及使用该器件的结晶方法
0098-0204、非晶硅多结核电池
0158-0205、薄膜晶体管用非晶硅的结晶方法
0186-0206、添加硅的*化镓单结晶基板
0022-0207、高压金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET、结构及其制造方法
0273-0208、一种控制取向硅钢二次再结晶晶粒尺寸的工艺方法
0118-0209、制备硫化镉-二氧化硅核壳结构三维光子晶体的方法
0198-0210、脊形波导与二维光子晶体相结合的硅基拉曼激光器结构
0058-0211、一种结晶层状硅酸钠制备方法
0269-0212、混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用
0154-0213、单晶硅太阳能电池的表面结构及其制作方法
0159-0214、使用纳米颗粒结晶无定形硅的方法
0180-0215、采用直接合成法合成结晶金属硅铝酸盐的方法
0284-0216、晶体硅太阳电池组件用接线盒的灌胶密封结构
0254-0217、抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺
0255-0218、多晶硅铸锭炉的热场结构
0245-0219、蘸取式多晶硅太阳能电池p-n结的制作方法
0067-0220、与硅具有结晶碱土金属氧化物界面的半导体结构制造方法
0177-0221、具有双栅极结构的非晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0176-0222、形成多晶硅结构
0086-0223、单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池
0205-0224、用于连续侧向结晶的掩膜及用此掩膜结晶非晶硅层的方法
0137-0225、硅结晶设备
0053-0226、增进多晶硅电阻稳定性的结构及其方法
0149-0227、针状硅结晶及其制造方法
0101-0228、在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法
0261-0229、一种低弯曲薄片单晶硅太阳电池烧结工艺
0287-0230、一种金刚石硅聚晶钛镍复合结构
0238-0231、UZM-16:结晶铝硅酸盐沸石材料
0166-0232、利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
0253-0233、由碳化硅制造的单片垂直结场效应晶体管和肖特基势垒二极管及其制造方法
0001-0234、MFI晶体结构铬硅分子筛的合成方法
0099-0235、用于非晶硅的结晶化的热处理系统
0042-0236、用部分水合的结晶硅铝酸盐流动性助剂涂层的过碳酸盐漂白剂颗粒
0056-0237、结晶层状二硅酸钠的制备方法
0100-0238、基于薄膜硅的多结光伏器件的纳米晶硅和非晶锗混合型吸收层
0194-0239、低成本层状结晶二硅酸钠的工业化生产方法
0263-0240、在应变硅层中具有提高的结晶度的应变绝缘体上硅（SSOI）结构
0064-0241、锗／硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器
0013-0242、降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法
0233-0243、多晶硅横向结晶方法以及应用其制造的多晶硅薄膜晶体管
0070-0244、一种用于结晶硅层的方法
0241-0245、一种单一内嵌多晶硅存储结构及其操作方法
0063-0246、形成异质结双极晶体管的硅－锗基区的方法
0239-0247、制造结晶硅的方法
0146-0248、结晶稳定的铝硅酸盐玻璃其制备和用途
0223-0249、高纯度多结晶硅的制造方法及制造装置
0144-0250、MFI型结晶硅铝酸盐沸石的制备
0141-0251、结晶硅铝酸盐沸石组合物:UZM-9
0065-0252、具有结晶碱土金属硅氮化物，氧化物与硅界面的半导体结构
0031-0253、一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构
0007-0254、由多孔性硅石玻璃坯体制造具有结晶区的硅石玻璃坩埚的方法
0168-0255、多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构及检测方法
0178-0256、生产硼硅酸盐玻璃硼酸盐玻璃和结晶含硼材料的工艺
0074-0257、非晶硅层的结晶方法及其光掩模
0252-0258、选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法
0218-0259、使用应变硅用于集成PMOS和NMOS晶体管的单掩模设计方法和结构
0029-0260、结晶硅酸盐ＺＳＭ－１１之合成
0236-0261、硅结晶掩模、结晶硅的装置及使用其的方法
0083-0262、棒状氧化铝颗粒结合碳化硅晶须组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
0092-0263、具有非晶硅MONOS存储单元结构的半导体器件及其制造方法
0119-0264、硅的结晶方法
0130-0265、在硅底材上成长三族氮化物半导体异质磊晶结构的方法
0208-0266、结晶性硅薄膜的形成方法及装置
0220-0267、多晶硅，体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
0121-0268、具有多晶硅源极接触结构的沟槽MOSFET器件
0082-0269、片状氧化铝颗粒结合碳化硅晶须组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
0268-0270、一种多晶硅定向长晶热场结构
0038-0271、结晶硅膜、半导体器件及其制造方法
0088-0272、用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构
0045-0273、与非逻辑非晶硅只读存储器结构及其制造方法
0237-0274、生成低电阻自对准多晶硅化物栅极和台面接触区MOSFET器件的结构和方法
0025-0275、绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法
0094-0276、具有多晶硅多层绝缘结构的非易失性存储单元
0052-0277、一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺
0190-0278、可降低振动膜应力的硅晶凝缩式麦克风结构
0219-0279、一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线及其制备方法
0285-0280、晶体硅太阳电池组件用接线盒的导电体结构
0066-0281、在硅衬底上制备结晶碱土金属氧化物的方法
0093-0282、用于硅结晶的坩埚
0281-0283、生产层状结晶二硅酸钠的新型结晶装置
0071-0284、制造含结晶硅有源层的薄膜晶体管的方法
0117-0285、多晶硅层的结晶方法
0090-0286、多用途多晶硅边缘测试结构
0227-0287、具有非晶质氧化硅结合剂的MgF2光学薄膜与具备该薄膜的光学组件及该MgF2光学薄膜的制造方法
0028-0288、硅薄膜区熔再结晶的防气化覆盖层
0127-0289、一种用膨润土制备层状结晶二硅酸钠的方法
0033-0290、具有结晶晶界相的自增强氮化硅陶瓷及制备方法
0270-0291、一种提高晶硅太阳电池效率的发射极结构
0091-0292、一种薄膜硅，晶体硅背结太阳能电池
0267-0293、一种高温结晶碳化硅电热元件的生产方法
0211-0294、使用应变硅晶体管栅极图案化用硬掩模的方法和结构
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0250-0003、一种晶体硅太阳电池热扩散制备PN结的方法
0242-0004、非晶硅－晶体硅异质结太阳电池
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0006-0006、一种结晶非晶硅的方法
0102-0007、硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管(JFET、制造方法
0024-0008、硅锌矿结晶釉的定位定形技术
0047-0009、全石英砂冶炼结晶硅的生产工艺
0188-0010、用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法
0286-0011、晶体硅太阳电池组件用接线盒的扣盖式结构
0108-0012、层状结晶硅酸钠生产结晶炉
0075-0013、非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺
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0157-0015、结晶掩模、非晶硅结晶方法及利用其制造阵列基板的方法
0278-0016、绝缘层上覆硅单晶芯片结构
0116-0017、用于结晶多晶硅的掩膜及利用该掩膜形成薄膜晶体管的方法
0246-0018、用于制造深结绝缘体上硅晶体管的方法
0204-0019、用于多晶硅低温结晶化的金属催化剂掺杂装置及通过该装置进行掺杂的方法
0182-0020、纳米晶硅，单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法
0243-0021、通过自对准形成多晶硅浮栅结构的方法
0059-0022、一种层状结晶二硅酸钠的制造方法
0136-0023、连续横向结晶装置和使用它结晶硅的方法
0247-0024、非晶硅的金属诱导结晶和金属吸除技术
0275-0025、用于多晶硅结晶的不透明石英坩埚及其制造方法
0230-0026、UZM-8和UZM-8HS结晶铝硅酸盐沸石组合物及使用该组合物的方法
0084-0027、高纯度结晶层状硅酸钠的制备方法
0057-0028、含结晶硅铝酸盐沸石和贵金属的催化剂及其制备方法
0206-0029、低温多晶硅液晶显示结构及其制造方法
0215-0030、用于探针结合的硅晶片以及使用其进行结合的方法
0279-0031、硅绝缘体单晶芯片结构
0217-0032、用于应变硅MOS晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构
0274-0033、热蒸发法制备孪晶结构碳化硅纳米线的方法
0023-0034、锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管
0229-0035、一种再结晶碳化硅制品的制备技术
0128-0036、利用纳米二氧化硅原位制备快速结晶型聚酯的方法
0172-0037、结晶铝硅酸盐沸石组合物:UZM-4M
0174-0038、化学机械抛光用于接合多晶硅插拴制造方法及其结构
0165-0039、利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
0189-0040、采用斜坡型激光束的硅结晶方法
0048-0041、利用急冷结晶制造偏硅酸钠的方法
0081-0042、片状氧化铝颗粒结合碳化硅晶片组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
0115-0043、一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构及方法
0010-0044、非晶硅结晶法
0073-0045、β、δ相层状结晶二硅酸钠的生产方法
0069-0046、用于生产结晶层状二硅酸钠的改进方法
0145-0047、具有八元氧环微孔的结晶硅铝磷酸盐分子筛、其制备方法和以此分子筛为催化剂生产甲胺的方法
0162-0048、用于Lsy或OELD的具有多栅极结构的结晶硅TFT板
0257-0049、液晶硅微型显示器的基板结合方法
0134-0050、超小粒径多晶硅的结构和方法
0008-0051、多孔结晶硅酸盐的非原位固态磷活化
0078-0052、新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池
0044-0053、硅，锗硅垂直结型场效应晶体管
0210-0054、用于形成用于应变硅MOS晶体管的第二隔片的方法和结构
0293-0055、具有五层保温条的多晶硅铸锭炉的热场结构
0272-0056、有机发光二极管低温多晶硅制造方法与激光退火结晶系统
0260-0057、硅纳米线非晶硅异质结太阳能电池
0122-0058、多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管
0142-0059、一种用于合成纳米，亚微米高硅ZSM-5沸石的非晶态无机结构导向剂及其制备方法
0276-0060、烧结熔融氧化硅制备含有结晶，2的成型体
0187-0061、具有应变硅层的晶片结构体的制造方法和该方法的中间产物
0110-0062、双层玻璃结构的晶体硅太阳电池组件
0169-0063、采用硅-锗和硅-碳合金的异质结场效应晶体管
0051-0064、单晶硅－纳米晶立方氮化硼薄膜类P－N结及其制作方法
0231-0065、含有硅的结晶化的聚对苯二甲酸*酯及其制备方法
0170-0066、一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法
0207-0067、硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构
0035-0068、采用过渡改性结构非晶硅光敏层的液晶光阀
0156-0069、在基质上沉积至少部分结晶硅层的方法和设备
0016-0070、单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法
0150-0071、在双金属，多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤
0030-0072、非水体系中高硅结晶铝硅酸盐及其衍生物的合成
0106-0073、碳化硅再结晶保护管热电偶
0265-0074、用于硅结晶的坩埚及其制造方法
0222-0075、结晶铝硅酸盐沸石组合物：UZM-15
0153-0076、硅薄膜结晶方法、用该方法的薄膜晶体管及其平板显示器
0240-0077、将非晶硅结晶成多晶硅的方法及使用于此方法之光刻掩膜
0202-0078、高质量硅单晶的生长方法和装置、硅单晶结晶块及硅晶片
0132-0079、非晶质硅膜的结晶方法
0011-0080、多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法
0280-0081、硅绝缘体单晶芯片结构
0200-0082、具有自支撑的非晶硅热成像探测器微结构的制作方法
0012-0083、利用玉米芯作还原剂生产结晶硅
0294-0084、具有石墨冷却块保温条的多晶硅铸锭炉热场结构
0043-0085、一种高硅高结晶度Y型分子筛及其制备方法
0111-0086、陶瓷基片结晶硅薄膜太阳能电池
0232-0087、硅结晶化用的掩模、用其结晶化硅的方法及显示设备
0199-0088、纳米级结晶硅粉末
0235-0089、凹凸棒黏土制备δ-层状结晶二硅酸钠的方法
0036-0090、硅碳棒及碳化硅再结晶制品的节能工艺及配方
0259-0091、多层外延硅单结晶晶片制造方法及多层外延硅单结晶晶片
0107-0092、新型结构的玻璃衬底内连式弱光非晶硅电池
0019-0093、在碳化硅中制造双极结晶体管的方法和得到的器件
0026-0094、硅磷铝酸盐及有关结晶氧化物
0151-0095、结晶状硅铝酸盐沸石组合物:UZM-4以及使用该组合物的方法
0277-0096、围栅控制结构的硅基单电子晶体管及其制作方法
0049-0097、一种含结晶硅铝酸盐沸石和贵金属的催化剂及其制备方法
0080-0098、棒状氧化铝颗粒结合碳化硅晶片组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
0040-0099、一种碳化硅再结晶制品的冷挤压成型一次烧成的方法
0214-0100、一种新结构的晶体硅太阳能电池
0139-0101、改进具有MWW结构的结晶硅钛酸盐催化剂的方法
0140-0102、具复合多晶硅层的半导体结构及其应用的显示面板
0133-0103、去除深沟槽结构中半球形晶粒硅层的方法
0213-0104、用于硅结晶的坩埚
0096-0105、在硅凹陷中后续外延生长应变硅MOS晶片管的方法和结构
0120-0106、多晶硅层结构与其形成方法以及平面显示器
0248-0107、低温多晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法
0017-0108、低电压操作的单一多晶硅快闪存储单元结构及其阵列
0113-0109、多晶硅氢还原炉测温视镜结构
0290-0110、新型快开式、水冷结构的多晶硅还原炉
0256-0111、用于产生结晶方向受控的多晶硅膜的系统和方法
0129-0112、带有结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法
0138-0113、硅结晶设备及硅结晶方法
0283-0114、悬浮换热烧结结晶制造层硅的装置
0015-0115、绝缘层上覆硅单晶芯片结构及其制造方法
0114-0116、半导体电路制造的多层多晶硅瓦片结构
0041-0117、制造结晶硅半导体和薄膜晶体管的方法
0034-0118、具有小平均晶体尺寸的十二硅1H结构型的笼形硅
0148-0119、多晶硅化金属栅极结构及其制造方法
0185-0120、一种结晶二硅酸钠的制备方法
0003-0121、轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
0143-0122、可诱导聚氯乙烯结晶的纳米二氧化硅制备方法
0112-0123、多晶硅铸锭炉的热场结构
0195-0124、一种结晶硅铝酸盐及其制备方法
0021-0125、无胺法合成高硅铝比和高结晶度的ZSM-5沸石分子筛
0192-0126、使用自组装单层的硅结晶法
0131-0127、测量多晶硅薄膜热膨胀系数的测量结构及其测量方法
0089-0128、半导体器件的着片多晶硅接触结构及栅极结构的制造方法
0167-0129、用于应变硅MOS晶体管的金属硬掩模方法和结构
0221-0130、多晶硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
0037-0131、结晶二硅酸钠制备方法
0076-0132、硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法
0002-0133、利用掩膜使非晶硅结晶的方法
0062-0134、与硅具有稳定结晶界面的半导体结构的制造方法
0171-0135、一种微孔结晶硅酸铝及其制备方法
0072-0136、气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
0125-0137、形成具有完全硅化结构的半导体组件及晶体管的方法
0005-0138、结晶硅铝磷酸盐的合成
0124-0139、连续横向固化装置和使用该装置结晶硅的方法
0264-0140、金属氧化物半导体晶体管的金属硅化工艺及晶体管结构
0097-0141、单晶硅棒制造方法和单晶硅棒结构
0224-0142、叠层储存电容器结构、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
0193-0143、悬浮换热烧结结晶法制备层硅的方法及其装置
0055-0144、结晶性硅系列半导体薄膜的制造方法
0244-0145、多孔硅层结构的晶体硅太阳电池
0039-0146、一种直接快速烧成高强碳化硅再结晶制品的方法
0191-0147、带有掺杂多晶硅场发射阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺
0291-0148、多晶硅铸锭炉的热场结构
0163-0149、低温多晶硅薄膜电晶体的结构
0123-0150、层状结晶二硅酸钠生产方法
0226-0151、用于静电放电保护的改善多晶硅-源区边界电场的结构
0196-0152、对称结构双级解耦单晶硅微机械陀螺仪
0147-0153、用于制造垂直DRAM中的钨，多晶硅字线结构的方法及由此制造的器件
0249-0154、UZM-12和UZM-12HS:结晶硅铝酸盐沸石组合物及该组合物的制备和使用方法
0216-0155、使用应变硅用于晶体管的集成设计方法和结构
0197-0156、结晶硅铝酸盐:UZM-13、UZM-17、UZM-19和UZM-25
0020-0157、获得粗粒纯硅酸结晶的方法
0061-0158、从低缺陷密度的单晶硅上制备硅－绝缘体结构
0251-0159、NPN型的锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
0201-0160、具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
0282-0161、生产层状结晶二硅酸钠的预处理装置
0095-0162、基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管
0068-0163、与硅具有结晶碱土金属氧化物界面的半导体结构
0234-0164、一种新型金属氧化物硅场效应晶体管栅极结构及其制备工艺
0160-0165、具有应变硅锗层磊晶的场效应晶体管结构及其制造方法
0289-0166、一种直拉硅单晶生长的热场结构
0271-0167、一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构
0014-0168、硅基液晶的背板结构
0103-0169、一种低硅高钙大结晶电熔镁砂炉
0085-0170、一种具有周期性孪晶结构的碳化硅纳米线的制备方法
0288-0171、丝网印刷铝背发射结N型单晶硅太阳电池
0050-0172、成膜设备和形成结晶硅薄膜的方法
0258-0173、结晶硅的方法、结晶硅的装置薄膜晶体管及显示装置
0262-0174、碱性条件下制备廉价高结晶度纯硅MCM-41分子筛的方法
0179-0175、含有油聚硅氧烷-聚酰胺聚合物和结晶态聚硅氧烷化合物的组合物
0228-0176、具有碳化硅钝化层的碳化硅双极结型晶体管及其制造方法
0009-0177、一种大结晶氟硅酸钠、钾的连续生产方法
0203-0178、阵列基底、制造该阵列基底的方法和使硅结晶的方法
0046-0179、微孔结晶硅铝磷酸盐组合物含它的催化材料及其应用
0175-0180、制造用于硅上液晶器件（LCOS）的平滑镜的方法与结构
0161-0181、用于Lsy或OELD的具有LDD区的结晶硅TFT板
0027-0182、在结晶硅铝酸盐沸石为基础的催化剂中加入钼化物改进烃类转化的过程
0018-0183、具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构及其形成方法
0104-0184、控制高温结晶炉内熔硅结晶速度的水冷却装置
0164-0185、UZM-5、UZM-5P和UZM-6结晶硅铝酸盐沸石及其使用方法
0225-0186、制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法
0209-0187、高质量硅单晶结晶块的生长装置及使用此装置的生长方法
0135-0188、硅化金属栅极晶体管的结构和方法
0155-0189、多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法
0184-0190、在（111）晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法
0105-0191、碳化硅再结晶热电偶保护管
0087-0192、可反射出色域的电极结构以及单晶硅面板与显示装置
0060-0193、结晶硅半导体器件及其制造方法
0212-0194、整体式双结非晶硅太阳能电池幕墙及其制造方法和应用
0054-0195、形成具有多晶硅-硅化钛结构的栅极的方法
0077-0196、多晶硅-绝缘层-金属结构的电容及其制作方法
0183-0197、在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法
0152-0198、柱状结构纳米硅非晶硅碳复合光导层液晶光阀及制备方法
0004-0199、结晶硅薄膜半导体器件光电器件及前者的制造方法
0292-0200、具有一层保温条的多晶硅铸锭炉的热场结构
0079-0201、多晶硅基片结晶度的测量方法及其应用
0032-0202、硅增强的新型结晶氧化铝
0181-0203、用于硅层结晶的可变掩膜器件及使用该器件的结晶方法
0098-0204、非晶硅多结核电池
0158-0205、薄膜晶体管用非晶硅的结晶方法
0186-0206、添加硅的*化镓单结晶基板
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0273-0208、一种控制取向硅钢二次再结晶晶粒尺寸的工艺方法
0118-0209、制备硫化镉-二氧化硅核壳结构三维光子晶体的方法
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0159-0214、使用纳米颗粒结晶无定形硅的方法
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0254-0217、抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺
0255-0218、多晶硅铸锭炉的热场结构
0245-0219、蘸取式多晶硅太阳能电池p-n结的制作方法
0067-0220、与硅具有结晶碱土金属氧化物界面的半导体结构制造方法
0177-0221、具有双栅极结构的非晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0176-0222、形成多晶硅结构
0086-0223、单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池
0205-0224、用于连续侧向结晶的掩膜及用此掩膜结晶非晶硅层的方法
0137-0225、硅结晶设备
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0101-0228、在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法
0261-0229、一种低弯曲薄片单晶硅太阳电池烧结工艺
0287-0230、一种金刚石硅聚晶钛镍复合结构
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0042-0236、用部分水合的结晶硅铝酸盐流动性助剂涂层的过碳酸盐漂白剂颗粒
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0064-0241、锗／硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器
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0233-0243、多晶硅横向结晶方法以及应用其制造的多晶硅薄膜晶体管
0070-0244、一种用于结晶硅层的方法
0241-0245、一种单一内嵌多晶硅存储结构及其操作方法
0063-0246、形成异质结双极晶体管的硅－锗基区的方法
0239-0247、制造结晶硅的方法
0146-0248、结晶稳定的铝硅酸盐玻璃其制备和用途
0223-0249、高纯度多结晶硅的制造方法及制造装置
0144-0250、MFI型结晶硅铝酸盐沸石的制备
0141-0251、结晶硅铝酸盐沸石组合物:UZM-9
0065-0252、具有结晶碱土金属硅氮化物，氧化物与硅界面的半导体结构
0031-0253、一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构
0007-0254、由多孔性硅石玻璃坯体制造具有结晶区的硅石玻璃坩埚的方法
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0178-0256、生产硼硅酸盐玻璃硼酸盐玻璃和结晶含硼材料的工艺
0074-0257、非晶硅层的结晶方法及其光掩模
0252-0258、选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法
0218-0259、使用应变硅用于集成PMOS和NMOS晶体管的单掩模设计方法和结构
0029-0260、结晶硅酸盐ＺＳＭ－１１之合成
0236-0261、硅结晶掩模、结晶硅的装置及使用其的方法
0083-0262、棒状氧化铝颗粒结合碳化硅晶须组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
0092-0263、具有非晶硅MONOS存储单元结构的半导体器件及其制造方法
0119-0264、硅的结晶方法
0130-0265、在硅底材上成长三族氮化物半导体异质磊晶结构的方法
0208-0266、结晶性硅薄膜的形成方法及装置
0220-0267、多晶硅，体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
0121-0268、具有多晶硅源极接触结构的沟槽MOSFET器件
0082-0269、片状氧化铝颗粒结合碳化硅晶须组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
0268-0270、一种多晶硅定向长晶热场结构
0038-0271、结晶硅膜、半导体器件及其制造方法
0088-0272、用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构
0045-0273、与非逻辑非晶硅只读存储器结构及其制造方法
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