(1001130-0013-0001) 用于抛光低介电材料的化学机械抛光液
(技术说明) 本发明公开了一种用于抛光低介电材料的化学机械抛光液，包含研磨颗粒、腐蚀抑制剂、氧化剂和水，其特征在于还包含至少一种增速剂。本发明的抛光液能在较低的压力下具有较高的低介电材料的去除速率，对其它材料，如金属铜(Cu)、氧化硅(Teos)、金属坦(Ta)/氮化坦(TaN)阻挡层等也有较高的去除速率。 ， (1001130-0036-0002) 电化学-机械抛光组合物及使用其的方法
(技术说明) 本发明提供一种电化学-机械抛光组合物，其包含(a)化学上惰性的、水溶性盐、(b)腐蚀抑制剂、(c)聚电解质、(d)络合剂、(e)醇及(f)水。本发明还提供一种抛光包含一个或多个导电金属层的基底的方法，该方法包含以下步骤：(a)提供包含一个或多个导电金属层的基底(b)将该基底的一部分浸入电化学-机械抛光组合物中，该抛光组合物包含：(i)化学上惰性的、水溶性盐、(ii)腐蚀抑制剂、(iii)聚电解质、(iv)络合剂、(v)醇及(vi)水(c)对该基底施加阳极电位，该阳极电位至少施加于浸入该抛光组合物中该基底的部分，及(d)研磨该基底的浸入部分的至少一部分以抛光该基底。 ， (1001130-0006-0003) 铝及铝合金焊丝的电化学抛光方法
(技术说明) 铝及铝合金焊丝的电化学抛光方法，抛光液以磷酸为基，加入缓蚀剂和活化剂。本方法无毒、温度低、再生容易。经本方法处理的焊丝各项指标与美国、加拿大、意大利等国的焊丝表面质量一致，达到国际水平，三年内均可保持同等光亮程度，厂家可直接使用，并得到高质量的焊缝，免除了各厂家原设立的脱脂、清洗等项工序和专门的清洗车间，适应高质量和高效率的生产需要。 ， (1001130-0008-0004) 铝或铝合金导电材料层的机械化学抛光方法
(技术说明) ， (1001130-0030-0005) 涂层超导体镍基带的电化学抛光工艺方法
(技术说明) 一种涂层超导体镍基带的电化学抛光工艺方法。该方法可以减小涂层超导体镍基带表面的粗糙度。该方法包括：(1)以磷酸与丙三醇的体积比为95-105∶0.1-0.5，配制电化学抛光液，其中，磷酸的浓度为85％；(2)以步骤(1)配制的电化学抛光液作为电解液，以涂层超导体镍基带作为阳极材料，不锈钢作为阴极材料浸没在电化学抛光液中，接通电源，在5～10V电压0.3～1A电流中进行抛光，时间控制在10～60分钟；(3)抛光后，将涂层超导体镍基片清洗、吹干。该工艺处理后的镍基带表面粗糙度大约为十几纳米，能够满足涂层超导体制备的要求。 ， (1001130-0045-0006) 一种用于电化学机械抛光的抛光部件
(技术说明) 本实用新型提供了一种用于电化学机械抛光的抛光部件，其具有一个球体组件。所述球体组件具有一个外壳；设置在所述外壳中的多个导电球体，每个所述球体都可在第一位置和至少一个第二位置之间移动，所述第一位置具有在所述外壳的表面上方的所述球体的一部分，所述第二位置与所述外壳的所述表面齐平；和设置在所述外壳中的多个导电接触元件，其与所述导电球体电耦合。 ， (1001130-0019-0007) 高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液
(技术说明) 本发明涉及一种用于半导体器件中高介电常数介电材料钛酸锶钡(BaxSr1-x (1001130-0007-0008) 用于铜的化学机械抛光(CMP)浆液以及用于集成电路制造的方法
(技术说明) 本发明涉及一种用于化学机械抛光（ＣＭＰ）一层铜层（２２）的方法，开始于形成该铜层（２２）。而后将该铜层（２２）暴露于一种浆液（２４）。该浆液（２４）含有一种氧化剂如Ｈ２ (1001130-0044-0009) 一种用于电化学机械抛光的抛光部件
(技术说明) 在电化学机械抛光处理过程中，现有技术的抛光部件不能提供用于与衬底相接触的适当的物理和电气接触。本实用新型提供了一种用于电化学机械抛光的抛光部件，其具有一个球体组件。所述球体组件包括一个具有内部通道的外壳；一个在所述外壳的第一端延伸进所述内部通道的环形座；一个球体，其设置在所述外壳中并由所述座阻止其从所述外壳脱离；一个耦合到所述外壳的第二端的导电适配器；和一个与所述适配器和所述球体电耦合的接触元件。该抛光部件提供了有效的物理和电气接触，适于各工业领域特别是半导体制造过程中衬底表面的抛光处理。 (1001130-0039-0010) 结合电化学加工与电解抛光的复合式微加工装置及方法
(技术说明) 一种结合电化学加工与电解抛光的复合式微加工装置及方法，其方法包括：1.准备步骤、2.第一阶段加工步骤、3.第二阶段加工步骤，以及4.完成步骤，其装置部分包括一可提供第一工作液体的电化学加工溶液容纳部；一可提供第二工作液体的电解抛光溶液容纳部；一待加工金属是连结正电；一加工模部是连结负电；借此，将该待加工金属与该加工模部先浸在该第一工作液体中进行电化学加工，再浸入该第二工作液体中进行电解抛光加工。本发明加工速度快、可改善表面粗糙度，以及适合对高硬度金属工件进行加工等优点。 (1001130-0025-0011) 用于电化学机械抛光的导电抛光部件
(1001130-0010-0012) 一种无腐蚀脉冲电化学抛光溶液及工艺
(1001130-0011-0013) 压电致动的化学机械抛光托盘
(1001130-0041-0014) 高纯铝在超声搅拌下的电化学抛光方法
(1001130-0002-0015) 超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液
(1001130-0040-0016) 用于电-化学-机械抛光的方法和组合物
(1001130-0017-0017) 一种不锈钢管内表面电化学抛光装置
(1001130-0033-0018) 化学机械抛光层间介电层的组合物和方法
(1001130-0026-0019) 用于电化学机械抛光的抛光垫
(1001130-0023-0020) 不锈钢电化学研磨(抛光)方法
(1001130-0022-0021) 集成电路器件的化学机械抛光的终点检测方法
(1001130-0021-0022) 用于电化学机械抛光的抛光垫
(1001130-0035-0023) 用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法
(1001130-0015-0024) 可控的电化学抛光方法
(1001130-0029-0025) 钛镍合金电化学抛光液
(1001130-0037-0026) 用来化学机械抛光层间介电层的组合物和方法
(1001130-0043-0027) 细长管内表面电化学抛光装置
(1001130-0014-0028) 化学机械抛光在制造铝镜和太阳能电池中的用途
(1001130-0032-0029) 用于电化学机械抛光的导电抛光物件
(1001130-0031-0030) 浆料、化学机械抛光方法及用浆料形成电容器表面的方法
(1001130-0024-0031) 用于电化学机械抛光的导电抛光部件
(1001130-0027-0032) 用于电化学机械抛光的抛光垫
(1001130-0034-0033) 用来化学机械抛光薄膜和介电材料的组合物和方法
(1001130-0003-0034) 金属和金属/电介质结构的化学机械抛光用组合物
(1001130-0009-0035) 用于机械化学抛光低介电常数聚合物类绝缘材料层的组合物
(1001130-0004-0036) 用于电化学机械抛光的导电抛光用品
(1001130-0018-0037) 不锈钢零件批量电化学抛光装置
(1001130-0001-0038) 物理化学的电子束抛光方法
(1001130-0005-0039) 超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽的化学机械全局平面化抛光液
(1001130-0016-0040) 电化学抛光机
(1001130-0042-0041) 一种用于电化学机械抛光的抛光部件
(1001130-0012-0042) 用于金属和电介质结构化学机械抛光的抛光膏
(1001130-0038-0043) 用于电化学-机械抛光的方法和装置
(1001130-0028-0044) 集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液
(1001130-0020-0045) 低K介电材料的化学机械抛光方法
制作方法 ，电化学抛光生产加工工艺制备技术大全 制作工艺，电化学抛光生产加工工艺制备技术大全
配方比例， 电化学抛光生产加工工艺制备技术大全 技术研究应用参考，电化学抛光生产加工工艺制备技术大全
(技术说明) 本发明公开了一种用于抛光低介电材料的化学机械抛光液，包含研磨颗粒、腐蚀抑制剂、氧化剂和水，其特征在于还包含至少一种增速剂。本发明的抛光液能在较低的压力下具有较高的低介电材料的去除速率，对其它材料，如金属铜(Cu)、氧化硅(Teos)、金属坦(Ta)/氮化坦(TaN)阻挡层等也有较高的去除速率。 ， (1001130-0036-0002) 电化学-机械抛光组合物及使用其的方法
(技术说明) 本发明提供一种电化学-机械抛光组合物，其包含(a)化学上惰性的、水溶性盐、(b)腐蚀抑制剂、(c)聚电解质、(d)络合剂、(e)醇及(f)水。本发明还提供一种抛光包含一个或多个导电金属层的基底的方法，该方法包含以下步骤：(a)提供包含一个或多个导电金属层的基底(b)将该基底的一部分浸入电化学-机械抛光组合物中，该抛光组合物包含：(i)化学上惰性的、水溶性盐、(ii)腐蚀抑制剂、(iii)聚电解质、(iv)络合剂、(v)醇及(vi)水(c)对该基底施加阳极电位，该阳极电位至少施加于浸入该抛光组合物中该基底的部分，及(d)研磨该基底的浸入部分的至少一部分以抛光该基底。 ， (1001130-0006-0003) 铝及铝合金焊丝的电化学抛光方法
(技术说明) 铝及铝合金焊丝的电化学抛光方法，抛光液以磷酸为基，加入缓蚀剂和活化剂。本方法无毒、温度低、再生容易。经本方法处理的焊丝各项指标与美国、加拿大、意大利等国的焊丝表面质量一致，达到国际水平，三年内均可保持同等光亮程度，厂家可直接使用，并得到高质量的焊缝，免除了各厂家原设立的脱脂、清洗等项工序和专门的清洗车间，适应高质量和高效率的生产需要。 ， (1001130-0008-0004) 铝或铝合金导电材料层的机械化学抛光方法
(技术说明) ， (1001130-0030-0005) 涂层超导体镍基带的电化学抛光工艺方法
(技术说明) 一种涂层超导体镍基带的电化学抛光工艺方法。该方法可以减小涂层超导体镍基带表面的粗糙度。该方法包括：(1)以磷酸与丙三醇的体积比为95-105∶0.1-0.5，配制电化学抛光液，其中，磷酸的浓度为85％；(2)以步骤(1)配制的电化学抛光液作为电解液，以涂层超导体镍基带作为阳极材料，不锈钢作为阴极材料浸没在电化学抛光液中，接通电源，在5～10V电压0.3～1A电流中进行抛光，时间控制在10～60分钟；(3)抛光后，将涂层超导体镍基片清洗、吹干。该工艺处理后的镍基带表面粗糙度大约为十几纳米，能够满足涂层超导体制备的要求。 ， (1001130-0045-0006) 一种用于电化学机械抛光的抛光部件
(技术说明) 本实用新型提供了一种用于电化学机械抛光的抛光部件，其具有一个球体组件。所述球体组件具有一个外壳；设置在所述外壳中的多个导电球体，每个所述球体都可在第一位置和至少一个第二位置之间移动，所述第一位置具有在所述外壳的表面上方的所述球体的一部分，所述第二位置与所述外壳的所述表面齐平；和设置在所述外壳中的多个导电接触元件，其与所述导电球体电耦合。 ， (1001130-0019-0007) 高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液
(技术说明) 本发明涉及一种用于半导体器件中高介电常数介电材料钛酸锶钡(BaxSr1-x (1001130-0007-0008) 用于铜的化学机械抛光(CMP)浆液以及用于集成电路制造的方法
(技术说明) 本发明涉及一种用于化学机械抛光（ＣＭＰ）一层铜层（２２）的方法，开始于形成该铜层（２２）。而后将该铜层（２２）暴露于一种浆液（２４）。该浆液（２４）含有一种氧化剂如Ｈ２ (1001130-0044-0009) 一种用于电化学机械抛光的抛光部件
(技术说明) 在电化学机械抛光处理过程中，现有技术的抛光部件不能提供用于与衬底相接触的适当的物理和电气接触。本实用新型提供了一种用于电化学机械抛光的抛光部件，其具有一个球体组件。所述球体组件包括一个具有内部通道的外壳；一个在所述外壳的第一端延伸进所述内部通道的环形座；一个球体，其设置在所述外壳中并由所述座阻止其从所述外壳脱离；一个耦合到所述外壳的第二端的导电适配器；和一个与所述适配器和所述球体电耦合的接触元件。该抛光部件提供了有效的物理和电气接触，适于各工业领域特别是半导体制造过程中衬底表面的抛光处理。 (1001130-0039-0010) 结合电化学加工与电解抛光的复合式微加工装置及方法
(技术说明) 一种结合电化学加工与电解抛光的复合式微加工装置及方法，其方法包括：1.准备步骤、2.第一阶段加工步骤、3.第二阶段加工步骤，以及4.完成步骤，其装置部分包括一可提供第一工作液体的电化学加工溶液容纳部；一可提供第二工作液体的电解抛光溶液容纳部；一待加工金属是连结正电；一加工模部是连结负电；借此，将该待加工金属与该加工模部先浸在该第一工作液体中进行电化学加工，再浸入该第二工作液体中进行电解抛光加工。本发明加工速度快、可改善表面粗糙度，以及适合对高硬度金属工件进行加工等优点。 (1001130-0025-0011) 用于电化学机械抛光的导电抛光部件
(1001130-0010-0012) 一种无腐蚀脉冲电化学抛光溶液及工艺
(1001130-0011-0013) 压电致动的化学机械抛光托盘
(1001130-0041-0014) 高纯铝在超声搅拌下的电化学抛光方法
(1001130-0002-0015) 超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液
(1001130-0040-0016) 用于电-化学-机械抛光的方法和组合物
(1001130-0017-0017) 一种不锈钢管内表面电化学抛光装置
(1001130-0033-0018) 化学机械抛光层间介电层的组合物和方法
(1001130-0026-0019) 用于电化学机械抛光的抛光垫
(1001130-0023-0020) 不锈钢电化学研磨(抛光)方法
(1001130-0022-0021) 集成电路器件的化学机械抛光的终点检测方法
(1001130-0021-0022) 用于电化学机械抛光的抛光垫
(1001130-0035-0023) 用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法
(1001130-0015-0024) 可控的电化学抛光方法
(1001130-0029-0025) 钛镍合金电化学抛光液
(1001130-0037-0026) 用来化学机械抛光层间介电层的组合物和方法
(1001130-0043-0027) 细长管内表面电化学抛光装置
(1001130-0014-0028) 化学机械抛光在制造铝镜和太阳能电池中的用途
(1001130-0032-0029) 用于电化学机械抛光的导电抛光物件
(1001130-0031-0030) 浆料、化学机械抛光方法及用浆料形成电容器表面的方法
(1001130-0024-0031) 用于电化学机械抛光的导电抛光部件
(1001130-0027-0032) 用于电化学机械抛光的抛光垫
(1001130-0034-0033) 用来化学机械抛光薄膜和介电材料的组合物和方法
(1001130-0003-0034) 金属和金属/电介质结构的化学机械抛光用组合物
(1001130-0009-0035) 用于机械化学抛光低介电常数聚合物类绝缘材料层的组合物
(1001130-0004-0036) 用于电化学机械抛光的导电抛光用品
(1001130-0018-0037) 不锈钢零件批量电化学抛光装置
(1001130-0001-0038) 物理化学的电子束抛光方法
(1001130-0005-0039) 超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽的化学机械全局平面化抛光液
(1001130-0016-0040) 电化学抛光机
(1001130-0042-0041) 一种用于电化学机械抛光的抛光部件
(1001130-0012-0042) 用于金属和电介质结构化学机械抛光的抛光膏
(1001130-0038-0043) 用于电化学-机械抛光的方法和装置
(1001130-0028-0044) 集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液
(1001130-0020-0045) 低K介电材料的化学机械抛光方法
制作方法 ，电化学抛光生产加工工艺制备技术大全 制作工艺，电化学抛光生产加工工艺制备技术大全
配方比例， 电化学抛光生产加工工艺制备技术大全 技术研究应用参考，电化学抛光生产加工工艺制备技术大全
打印本文 
关闭窗口