碲铜碲化镉二氧化碲碲粉工艺
购买方法】【字体:
碲铜碲化镉二氧化碲碲粉工艺
作者:百创科技    金属矿产来源:本站原创    点击数:    更新时间:2024/2/8
,碲铜碲化镉二氧化碲碲粉工艺
1、碲锌镉晶体退火改性方法
2、氟亚碲酸盐放大器玻璃
3、碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法
4、一种高导、高强、高灭弧碲铜合金材料
5、碲镉汞材料p-n结结深的测量方法
6、熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法
7、碲镉汞材料离子注入P-N结产生损伤的修复方法
8、非含银稀土铜碲高导合金材料
9、碲镉汞材料组分分布显示方法和装置
10、空穴导电碲镉汞外延材料热处理工艺及装置
11、亚共晶硅铜锌碲系压铸铝合金
12、共晶硅铜锌碲系压铸铝合金
13、中硅镁碲系高强度铸造铝合金
14、共晶硅铜镁锰碲系活塞铝合金
15、硅锰碲系高塑性铸造铝合金
16、共晶硅镁碲系高强度铸造铝合金
17、硅铜碲系高塑性铸造铝合金
18、低硅镁碲系高强度铸造铝合金
19、向铸造铝合金中添加合金元素碲的方法
20、硅锌碲系高塑性铸造铝合金
21、共晶硅铜碲系压铸铝合金
22、中硅铜镁碲系高强度铸造铝合金
23、共晶硅铜镁镍碲系活塞铝合金
24、二氧化碲单晶体的生长技术
25、一种含碲、硫的易切削低碳钢
26、用碲化物合金促进铸铁白口化
27、从铜阳极泥中回收金铂钯和碲
28、从碲原生矿中湿法提取精碲的生产工艺
29、具有过渡层的碲化镉太阳电池
30、三氯(二氧乙烯-O,O')合碲酸铵的制备方法
31、碲灯
32、一种富碲碲化铅材料的制备方法
33、固体区熔生长1-3微米碲镉汞晶体材料的方法
34、开管汞自封碲镉汞材料热处理装置
35、碲镉汞材料高温热处理方法
36、碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法
37、碲酸钠溶液净化除铅新工艺
38、一种从碲中除铅的方法
39、从碲多金属矿中提取精碲的工艺方法
40、可重写锗-锑-碲合金光信息介质
41、含碲、钛和硅的分子筛
42、二乙基二硫代氨基甲酸碲的制备方法
43、包含锗锑碲记录层的光记录介质
44、开管式碲镉汞外延材料热处理方法
45、亚碲酸盐玻璃和光学元件
46、一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟
47、碲化镉粉末的制备方法
48、亚碲酸盐玻璃和光学元件
49、合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法
50、一种纳米级金属碲化物的制备方法
51、一种近红外发光碲硫化镉量子点的制备方法
52、硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法及专用石墨舟
53、一种用于太阳能电池的碲化镉薄膜及其制备方法
54、一种无铅碲酸盐低熔封接玻璃
55、一种用作电子浆料组成中粘接相的无铅碲酸盐低熔玻璃
56、一种采用共溅射沉积法制备碲化铋合金薄膜的方法
57、平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法
58、一种脱除固体碲粉中杂质硒的方法
59、水平区熔生长碲锌镉单晶的装置和方法
60、复合碱金属氢氧化物溶剂制备硒化物和碲化物纳米材料的方法
61、碲酸盐玻璃及其制备方法
62、高电阻率碲锌镉晶体的制备方法
63、一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法
64、2μm波段发光的氧卤碲酸盐玻璃
65、一种碲化铅纳米线制备方法
66、一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法
67、稀土掺杂氧氟碲酸盐微晶玻璃及其制备方法
68、以H2Te为碲源的II-VI族半导体CdTe量子点的制备方法
69、水溶性长链巯基类化合物包覆的碲化镉量子点合成方法
70、碲镉汞红外探测器微小光敏元芯片
71、多通道碲镉汞红外探测器
72、一种碲镉汞阳极氧化装置
73、一种碲镉汞晶体热处理装置
74、碲锌镉半导体材料的欧姆电极
75、带有延伸电极的碲镉汞多元红外探测器
76、碲锌镉和碲化镉x和γ射线探测器的能量补偿层
77、卤氧碲酸盐上转换发光玻璃
78、Tm3+/Yb3+共掺重金属氧卤碲酸盐玻璃及其制备方法
79、亚碲酸钾鸡蛋盐水保菌增菌培养基
80、一种高强度、高切削性的环保型碲黄铜合金材料
81、一种高塑性、优质锻造的环保型碲黄铜合金材料
82、一种高延展性、优质冷铆的环保型碲黄铜合金材料
83、抗电弧的铜碲铬多元合金材料
84、记忆体核心,存取其晶胞和读取硫硒碲玻璃记忆体的方法
85、Yb3+掺杂的碲酸盐玻璃及其制备方法
86、稀土掺杂钨碲酸盐玻璃及其制备方法
87、用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法
88、一种碲酸盐玻璃及其应用
89、碲化镉多臂纳米棒的制备方法
90、Yb3+掺杂的碲酸盐玻璃双包层光纤及其制备方法
91、熔体法生长的碲镉汞材料N型热处理方法
92、由二氧化碲声光可调谐滤波器构成的动态可调谐光分插复用器
93、碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片
94、Tm3+/Yb3+共掺氧氟碲酸盐玻璃及其制备方法
95、硒化镉和碲化镉量子点的合成方法
96、稀磁荧光掺钴碲化镉合金量子点的水相合成方法
97、核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法
98、Er3+/Yb3+共掺氧氯碲酸盐玻璃及其制备方法
99、碲酸盐玻璃及其制备方法
100、具有高谷胱甘肽过氧化物酶活性的含碲透明质酸的制备方法
101、共面栅阳极碲锌镉探测器的制备方法
102、有机碲化合物、其制备方法、活性自由基聚合引发剂、使用其的聚合物的制备方法以及聚合物
103、低膨胀系数的碲硅酸盐玻璃及其制作方法
104、从碲粉快速制备一维纳米结构单晶碲的方法
105、含二氧化碲的氟锆酸盐玻璃
106、碲在液相氧化反应用碳担载的含贵金属催化剂中的应用
107、系列类碲镉汞红外材料及其制备方法和用途
108、用于碲酸盐玻璃包层的铅铋硅酸盐玻璃
109、钢渣玛碲脂碎石沥青混凝土及其制备方法
110、一种碲化铋基热电材料的制备方法
111、一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长技术
112、硒化镉及碲化镉纳米棒的制备方法
113、氧氟碲酸盐玻璃及其制备方法
114、碲铌基玻璃及其制备方法、用途
115、高量子产率碲化镉量子点的控温控压微波合成方法
116、生长碲锰汞晶体的方法
117、带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器
118、光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量优化方法
119、采用加压酸浸工艺从铜阳极泥中浸出碲的方法
120、一种从粗硒中除碲的方法
121、一种用于光纤放大领域的硫碲酸盐玻璃
122、水溶性碲化镉量子点的程序控制微波制备方法
123、水溶性聚丙烯胺-碲/硒化镉核壳结构量子点的制备方法
124、碲镉汞焦平面器件微台面列阵的反应离子刻蚀设备及方法
125、用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法
126、铋-碲基热电合金的制备方法
127、一种铋-碲合金系列热电材料的高压制备方法
128、含有碲化镉荧光量子点的二氧化硅荧光微球及其制备方法
129、Yb3+/Ce3+/Er3+共掺的氧氯碲酸盐玻璃及其制备方法
130、含半胱氨酸多肽辅助合成高发光碲化镉量子点的方法
131、微台面列阵碲镉汞红外双波段焦平面探测器芯片
132、一种用于丙烷选择氧化制丙烯酸反应的钼钒碲铌催化剂及其制备方法
133、纳米级银和锑或银和铋掺杂的碲化铅的制备方法
134、一种具有高软化温度的掺铒碲酸盐玻璃和制备方法
135、一种具有高红外泵浦效率的掺铒碲酸盐玻璃及制备方法
136、一种新的生长碲锌镉晶体技术
137、碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物及其单晶材料和薄膜材料
138、汞铟碲锑化合物及其单晶材料、薄膜材料
139、碲化镉量子点的制备方法
140、掺锑、*新型碲镉汞改性化合物及其单晶与薄膜材料
141、高性能碲化铋热电材料的制备方法
142、一种稀土碲铋黄铜合金及其制备方法
143、碲化镉单晶的低温溶剂热生长方法
144、置于碲镉汞红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片
145、甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜及制备方法
146、透红外的无铅氧卤碲酸盐玻璃及其制备方法
147、利用粉末状靶材制备碲化铋薄膜的单靶溅射方法
148、钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用
149、一种碲化铋基热电材料的制备工艺
150、碲化汞镉的制造
151、一种碲化铋基热电材料的制备方法
152、一种从海水中提取碲的方法
153、可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片
154、一种碲化铋基半导体制冷材料中回收碲的方法
155、核/壳型碲化镉/硫化镉水溶性量子点的合成方法
156、表面修饰的包含有碲化镉二氧化硅纳米粒及其制备方法
157、一种可靠预测碲镉汞光电响应截止波长的非接触实验方法
158、长波碲镉汞光伏器件物理参数的检测方法
159、被动式饱和箝位输出光强连续可调的碲镉汞光限幅器
160、在图形化硅上制作碲化镉汞
161、非平面芯片及碲化太阳能电池
162、一种制备碲镉汞红外材料的新方法
163、硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片
164、带有电容栅的共面栅阳极碲锌镉探测器及其制备方法
165、含有硒及/或碲、并含有钌及/或铑的处理物的浸出方法
166、一种无碲存储材料、制备方法及应用
167、防非红外辐射入射面响应的碲镉汞红外探测器芯片
168、碲铟汞光电探测器
169、碲铟汞光电探测器芯片制作方法
170、碲蒸馏炉
171、碲化镉薄膜太阳能电池腐蚀液及腐蚀方法
172、碲镉汞薄膜材料表面氧化膜层的处理工艺
173、制备大体积碲锌镉单晶的方法
174、用于改善碲镉汞液相外延薄膜表面形貌的石墨舟
175、一种碲基玻璃光纤预制棒的制备方法
176、碲化镉的回收装置及其回收方法
177、一种高纯碲化镉的制备方法
178、包括半反射锡和碲基合金层的光学数据存储介质
179、碲化铋纳米管的制备方法
180、一种粗碲粉深度除杂的方法
181、碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法
182、超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池
183、从粗碲粉中浸出碲的方法
184、形成包括碲的相变材料层的方法和使用该相变材料层来制造相变存储器的方法
185、锌镉碲单晶的生长和退火方法以及退火专用坩埚
186、碲锌镉薄膜太阳能电池
187、一类硒碲锌化合物光敏电阻材料
188、一类硫碲锌化合物光敏电阻材料
189、一种非线性光学晶体亚碲酸钒镉
190、碲化镉材料表面氧化膜层的处理工艺
191、一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构
192、含碲的烷烃氨氧化反应催化剂
193、液体急冷结合放电等离子烧结制备碲化铋基热电材料的方法
194、激光加工在P型碲镉汞材料上形成PN结的方法及装置
195、碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片
196、布儒斯特角氧化碲声光器件, , ,
购买以上《碲铜碲化镉二氧化碲碲粉工艺》生产工艺技术资全套200元,含邮费,本市五大区可办理货到付款,咨询手机号也是微信号:15542181913 13889286189【点这进入购买帮助】
沈阳百创科技有限公司
办公地址:沈阳市和平区太原南街88号商贸国际B座1008室(沈阳站东500米)
办公电话: 155-4218-1913 传真:024-81921617 QQ:49474603
版权所有:沈阳百创科技有限公司 备案号:辽ICP备05000148号
回到顶部